本發明與顯示裝置有關，尤其是關于一種應用于液晶顯示裝置的驅動電路。

背景技術：

請參照圖1，圖1為傳統上應用于液晶顯示裝置的驅動電路的示意圖。如圖1所示，驅動電路1包含第一通道CH1及第二通道CH2。其中，第一通道CH1包含鎖存單元10A及11A、位準移位單元12A、數字模擬轉換單元13A及運算放大單元14A；第二通道CH2包含鎖存單元10B及11B、位準移位單元12B、數字模擬轉換單元13B及運算放大單元14B。鎖存單元10A與10B的輸入端分別耦接至移位暫存器SR的兩輸出端。

晶體管開關SW1耦接至運算放大單元14A的輸出端與一正電壓(3V)之間。晶體管開關SW1的閘極分別耦接開關PSW1及PSW2，其中開關PSW1耦接至另一正電壓(6V)且開關PSW2耦接至數字模擬轉換單元13A與運算放大單元14A之間。當數字模擬轉換單元13A輸入至運算放大單元14A的輸入電壓大于該正電壓3V時，開關PSW1會開啟且開關PSW2會關閉。反之，則開關PSW2會開啟且開關PSW1會關閉。

同理，晶體管開關SW2耦接至運算放大單元14B的輸出端與一負電壓(-3V)之間。晶體管開關SW2的閘極分別耦接開關PSW3及PSW4，其中開關PSW3耦接至另一負電壓(-6V)且開關PSW2耦接至數字模擬轉換單元13B與運算放大單元14B之間。當數字模擬轉換單元13B輸入至運算放大單元14B的輸入電壓的絕對值大于3V時，開關PSW3會開啟且開關PSW4會關閉。反之，則開關PSW4會開啟且開關PSW3會關閉。

采用此驅動電路架構的省電機制在于：一般放大器OP驅動數據時須全程采用具有AVDD或NAVDD電位的電壓源充電至目標電位，但此電路架構將其改為前半段先利用具有VCI或NVCI電位的電壓源預充電至某一特定電位后，再由具有AVDD或NAVDD電位的電壓源接續充電至目標電位。

由此，假設AVDD＝2*VCI且NAVDD＝2*NVCI，則在驅動具有AVDD或NAVDD電位的電壓源進行充電之前，可有效節省大約一半的耗電量。

然而，采用此驅動電路架構亦存在下列缺點：

(1)當數據值歸零時，在數據線電容上的儲存電荷并未被搜集。

(2)采用數據的最高有效位元(MSB)值搭配預充電至VCI或NVCI電位，可能會有過充電的現象產生，如此反而會造成多余功耗。

技術實現要素：

有鑒于此，本發明提出一種應用于液晶顯示裝置的驅動電路，以有效解決現有技術所遭遇到的上述種種問題。

根據本發明的一具體實施例為一種驅動電路。于此實施例中，驅動電路應用于液晶顯示裝置。驅動電路包含第一通道數據線、第一參考電壓產生單元、第一外部儲存電容、第一比較單元、第一開關單元及第一運算單元。第一通道數據線用以傳輸一第一數據。第一參考電壓產生單元用以產生一第一參考電壓。第一外部儲存電容的一端耦接至接地端。第一比較單元的兩輸入端分別耦接第一參考電壓產生單元及第一外部儲存電容的另一端，并分別接收第一參考電壓及第一電容電壓，且由其輸出端輸出一第一比較結果。第一開關單元分別耦接第一外部儲存電容的另一端及第一通道數據線。第一運算單元分別耦接第一比較單元的輸出端、第一通道數據線及第一開關單元。第一運算單元分別接收第一比較結果及第一數據的最高有效位元(MSB)值進行運算，并根據運算結果選擇性地開啟第一開關單元。

