專利名稱：用于半導體裝置的粘合劑片及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種用于半導體裝置的粘合劑片及其制造方法。更具體地，本發明涉及一種用于半導體裝置的粘合劑片及其制造方法，其中離型元件具有未切割部分厚度與離型元件總厚度的預定比例、切割部分之間的預定距離、以及40N/15mm或更大的剪切強度， 從而保持卷形穩定性。
背景技術：
在將半導體晶圓切割成單個芯片的工藝中，芯片貼附膜貼附到晶圓的背面。芯片貼附膜可具有雙層結構，其中切割膜與接合膜組合用作晶圓貼附的接合層。已知有將具有這種雙層結構的粘合劑片預切成構成半導體裝置的晶圓形狀的方法。預切工藝是對應于晶圓形狀預切接合膜，并從接合膜而非與晶圓接合部分去除樹脂層的工藝。在預切工藝中，將接合膜對應于晶圓形狀預切，并與壓敏粘合劑膜接合，再進行預切工藝。然而，如果在預切工藝中刀片深深地穿入粘合劑片中，則粘合劑片會被用于保持卷形而施加的卷繞張力損壞。相反，如果施加弱卷繞張力以防止這種損壞，粘合劑片具有較低卷的卷繞性能，導致卷形穩定性的問題。此外，在預切工藝中，盡管在粘合劑片的形狀穩定性方面，切割部分的深度至關重要，然而難以在制造工藝中測定深度，且該深度可根據因刀片的磨損刀口的位置而不一致。

發明內容
本發明的一個方面提供一種用于半導體裝置的粘合劑片，所述粘合劑片包括依次堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜。所述離型元件包括從所述接合層的橫側沿著所述接合層的外圍形成的第一切割部分，和沿著所述壓敏粘合劑層和所述基膜的外圍形成的第二切割部分。所述第一切割部分和所述第二切割部分厚度各自可小于所述離型元件的厚度，且所述離型元件可具有40N/15mm至90N/15mm范圍內的剪切強度。在一個實施方式中，從所述離型元件除去所述第一切割部分或所述第二切割部分產生的未切割部分厚度可為所述離型元件厚度的20%至80%。在一個實施方式中，從所述離型元件除去所述第二切割部分產生的未切割部分厚度與從所述離型元件除去所述第一切割部分產生的未切割部分厚度之比可大于1。在一個實施方式中，所述未切割部分厚度可為所述離型元件總厚度的30%至 70%，且所述離型元件可具有40N/15mm至90N/15mm的剪切強度。在一個實施方式中，所述第一切割部分和所述第二切割部分之間的距離可為IOmm 至 30mm。本發明另一個方面提供了一種用于半導體裝置的粘合劑片的制造方法，所述用于半導體裝置的粘合劑片包括依次堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜，所述方法包括
在所述離型元件上堆積所述接合層；從所述接合層接觸所述離型元件的面的相反面將第一預切刀片置于所述離型元件中并將所述接合層切成第一平面形狀來形成第一切割部分；去除具有第一平面形狀部分之外的所述接合層；在所述接合層上堆積壓敏粘合劑片，使得所述壓敏粘合劑層和所述基膜堆疊，同時相互接觸；以及從所述基膜接觸所述壓敏粘合劑層的面的相反面將第二預切刀片置于所述離型元件中并將所述壓敏粘合劑片切成第二平面形狀來形成第二切割部分；其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述離型元件小的厚度， 且所述離型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度與所述離型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。


由以下結合附圖的詳細說明，本發明的以上和其它方面、特征和優點將變得明顯， 其中圖1示出了根據本發明一個實施方式的用于半導體裝置的粘合劑片的實例；且圖2示出了根據本發明一個實施方式的用于半導體裝置的粘合劑片的制造方法實例。
