專利名稱：一種局部全息微孔防偽膜的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種微孔防偽膜，特別是涉及一種局部全息微孔防偽膜。
背景技術：
傳統的微孔防偽膜主要為核徑跡微孔防偽膜和重力子微孔防偽膜。通過利用核反應堆中子誘發的鈾裂變碎片或重離子加速器的高能粒子輻照塑料膜，在輻照后，高能粒子通過區域形成徑跡損傷，通過化學蝕刻等工序，得到微孔防偽膜。傳統的微孔防偽膜由于微孔區域肉眼難于識別，消費者在檢驗識別時只有通過水筆涂抹，墨水滲透進入下層介質中才能夠識別防偽圖案，鑒別真假，其防偽外觀特征不明顯。

發明內容
為解決上述問題，本發明提供了一種增強防偽力度和唯一性，改善其外觀特征的局部全息微孔防偽膜。本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種局部全息微孔防偽膜，包括熱熔膠層，局部全息層，塑料薄膜層和通孔，塑料薄膜層上加載有局部全息層，局部全息層上設有若干鏤空區域，局部全息層上的鏤空區域處形成通孔，局部全息層上涂設有熱熔膠層。作為本發明的進一步改進，局部全息層包括印刷油墨封框與全息圖案，所述全息圖案設置于印刷油墨封框內。作為本發明的進一步改進，通孔通過高能粒子輻照及蝕刻等工藝形成。作為本發明的進一步改進，通孔的直徑為0.1 10 μ m。作為本發明的進一步改進，塑料薄膜層為PET薄膜層。本發明的有益效果:此局部全息微孔防偽膜通過在塑料薄膜層上加載上局部全息層，該局部全息層上的鏤空區域形成防偽標識或者文字，并在鏤空區域形成通孔，可以讓消費者通過肉眼識別，增強了此類防偽膜的防偽外觀特征，此局部全息層的防偽膜和微孔防偽方法結合，增強了此類防偽膜的防偽力度和防偽唯一性。


下面結合附圖對本發明作進一步說明:
圖1是本發明實施例剖面結構示意圖。
具體實施例方式參照圖1，本發明為一種局部全息微孔防偽膜，包括熱熔膠層1，局部全息層2，塑料薄膜層3和通孔4，塑料薄膜層3上加載有局部全息層2，局部全息層2上設有若干鏤空區域，局部全息層2上的鏤空區域處形成通孔4，局部全息層2上涂設有熱熔膠層I。此局部全息微孔防偽膜通過在塑料薄膜層3上加載上局部全息層2，該局部全息層2上的鏤空區域形成防偽標識或者文字，并在鏤空區域形成通孔4，可以讓消費者通過肉眼識別，增強了此類防偽膜的防偽外觀特征，此局部全息層的防偽膜和微孔防偽方法結合，增強了此類防偽膜的防偽力度和防偽唯一性。作為本發明優選的實施方式，局部全息層包括印刷油墨封框與全息圖案(圖中未示)，所述全息圖案設置于印刷油墨封框內。作為本發明優選的實施方式，通孔4通過高能粒子輻照及蝕刻工藝形成。作為本發明優選的實施方式，通孔4的直徑為0.1 10 μ m。作為本發明優選的實施方式，塑料薄膜層3為PET薄膜層。此局部全息微孔防偽膜在PET薄膜層上加載局部全息信息，同時定位印刷熱熔膠層1，使得有熱熔膠層區域覆蓋局部全息圖案，經輻照、蝕刻等工序，形成無熱熔膠區域產生通孔4，有熱熔膠層I的區域被保護，局部全息圖案保留。與原有的微孔膜不同之處是，體現的是無微孔的區域有局部全息圖案，局部全息圖案設置于印刷油墨的封框內，且有熱熔膠層I保護。當然，本發明創造并不局限于上述實施方式，熟悉本領域的技術人員在不違背本發明精神的前提下還可做出等同變形或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內。
權利要求
1.一種局部全息微孔防偽膜，其特征在于:包括熱熔膠層，局部全息層，塑料薄膜層和通孔，所述塑料薄膜層上加載有局部全息層，所述局部全息層上設有若干鏤空區域，所述局部全息層上的鏤空區域處形成通孔，所述局部全息層上涂設有熱熔膠層。
2.根據權利要求1所述的局部全息微孔防偽膜，其特征在于:所述局部全息層包括印刷油墨封框與全息圖案，所述全息圖案設置于印刷油墨封框內。
3.根據權利要求1所述的局部全息微孔防偽膜，其特征在于:所述通孔通過高能粒子輻照及蝕刻工藝形成。
4.根據權利要求1或3所述的局部全息微孔防偽膜，其特征在于:所述通孔的直徑為0.1 10 μ m。
5.根據權利要求1所述的局部全息微孔防偽膜，其特征在于:所述塑料薄膜層為PET薄膜層。
全文摘要
本發明公開了一種局部全息微孔防偽膜，包括熱熔膠層，局部全息層，塑料薄膜層和通孔，塑料薄膜層上加載有局部全息層，局部全息層上設有若干鏤空區域，局部全息層上的鏤空區域處形成通孔，局部全息層上涂設有熱熔膠層。此局部全息微孔防偽膜通過在塑料薄膜層上鍍上局部全息層，該局部全息層上的鏤空區域形成防偽標識或者文字，并在鏤空區域形成通孔，可以讓消費者通過肉眼識別，增強了此類防偽膜的防偽外觀特征，此局部全息層的防偽膜和微孔防偽方法結合，增強了此類防偽膜的防偽力度和防偽唯一性，此發明用于防偽膜領域。
文檔編號G09F3/02GK103106842SQ20121058819
公開日2013年5月15日 申請日期2012年12月29日 優先權日2012年12月29日
發明者崔清臣, 陵紅旗, 黃海龍 申請人:中山國安火炬科技發展有限公司