于一實施例中，第一參考電壓產生單元包含多個電阻器，且該多個電阻器彼此串聯于一第一電壓VGMP與一第二電壓VGSP之間以提供該第一參考電壓。

于一實施例中，第一電壓大于該第二電壓，該第一參考電壓為正電壓。

于一實施例中，第一通道數據線所傳輸的該第一數據具有正電壓。

于一實施例中，驅動電路進一步包含第一判斷單元，耦接該第一通道數據線，用以判斷該第一數據的一第一電位屬于偏高電位或偏低電位。

于一實施例中，當該第一數據欲從該第一電位放電至零電位時，若該第一判斷單元判定該第一電位屬于偏高電位，且該第一比較結果為該第一電容電壓低于該第一參考電壓，則該第一運算單元開啟該第一開關單元，使該第一通道數據線上的電荷儲存至該第一外部儲存電容；若該第一判斷單元判定該第一電位屬于偏低電位，則該第一運算單元不開啟該第一開關單元，以避免儲存于該第一外部儲存電容的電荷倒灌回該第一通道數據線。

于一實施例中，當該第一數據欲從零電位充電至一第一設定電位時，若該第一判斷單元判定該第一電位屬于偏高電位，且該第一比較結果為該第一電容電壓高于該第一參考電壓，則該第一運算單元開啟該第一開關單元，使儲存于該第一外部儲存電容的電荷預充至該第一通道數據線；若該第一判斷單元判定該第一電位屬于偏低電位，則該第一運算單元不開啟該第一開關單元，以避免該第一通道數據線被過充。

于一實施例中，驅動電路進一步包含第二通道數據線、第二參考電壓產生單元、第二外部儲存電容、第二比較單元、第二開關單元及第二運算單元。第二通道數據線用以傳輸一第二數據。第二參考電壓產生單元用以產生一第二參考電壓。第二外部儲存電容的一端耦接至接地端。第二比較單元的兩輸入端分別耦接第二參考電壓產生單元及第二外部儲存電容的另一端并分別接收第二參考電壓及第二電容電壓，且由其輸出端輸出一第二比較結果。第二開關單元分別耦接第二外部儲存電容的另一端及第二通道數據線的輸出端。第二運算單元分別耦接第二比較單元的輸出端、第二通道數據線及第二開關單元。第二運算單元分別接收第二比較結果及第二數據的最高有效位元(MSB)值進行運算，并根據運算結果選擇性地開啟第二開關單元。

于一實施例中，第一參考電壓產生單元包含多個電阻器，且該多個電阻器彼此串聯于第三電壓與第四電壓之間以提供第二參考電壓。

于一實施例中，第三電壓小于第四電壓，第二參考電壓為負電壓。

于一實施例中，第二通道數據線所傳輸的第二數據具有負電壓。

于一實施例中，驅動電路進一步包含第二判斷單元，耦接第二通道數據線，用以判斷第二數據的第二電位屬于偏高電位或偏低電位。

于一實施例中，當第二數據欲從第二電位充電至零電位時，若第二判斷單元判定第二電位屬于偏低電位，且第二比較結果為第二電容電壓高于第二參考電壓，則第二運算單元開啟第二開關單元，使儲存于第二外部儲存電容的電荷預充至第二通道數據線；若第二判斷單元判定第二電位屬于偏高電位，則第二運算單元不開啟第二開關單元，以避免第二通道數據線被過充。

于一實施例中，當第二數據欲從零電位放電至第二設定電位時，若第二判斷單元判定第二電位屬于偏低電位，且第二比較結果為第二電容電壓低于第二參考電壓，則第二運算單元開啟第二開關單元，使第二通道數據線上的電荷儲存至第二外部儲存電容；若第二判斷單元判定第二電位屬于偏高電位，則第二運算單元不開啟第二開關單元，以避免儲存于第二外部儲存電容的電荷倒灌回第二通道數據線。

相較于現有技術，本發明所提出的應用于液晶顯示裝置的驅動電路通過搜集面板上的數據線電容的放電電荷的方式，將其用于下次再對數據線電容充電時能預充電至某一特定電位，再通過OP放大器接續充電至目標電位，以節省功耗。此外，本發明所提出的應用于液晶顯示裝置的驅動電路通過比較器偵測外部電容電壓的結果來決定是否開啟預充電的路徑開關，并且預充電來源是一被動元件電容，可有效避免數據線電容出現過充電的現象。