具體實施例方式本發明的各方面提供一種用于半導體裝置的粘合劑片，所述粘合劑片包括依次堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜；其中所述離型元件包括從所述接合層的橫側沿著所述接合層的外圍形成的第一切割部分，和沿著所述壓敏粘合劑層和所述基膜的外圍形成的第二切割部分；所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度可小于所述離型元件的厚度，且所述離型元件可具有40N/15mm或更大的剪切強度。在上述用于半導體裝置的粘合劑片中，離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜依次堆疊。具體地，包括離型元件和接合層的接合片堆積在包括壓敏粘合劑層和基膜的壓敏粘合劑片上，使得接合層和壓敏粘合劑層相互接觸，從而構成具有堆疊結構的半導體裝置用粘合劑片。文中，“接合層可部分堆疊在離型元件上”是指接合層只堆疊在離型元件整個表面的一部分上。離型元件不僅包括與接合層接觸的部分，還包括第一切割部分和第二切割部分。接合層可部分形成在離型元件上，從而在剝離離型元件后具有與接合層將貼附的接合目標的平面形狀相對應的平面形狀。接合目標可例如為半導體晶圓。當接合層具有與半導體晶圓的平面形狀對應的平面形狀時，可有利于切割半導體晶圓的工藝。接合層可具有圓形形狀。在此情況下，接合層可具有220mm至320mm的直徑，但不限于此。壓敏粘合劑層和基膜依次堆疊在接合層上并布置成充分覆蓋接合層。具體地，當接合層具有圓形形狀時，壓敏粘合劑層和基膜可具有直徑長于接合層直徑的圓形形狀。例如，具有圓形形狀的壓敏粘合劑層和基膜可具有為接合層直徑的1. 10至1. 30倍的直徑，但不限于此。文中，“相對于離型元件可部分形成壓敏粘合劑層和基膜”是指壓敏粘合劑層和基膜只形成在離型元件整個表面的一部分上。離型元件包括除壓敏粘合劑層和基膜以外的第二切割部分。離型元件形成有第一切割部分。第一切割部分是指通過將第一預切刀片置于包括離型元件和接合層的片中而在離型元件上形成的部分。第一切割部分具有將包括離型元件和接合層的片厚度除去第一預切刀片形成的深度得到的厚度。該第一切割部分由接合層的橫側沿著接合層外圍形成。從離型元件除去第一切割部分產生的未切割部分厚度可為離型元件厚度的20 %至80 %，優選20 %至70 %。第一切割部分厚度可小于離型元件的厚度。離型元件還形成有第二切割部分。第二切割部分是指形成第一切割部分后，通過將第二預切刀片置于包括離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜的片中而在離型元件上形成的部分。第二切割部分具有將離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜形成的片厚度除去第二預切刀片形成的深度得到的厚度。該第二切割部分以距離第一切割部分例如IOmm 至30mm的預定距離形成。該第二切割部分沿著壓敏粘合劑層和基膜的外圍形成。從離型元件除去第二切割部分產生的未切割部分厚度可為離型元件厚度的20%至80%，優選30% 至80%。第二切割部分厚度可小于離型元件的厚度。未切割部分厚度可用任何方法測定。例如，用電子顯微鏡測定間隔為30°的12個位置的厚度來進行橫截面的觀察，并計算平均值為厚度。未切割部分厚度可為離型元件厚度的20%至80%。在此范圍內，當施加卷繞張力時，粘合劑片不會被損壞，并具有優異的卷的卷繞性能，產生優異的卷形穩定性。此外，當用于半導體晶圓的粘合劑片形成為刺針形狀(pricker shape)時，剩余的粘合劑能易于去除。具體地，從離型元件除去第一部分產生的未切割部分厚度可為離型元件厚度的 20%至70%，且從離型元件除去第二切割部分產生的未切割部分厚度可為離型元件厚度的 30%至 80%。從離型元件除去第二切割部分產生的未切割部分厚度與從離型元件除去第一部分產生的未切割部分厚度之比可大于1。具體地，該比例可為1. 01至3。在粘合劑片中，離型元件可具有40N/15mm至90N/15mm范圍內的剪切強度。剪切強度可通過用hstron 3343以50mm/min的速度對樣品進行拉伸測試。此時，樣品具有15mm 寬度和50mm長度，并由具有第一和第二刀片的布置位置的離型元件制備。在預切工藝中，由于使用電子顯微鏡，所以難以測定切割部分的深度。