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明具體實施方式及所附附圖得到進一步的了解。

附圖說明

圖1為傳統上應用于液晶顯示裝置的驅動電路的示意圖。

圖2為根據本發明的一較佳具體實施例的應用于液晶顯示裝置的驅動電路的示意圖。

圖3A至圖3E分別為圖2中的各個信號的電位時序圖。

主要組件符號說明

2 驅動電路

CH1～CH2 第一通道～第二通道

20A、21A、20B、21B 鎖存單元

22A、22B 位準移位單元

23A、23B 數字模擬轉換單元

24A、24B 運算放大單元

DL1～DL2 第一通道數據線～第二通道數據線

SR 移位暫存器

SW3～SW4、SWHZ1～SWHZ2 開關

GND 接地端

RVG1～RVG2 第一參考電壓產生單元～第二參考電壓產生單元

ESC1～ESC2 第一外部儲存電容～第二外部儲存電容

CMP1～CMP2 第一比較單元～第二比較單元

SW1～SW2 第一開關單元～第二開關單元

OU1～OU2 第一運算單元～第二運算單元

AD1～AD2 第一判斷單元～第二判斷單元

VREF1～VREF2 第一參考電壓～第二參考電壓

VC1～VC2 第一電容電壓～第二電容電壓

SCP1～SCP2 第一比較結果～第二比較結果

SNF1～SNF2 第一開關控制信號～第二開關控制信號

MSB1 第一數據的最高有效位元值

MSB2 第二數據的最高有效位元值

R1～RN 電阻器

VGMP～VGSP 第一電壓～第二電壓

VGSN～VGMN 第三電壓～第四電壓

DATA1～DATA2 第一數據～第二數據

T1～T8 時間

具體實施方式

根據本發明的一較佳具體實施例為一種驅動電路。于此實施例中，驅動電路應用于液晶顯示裝置。

請參照圖2，圖2為此實施例的應用于液晶顯示裝置的驅動電路的示意圖。

如圖2所示，驅動電路2可包含第一通道CH1及第二通道CH2。其中，第一通道CH1包含鎖存單元20A及21A、位準移位單元22A、數字模擬轉換單元23A及運算放大單元24A，并且鎖存單元20A及21A、位準移位單元22A、數字模擬轉換單元23A及運算放大單元24A通過第一通道數據線DL1依序串接；第二通道CH2包含鎖存單元20B及21B、位準移位單元22B、數字模擬轉換單元23B及運算放大單元24B，并且鎖存單元20B及21B、位準移位單元22B、數字模擬轉換單元23B及運算放大單元24B通過第二通道數據線DL2依序串接。

第一通道CH1的鎖存單元20A的輸入端與第二通道CH2的鎖存單元20B的輸入端分別耦接至移位暫存器SR的兩輸出端。第一通道CH1的運算放大單元24A的輸出端與第二通道CH2的運算放大單元24B的輸出端之間串接有兩開關SW3及SW4，并且兩開關SW3及SW4之間耦接至接地端GND。

需說明的是，假設第一通道CH1為正電壓通道且第二通道CH2為負電壓通道，則第一通道數據線DL1所傳輸的第一數據DATA1具有正電壓且第二通道數據線DL2所傳輸的第二數據DATA2具有負電壓；位準移位單元22A、數字模擬轉換單元23A及運算放大單元24A分別為P型位準移位器、P型數字模擬轉換器及P型運算放大器且位準移位單元22B、數字模擬轉換單元23B及運算放大單元24B分別為N型位準移位器、N型數字模擬轉換器及N型運算放大器。

于此實施例中，驅動電路2還包含第一參考電壓產生單元RVG1、第一外部儲存電容ESC1、第一比較單元CMP1、第一開關單元SW1、第一運算單元OU1及第一判斷單元AD1。第一通道數據線DL1用以傳輸一第一數據DATA1。第一參考電壓產生單元RVG1用以產生一第一參考電壓VREF1。第一外部儲存電容ESC1的一端耦接至接地端GND。

第一比較單元CMP1的兩輸入端分別耦接第一參考電壓產生單元RVG1及第一外部儲存電容ESC1的另一端，并分別接收第一參考電壓VREF1及第一電容電壓VC1，且由其輸出端輸出一第一比較結果SCP1。

第一開關單元SW1分別耦接第一外部儲存電容ESC1的另一端、運算放大單元24A的輸出端及第一運算單元OU1的輸出端。于實際應用中，第一開關單元SW1為P型晶體管開關，但不以此為限。此外，在第一開關單元SW1與第一運算單元OU1的輸出端之間可設置一開關SWHZ1。

第一判斷單元AD1耦接鎖存單元21A，用以判斷儲存于鎖存單元21A內的第一數據DATA1的第一電位屬于偏高電位或偏低電位。

第一運算單元OU1分別耦接第一比較單元CMP1的輸出端、第一判斷單元AD1及第一開關單元SW1的閘極。第一運算單元OU1分別接收第一比較結果SCP1及第一數據DATA1的最高有效位元值MSB1進行運算，并根據運算結果選擇性地輸出第一開關控制信號SNF1至第一開關單元SW1，以開啟第一開關單元SW1。

同理，驅動電路2還包含第二參考電壓產生單元RVG2、第二外部儲存電容ESC2、第二比較單元CMP2、第二開關單元SW2、第二運算單元OU2及第二判斷單元AD2。第二通道數據線DL2用以傳輸一第二數據DATA2。第二參考電壓產生單元RVG2用以產生一第二參考電壓VREF2。第二外部儲存電容ESC2的一端耦接至接地端GND。

第二比較單元CMP2的兩輸入端分別耦接第二參考電壓產生單元RVG2及第二外部儲存電容ESC2的另一端并分別接收第二參考電壓VREF2及第二電容電壓VC2，且由其輸出端輸出一第二比較結果SCP2。

第二開關單元SW2分別耦接第二外部儲存電容ESC2的另一端、運算放大單元24B的輸出端及第二運算單元OU2的輸出端。于實際應用中，第二開關單元SW2為N型晶體管開關，但不以此為限。此外，在第二開關單元SW2與第二開關單元SW2的輸出端之間可設置一開關SWHZ2。

第二判斷單元AD2耦接鎖存單元21B，用以判斷儲存于鎖存單元21B內的第二數據DATA2的第二電位屬于偏高電位或偏低電位。

第二運算單元OU2分別耦接第二比較單元CMP2的輸出端、第二判斷單元AD2及第二開關單元SW2的閘極。第二運算單元OU2分別接收第二比較結果SCP2及第二數據DATA2的最高有效位元值MSB2進行運算，并根據運算結果選擇性地輸出第二開關控制信號SNF2至第二開關單元SW2，以開啟第二開關單元SW2。

于一實施例中，第一參考電壓產生單元RVG1可包含N個電阻器R1～RN，且該N個電阻器R1～RN彼此串聯于第一電壓VGMP與第二電壓VGSP之間，以提供第一參考電壓VREF1。其中，第一電壓VGMP大于第二電壓VGSP，并且第一參考電壓VREF1為正電壓，N為正整數。

首先，將就放電過程中通過儲存電容儲存數據線電荷的部分進行說明。

當第一數據DATA1欲從第一電位放電至零電位時，第一判斷單元AD1會判斷第一電位屬于偏高電位或偏低電位。若第一判斷單元AD1判定第一電位屬于偏高電位，且第一比較單元CMP1的第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1低于第一參考電壓VREF1，則第一運算單元OU1將會開啟第一開關單元SW1，使第一通道數據線DL1上的電荷能夠被儲存至第一外部儲存電容ESC1；若第一判斷單元AD1判定第一電位屬于偏低電位，則第一運算單元OU1將不會開啟第一開關單元SW1，以避免儲存于第一外部儲存電容ESC1的電荷倒灌回第一通道數據線DL1。