此外，切割部分的深度可因預切刀片的磨損程度而不一致。在本發明的實施方式中，粘合劑片的卷形穩定性和破損可能性(brakeage possibility)首先通過判定由初始制造的粘合劑片獲得的離型元件的剪切強度為40N/15mm或更高來確定。基于該判定，可成功制造用于半導體裝置的粘合劑片。離型元件第一切割部分和第二切割部分之間的距離可為IOmm至30mm。在此范圍內，可防止半導體晶圓的切割和擴展工藝中粘合劑片的卷曲現象，并能獲得拾取工藝中的優異性能。上述粘合劑片可形成為卷形。可通過向成功制造的粘合劑片施加卷繞張力來形成卷形。圖1示出了根據本發明實施方式的用于半導體裝置的粘合劑片的實例。粘合劑片包括依次堆疊的離型元件1、接合層2、壓敏粘合劑層3和基膜4。若將離型元件1的厚度稱為D，從離型元件1除去第一切割部分7或第二切割部分8產生的未切割部分厚度稱為L，則L/D可為0. 2至0. 8。具體地，若將從離型元件1除去第一切割部分7產生的未切割部分厚度稱為Li，從離型元件1除去第二切割部分8產生的未切割部分厚度為L2，則L1/D可為0. 2至0. 7，且L2/D可為0. 3至0. 8。對于厚度Ll和L2，L2/L1可大于1。第一切割部分7和第二切割部分8之間的距離m可為IOmm至30mm。以下將詳細說明根據本實施方式的粘合劑片的各個組分。當使用半導體裝置用粘合劑片時，離型元件用作承載膜。離型元件的實例可包括， 但不限于聚烯烴膜，如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯(PMP)膜和聚乙酸乙烯酯(PVC)膜； 和聚酯膜，如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。離型元件可具有適宜范圍的厚度，例如30μπι至60μπι。接合層可對壓敏粘合劑層具有粘附性。然而，UV照射使得該粘附性降低，從而在切片工藝后能從壓敏粘合劑膜剝離接合層。接合層可形成為熱固性組合物的膜狀，并對打磨后的晶圓背面具有優異的粘附性。接合層可包括具有成膜性的丙烯酸共聚物、熱固性樹脂和固化劑。丙烯酸共聚物的實例可包括為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯與丙烯腈的共聚物的丙烯酸橡膠。熱固性樹脂的實例可包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、酚醛樹脂、熱固性聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、脲醛樹脂等。具體地，可使用環氧樹脂，因為它可提供具有優異的耐熱性、可加工性和可靠性的粘合劑片。通過固化可具有粘附性的任何環氧樹脂均可用作上述環氧樹脂。然而，由于環氧樹脂需要包括用于固化反應的至少兩種官能團，可使用雙酚A環氧樹脂、酚醛清漆環氧樹脂或甲酚醛清漆環氧樹脂。常用于制造粘合劑片的任何固化劑均可用作上述固化劑。上述固化劑可包括，但不限于酚醛環氧樹脂。酚醛環氧樹脂的實例每個分子中可包括至少兩個酚羥基，并在吸濕時高度耐電解腐蝕。具體地，上述酚醛環氧樹脂可包括雙酚Α、雙酚F和雙酚S樹脂、酚醛環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、甲酚醛清漆樹脂、二甲酚樹脂和聯苯樹脂。接合層可進一步包括能固化環氧樹脂的固化促進劑。固化促進劑的實例可包括咪唑、胺、膦或硼固化促進劑。這些固化促進劑的具體實例對本領域技術人員是已知的。此外，接合層可包括硅烷偶聯劑以提高對晶圓的粘附性。上述硅烷偶聯劑可單獨使用或以至少兩種的混合物使用。硅烷偶聯劑可為，但不限于選自由環氧硅烷、巰基硅烷、氨基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、2-氨基乙基-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和 3-脲基丙基三乙氧基硅烷組成的組中的至少一種。此外，接合層可進一步包括有機或無機填料。