由上述可知：在放電過程中，只有在第一電位屬于偏高電位的條件以及第一電容電壓VC1低于第一參考電壓VREF1的條件均符合的情況下，第一開關單元SW1才會被開啟，使得第一通道數據線DL1上的電荷能夠順利地被儲存至第一外部儲存電容ESC1，而不會有電荷倒灌回第一通道數據線DL1的情事發生。

接著，將就充電過程中以儲存電容所儲存的數據線電荷對數據線進行預充電的部分進行說明。

當第一數據DATA1欲從零電位充電至第一設定電位時，若第一判斷單元AD1會判斷第一電位屬于偏高電位或偏低電位。若第一判斷單元AD1判定第一電位屬于偏高電位，且第一比較單元CMP1的第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1，則第一運算單元OU1將會開啟第一開關單元SW1，使儲存于第一外部儲存電容ESC1的電荷能夠對第一通道數據線DL1進行預充電；若第一判斷單元AD1判定第一電位屬于偏低電位，則第一運算單元OU1將不會開啟第一開關單元SW1，故可避免第一通道數據線DL1被過度充電。

由上述可知：在充電過程中，只有在第一電位屬于偏高電位的條件以及第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1的條件均符合的情況下，第一開關單元SW1才會被開啟，使得儲存于第一外部儲存電容ESC1的電荷能夠順利地對第一通道數據線DL1進行預充電，而不會有第一通道數據線DL1被過度充電的情事發生。

同理，第二參考電壓產生單元RVG2可包含N個電阻器R1～RN，且該N個電阻器R1～RN彼此串聯于第三電壓VGSN與第四電壓VGMN之間，以提供第二參考電壓VREF2。其中，第三電壓VGSN小于第四電壓VGMN，并且第二參考電壓VREF2為負電壓。

當第二數據DATA2欲從第二電位充電至零電位時，若第二判斷單元AD2判定第二電位屬于偏低電位，且第二比較單元CMP2的第二比較結果SCP2為第二電容電壓VC2高于第二參考電壓VREF2，則第二運算單元OU2將會開啟第二開關單元SW2，使儲存于第二外部儲存電容ESC2的電荷能夠對第二通道數據線DL2進行預充電；若第二判斷單元AD2判定第二電位屬于偏高電位，則第二運算單元OU2將不會開啟第二開關單元SW2，以避免第二通道數據線DL2被過度充電。

當第二數據DATA2欲從零電位放電至第二設定電位時，若第二判斷單元AD2判定第二電位屬于偏低電位，且第二比較單元CMP2的第二比較結果SCP2為第二電容電壓VC2低于第二參考電壓VREF2，則第二運算單元OU2將會開啟第二開關單元SW2，使第二通道數據線DL2上的電荷能夠儲存至第二外部儲存電容ESC2；若第二判斷單元AD2判定第二電位屬于偏高電位，則第二運算單元OU2將不會開啟第二開關單元SW2，以避免儲存于第二外部儲存電容ESC2的電荷發生倒灌回第二通道數據線DL2的情事。

接下來，請參照圖3A至圖3E，圖3A至圖3E分別為圖2中的各個信號的電位時序圖。其中，圖3A為圖2中的開關SWHZ1的控制信號的電位時序圖；圖3B為圖2中的開關SW3的控制信號的電位時序圖；圖3C為圖2中的第一數據DATA1的電位時序圖；圖3D為圖2中的第一比較結果SCP1的電位時序圖；圖3E為圖2中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1的電位時序圖。

于時間T1，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號由原本高電位變為低電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間彼此斷開；圖3B中的開關SW3的控制信號處于低電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線未耦接至接地端GND；圖3C中的第一數據DATA1具有目標高電位并準備要開始進行放電過程；圖3D中的第一比較結果SCP1處于低電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1低于第一參考電壓VREF1；由于第一數據DATA1具有偏高電位且第一電容電壓VC1低于第一參考電壓VREF1，所以圖3E中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1會由原本低電位變為高電位，代表此時第一開關單元SW1會被開啟而導通。