無機填料的實例包括金屬性組分，如金、銀、銅和鎳粉，以及非金屬性組分，如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、二氧化硅、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、鐵氧體、陶瓷等。有機填料的實例包括碳、橡膠類填料、聚合物類填料等。接合層可具有適宜范圍的厚度，例如20μπι至60μπι。接合層可通過能提供均勻涂層厚度的任何涂布方法形成。例如，可使用直接涂布法，或者可將接合層涂布至離型膜，干燥，然后通過轉印工藝轉移至離型元件。盡管可使用能提供均勻涂層厚度的任何涂布方法，通常可使用棒涂、凹版涂布、逗號涂布(comma coating)、逆轉輥涂布、涂布器涂布、噴涂和浸涂。壓敏粘合劑層可對接合層具有粘附性。在此情況下，當切割半導體晶圓時，固定半導體晶圓，有利于切割。壓敏粘合劑層可對接合層具有粘附性。然而，UV照射使得該粘附性降低，從而在切片工藝后能從壓敏粘合劑層剝離接合層。壓敏粘合劑層可包括可光固化和帶粘性的丙烯酸接合劑、光引發劑和熱固化劑。帶粘性的丙烯酸接合劑可通過使作為主要單體的呈現出粘附性的丙烯酸單體與功能性丙烯酸單體在聚合引發劑的存在下聚合來制備。具體地，將丙烯酸單體、功能性丙烯酸單體和聚合引發劑聚合成帶粘性的丙烯酸多元醇接合劑。丙烯酸單體用于提供具有粘附性的壓敏粘合劑層。丙烯酸單體可包括，但不限于 C4至C20丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。例如，丙烯酸單體可為選自由丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯和甲基丙烯酸十八烷酯組成的組中的至少一種。上述功能性丙烯酸單體可為選自由具有羥基的丙烯酸單體、具有環氧基的丙烯酸單體和具有羥基的反應性單體組成的組中的至少一種。具體地，可使用具有羥基的丙烯酸單體和具有環氧基的丙烯酸單體的混合物。具有羥基丙烯酸單體可包括，但不限于含羥基的C4至C20丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或其他化合物。例如，具有羥基的丙烯酸單體可為選自由甲基丙烯酸羥甲酯、甲基丙烯酸-2-羥乙酯、丙烯酸-2-羥乙酯、丙烯酸-4-羥丁酯和甲基丙烯酸羥丙酯組成的組中的至少一種。具有環氧基的丙烯酸單體可包括，但不限于含環氧基的C4至C20丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或其他化合物。例如，可使用丙烯酸縮水甘油醚酯或甲基丙烯酸縮水甘油醚酯。具有羥基的反應性單體可包括C20或更多碳原子的單體，這些單體可單獨使用或以它們的混合物使用。例如，可使用丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸硬脂酰酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯或甲基丙烯酸十八烷酯。聚合引發劑的實例可包括偶氮二化合物(azobis compounds)，例如偶氮二異丁腈，和自由基引發劑，如包括過氧化苯甲酰的有機過氧化物，但不限于此。此時，可進一步使用催化劑和阻聚劑。上述聚合可在80°C至120°C下進行1至70小時，優選5至15小時，但不限于此。對于光引發劑，可使用任何公知的光引發劑。光引發劑的實例可包括苯甲酮類，如苯甲酮、4，4’ - 二甲氨基苯甲酮、4，4’ - 二乙氨基苯甲酮和4，4’ - 二氯苯甲酮；苯乙酮類， 如苯乙酮和二乙氧基苯乙酮；以及蒽醌類，如2-乙基蒽醌和叔丁基蒽醌，它們可單獨使用或以至少兩種的混合物使用。
對于熱固化劑，可使用異氰酸酯類熱固化劑。異氰酸酯類熱固化劑可為選自由2， 4-三氯乙烯二異氰酸酯、2，6_三氯乙烯二異氰酸酯、氫化三氯乙烯二異氰酸酯、1，3_ 二甲苯二異氰酸酯、1，4- 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷_4，4- 二異氰酸酯、1，3- 二異氰酸根合甲基環己烷(l，3-bisisocyanatomethyl cyclohexane)、四甲基二甲苯二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、2，2，4_三甲基六亞甲基二異氰酸酯、2，4，4_三甲基六亞甲基二異氰酸酯、三氯乙烯二異氰酸酯和三羥甲基丙烷的加合物、二甲苯二異氰酸酯和三羥甲基丙烷的加合物、三苯基甲烷三異氰酸酯和亞甲基雙三異氰酸酯(methylenebistriisocyanate)組成的組中的至少一種。壓敏粘合劑層可用任何涂布方法形成，例如與用于在離型元件上涂布接合層的方法相同的方法。壓敏粘合劑層可具有適宜范圍內的厚度，例如10 μ m至20 μ m。基膜通常可包括，但不限于聚烯烴膜，如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙烯共聚物、聚 1- 丁烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯/苯乙烯-丁二烯橡膠共混物、聚氯乙烯膜等。 此外，基膜可包括聚合物，如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和聚(甲基丙烯酸甲酯)；和熱塑性彈性體，如聚氨酯和聚酰胺-多元醇共聚物；以及它們的混合物。基膜可具有適宜范圍內的厚度，例如10 μ m至20 μ m。本發明的各方面提供一種制備用于半導體裝置的粘合劑片的方法，該用于半導體裝置的粘合劑片包括依次堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜。上述方法包括在離型元件上堆積接合層；通過從接合層接觸離型元件的面的相反面將第一預切刀片置于離型元件中并將接合層切成第一平面形狀來形成第一切割部分；去除不包括第一平面形狀的接合層；在接合層上堆積包括壓敏粘合劑片和基膜的片，使得壓敏粘合劑層與接合層接觸；以及通過從基膜接觸壓敏粘合劑層的面的相反面將第二預切刀片置于離型元件中并將包括壓敏粘合劑片和基膜的片切成第二平面形狀來形成第二切割部分。第一切割部分和第二切割部分厚度可分別小于離型元件的厚度。從離型元件除去所述第二切割部分產生的未切割部分厚度與從離型元件除去第一切割部分產生的未切割部分厚度之比可大于1。離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜如上所述。圖2示出了根據本發明一個實施方式的用于半導體裝置的粘合劑片的制備方法實例。在離型元件1上堆積接合層2。從接合層2接觸離型元件1的面的相反面將第一預切刀片5置于離型元件1中以將接合層2切成第一平面形狀，從而形成第一切割部分7。通常可使用至少兩把第一預切刀片以形成第一切割部分。當使用兩把第一預切刀片時，基于第一平面形狀調節刀片之間距離。剝離離型元件1之后，第一平面形狀可對應于接合層貼附的接合目標的平面形狀。接合目標可例如為半導體晶圓。從離型元件1除去第一切割部分7產生的未切割部分厚度可為離型元件1的厚度的20%至80%，優選20%至70%。去除不包括第一平面形狀的接合層。通過部分剝離初始去除部分，然后用卷繞輥分別去除被剝離部分的產品來實現這種去除。
將包括壓敏粘合劑片3和基膜4的片堆積在接合層2上，使得壓敏粘合劑層3與接合層2接觸。從基膜4接觸壓敏粘合劑層3的面的相反面將第二預切刀片6置于離型元件1中以將包括壓敏粘合劑片3和基膜4的片切成第二平面形狀，從而形成第二切割部分8。通常可使用至少兩把第二預切刀片以形成第二切割部分。當使用兩把第二預切刀片時，基于第二平面形狀調節刀片之間距離。第二平面形狀可具有充分覆蓋用于加工半導體晶圓的環形框架的球形形狀。從離型元件除去第二切割部分產生的未切割部分厚度可為離型元件厚度的20%至80%，優選30%至80%。此時，調節第二切割部分厚度，使得從離型元件除去所述第二切割部分產生的未切割部分厚度與從離型元件除去第一切割部分產生的未切割部分厚度之比可大于1。第一切割部分和第二切割部分之間的距離可為IOmm至30mm。由以下實施例和對比例將更好地理解本發明。