于時間T2，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號維持低電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間維持斷開；圖3B中的開關SW3的控制信號由原本低電位變為高電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線耦接至接地端GND；圖3C中的第一數據DATA1的電位持續下降而不再具有偏高電位，代表正進行由數據線放電至儲存電容的過程；圖3D中的第一比較結果SCP1仍處于低電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1仍低于第一參考電壓VREF1；由于第一數據DATA1不再具有偏高電位，所以圖3E中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1會由原本高電位變為低電位，代表此時第一開關單元SW1會被關閉而不導通。

于時間T3，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號維持低電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間維持斷開；圖3B中的開關SW3的控制信號由原本高電位變為低電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線不耦接至接地端GND；圖3C中的第一數據DATA1的電位持續下降，即將由放電過程轉變為由儲存電容充電至數據線的過程；圖3D中的第一比較結果SCP1由原本低電位變為高電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1；圖3E中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1維持低電位，代表此時第一開關單元SW1仍被關閉而不導通。

于時間T4，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號由原本低電位變為高電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間電性連接；圖3B中的開關SW3的控制信號維持低電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線不耦接至接地端GND；圖3C中的第一數據DATA1的電位下降至目標低電位；圖3D中的第一比較結果SCP1維持高電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1；圖3E中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1維持低電位，代表此時第一開關單元SW1仍被關閉而不導通。

于時間T5，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號由原本高電位變為低電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間彼此斷開；圖3B中的開關SW3的控制信號維持低電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線不耦接至接地端GND；圖3C中的具有目標低電位的第一數據DATA1準備開始放電；圖3D中的第一比較結果SCP1維持高電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1；圖3E中的第一開關單元SW1的控制信號維持低電位，代表此時第一開關單元SW1仍被關閉而不導通。

于時間T6，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號維持低電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間彼此斷開；圖3B中的開關SW3的控制信號由原本低電位變為高電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線耦接至接地端GND；圖3C中的第一數據DATA1的電位持續上升，數據線即將充電至偏高電位；圖3D中的第一比較結果SCP1維持高電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1；圖3E中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1維持低電位，代表此時第一開關單元SW1仍被關閉而不導通。

于時間T7，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號維持低電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間彼此斷開；圖3B中的開關SW3的控制信號由原本高電位變為低電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線不耦接至接地端GND；圖3C中的第一數據DATA1的電位持續上升，數據線被充電而使電位上升至偏高電位；圖3D中的第一比較結果SCP1維持高電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1；圖3E中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1由原本低電位變為高電位，代表此時第一開關單元SW1被開啟而導通。

于時間T8，圖3A中的開關SWHZ1的控制信號由原本低電位變為高電位，代表第一運算單元OU1的輸出端與第一開關單元SW1及面板數據線之間電性連接；圖3B中的開關SW3的控制信號維持低電位，代表第一開關單元SW1及面板數據線不耦接至接地端GND；圖3C中的第一數據DATA1具有目標高電位；圖3D中的第一比較結果SCP1維持高電位，代表第一比較結果SCP1為第一電容電壓VC1高于第一參考電壓VREF1；圖3E中的第一開關單元SW1的第一開關控制信號SNF1由原本高電位變為低電位，代表此時第一開關單元SW1被關閉而不導通。

相較于現有技術，本發明所提出的應用于液晶顯示裝置的驅動電路通過搜集面板上的數據線電容的放電電荷的方式，將其用于下次再對數據線電容充電時能預充電至某一特定電位，再通過OP放大器接續充電至目標電位，以節省功耗。此外，本發明所提出的應用于液晶顯示裝置的驅動電路通過比較器偵測外部電容電壓的結果來決定是否開啟預充電的路徑開關，并且預充電來源是一被動元件電容，可有效避免數據線電容出現過充電的現象。

由以上較佳具體實施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發明的特征與精神，而并非以上述所公開的較佳具體實施例來對本發明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發明所欲申請的權利要求的范疇內。