提供這些實施例僅用于說明，并不是要限制本發明的范圍，本發明的范圍由所附權利要求書限定。在此將省略對本領域技術人員明顯的細節的說明。制備例1 接合片的制備將69重量份的丙烯酸橡膠接合劑SG-P3 (17%, Nagase Chemtex)、13重量份的環氧樹脂 EPPN-501H(81%，Nippon Kayaku)、7 重量份的酚類固化劑 HF_IM(50%，Meiwa) U 重量份的硅烷偶聯劑KBM-403(100%，Shinetsu)、0. 5重量份的固化促進劑TPP-K (100%， Hokko)和9. 5重量份的填料R-972 (Degussa)與30重量份的甲基乙基酮混合，從而制得接合層組合物。用凹版涂布將該接合層組合物涂布至50μπι厚的薄PET基膜(TS-002，Toyobo Co.，Ltd.)，并干燥至20 μ m厚度。將所得產品與PET保護基膜(TS-002, Toyobo Co.，Ltd.) 層疊，從而制得接合片。制備例2 壓敏粘合劑片的制備將51重量份的含乙烯基的丙烯酸接合劑SR-09184IU43. 5%，Samhwa Paint Industrial Co.，Ltd.)、0· 5 重量份的光引發劑 Darocur 1173 (Ciba Chemical)和 1. 5 重量份的異氰酸酯熱固化劑AK-75 (Aekyung Chemical Co.，Ltd.)分散在47重量份的甲基乙基酮中，從而制得用于壓敏粘合劑層的粘合組合物。將該粘合組合物涂布至薄PET基膜 (TS-002, Toyobo Co.，Ltd.)至10 μ m厚并干燥。將所得產品與IOOym厚的聚丙烯基膜 (JSR)層疊，從而制得壓敏粘合劑片。實施例1至3 用于半導體裝置的粘合劑片的制備從實施例1接合片制造中去除PET保護基膜(TS-002，Toyobo Co.，Ltd.)。然后，用第一預切刀片Φ 235mm將該接合片預切成圓形形狀，這是第一預切工藝，從而形成第一切割部分，使得從離型膜除去第一切割部分產生的未切割部分的深度為表1中列出的深度。將接合層貼附至卷繞輥并去除具有圓形形狀的部分。從實施例2制造的壓敏粘合劑片去除PET膜，并將壓敏粘合劑片堆積在接合片上。然后，用第二預切刀片φ 270mm預切該壓敏粘合劑片，這是第二預切工藝，從而形成第二切割部分，使得從離型膜除去第二切割部分產生的未切割部分的深度為表1中列出的深度。因此，制得用于半導體裝置的粘合劑片。成功地將用于半導體裝置的粘合劑片制成卷形。在該卷形中，調節卷繞張力，從而保持形狀穩定性。
對比例1和2 用于半導體裝置的粘合劑片的制備以與實施例1至3相同的方法制造用于半導體裝置的壓敏粘合劑片，不同之處在于如表1中列出的改變離型元件的厚度和離型元件未切割部分的深度。測試用于半導體裝置的粘合劑片的性能評價評價實施例和對比例中制造的用于半導體裝置的粘合劑片的性能，且結果示于表 1中。<評價方法>(1)離型元件未切割部分的深度通過用電子顯微鏡觀察橫截面求間隔為30°的12個點的厚度平均值來得到從離型元件出去第一切割部分和第二切割部分的未切割部分的深度。(2)離型元件的剪切強度制備包括與各個用于半導體裝置的粘合劑片的離型元件具有相同深度的未切割部分的15mmX 50mm離型元件樣品，并用hstron 3343以50mm/min的速度對樣品進行拉伸測試，從而測定剪切強度(N/15mm)。(3)粘合劑片的卷形穩定性將各個粘合劑片的300個切段卷繞之后，通過繃緊核來判定卷形片的變形。穩定的卷形表示為0，輕微不穩定的卷形表示為△，且不穩定傾斜的卷形表示為X。(4)粘合劑片的破損當如表1所列改變卷繞張力時，片破損表示為0，且片不破損表示為X。(5)不良剝離(faulty peeling)第一預切工藝之后，除具有圓形形狀的部分之外的接合層的去除，例如具有圓形形狀的部分的接合層部分去除表示為0，且只有多余的接合層去除表示為X。表權利要求
1.一種用于半導體裝置的粘合劑片，包括依次堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜，其中所述離型元件包括從所述接合層的橫側沿著所述接合層的外圍形成的第一切割部分，和沿著所述壓敏粘合劑層和所述基膜的外圍形成的第二切割部分，所述第一切割部分和所述第二切割部分的各自厚度小于所述離型元件的厚度，所述離型元件具有40N/15mm至90N/15mm范圍內的剪切強度。
2.根據權利要求1所述的粘合劑片，其中所述離型元件厚度除去所述第一切割部分厚度或所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度為所述離型元件厚度的20%至80%。
3.根據權利要求1所述的粘合劑片，其中所述離型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度與所述離型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比例大于1。
4.根據權利要求1所述的粘合劑片，其中未切割部分厚度為所述離型元件厚度的30% 至70%，且所述離型元件具有40N/15mm至90N/15mm的剪切強度。
5.根據權利要求1所述的粘合劑片，其中所述離型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度為所述離型元件厚度的20%至70%，且所述離型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度為所述離型元件厚度的30%至80%。
6.根據權利要求3所述的粘合劑片，其中所述比例在1.01至3的范圍內。
7.根據權利要求1所述的粘合劑片，其中所述第一切割部分和所述第二切割部分之間的距離為IOmm至30mm。
8.根據權利要求1所述的粘合劑片，其中所述接合層具有直徑為220mm至320mm的圓形形狀，且所述壓敏粘合劑層和所述基膜具有直徑為所述接合層直徑的1. 10倍至1. 30倍的圓形形狀。
9.根據權利要求1所述的粘合劑片，其中所述用于半導體裝置的粘合劑片具有卷形。
10.一種用于半導體裝置的粘合劑片的制造方法，所述用于半導體裝置的粘合劑片包括依次堆疊的離型元件、接合層、壓敏粘合劑層和基膜，所述方法包括在所述離型元件上堆積所述接合層；從所述接合層接觸所述離型元件的面的相反面將第一預切刀片置于所述離型元件中并將所述接合層切成第一平面形狀來形成第一切割部分；去除具有第一平面形狀部分之外的所述接合層；在所述接合層上堆積壓敏粘合劑片，使得所述壓敏粘合劑層和所述基膜堆疊，同時相互接觸；以及從所述基膜接觸所述壓敏粘合劑層的面的相反面將第二預切刀片置于所述離型元件中并將所述壓敏粘合劑片切成第二平面形狀來形成第二切割部分；其中所述第一切割部分和所述第二切割部分各自具有比所述離型元件小的厚度，且所述離型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度與所述離型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度之比大于1。
11.根據權利要求10所述的方法，其中所述離型元件厚度除去所述第一切割部分厚度或所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度為所述離型元件厚度的20%至80%，且所述第一切割部分和所述第二切割部分之間的距離為IOmm至30mm。
12.根據權利要求10所述的方法，其中所述離型元件厚度除去所述第一切割部分厚度得到的未切割部分厚度為所述離型元件厚度的20%至70%，且所述離型元件厚度除去所述第二切割部分厚度得到的未切割部分厚度為所述離型元件厚度的30%至80%。
全文摘要
本發明公開了一種用于半導體裝置的粘合劑片和制造所述粘合劑片的方法。在所述粘合劑片中，離型元件具有未切割部分厚度和整個離型元件厚度的預定比例，切割部分之間的預定距離和40N/15mm至90N/15mm的剪切強度，從而防止片的破損并保持卷形穩定性。
文檔編號B32B27/08GK102543811SQ2011102964
公開日2012年7月4日 申請日期2011年9月27日 優先權日2010年12月13日
發明者卓種活, 宋基態, 金志浩, 黃珉珪 申請人:第一毛織株式會社