本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示基板及其驅(qū)動方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)在，以8K液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)為首的大型高分辨率面板，由于這種顯示面板具有負荷值高及充電時間短的優(yōu)點，被應(yīng)用于多種驅(qū)動技術(shù)及顯示技術(shù)中。

通常來說，液晶顯示面板包括顯示基板，如圖1所示，顯示基板與數(shù)據(jù)驅(qū)動IC和柵驅(qū)動IC連接，顯示基板包括多條數(shù)據(jù)線2和多條柵線1，多條數(shù)據(jù)線2與數(shù)據(jù)驅(qū)動IC連接，數(shù)據(jù)驅(qū)動IC向數(shù)據(jù)線2輸入數(shù)據(jù)信號，每條數(shù)據(jù)線2與數(shù)據(jù)驅(qū)動IC連接的一端稱為信號輸入端；多條柵線1與柵驅(qū)動IC連接，柵驅(qū)動IC向柵線1輸入柵信號；柵線1與數(shù)據(jù)線2限定出多個像素單元3，每個像素單元3包括開關(guān)晶體管和與開關(guān)晶體管連接的像素電極(圖中未示出)，柵線1用于根據(jù)柵信號控制開關(guān)晶體管的開啟和關(guān)閉，柵信號先輸入至柵線1st，再逐條輸入至柵線2nd～n-th，即顯示基板由上到下依次向掃描方向驅(qū)動，以掃描頻率為60hz為例，每幀時間為1/60sec＝16.7ms；數(shù)據(jù)線2用于在開關(guān)晶體管開啟時，將數(shù)據(jù)信號輸入至像素電極，以對像素電極充電。

但由于每條數(shù)據(jù)線上連接的像素單元較多，靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中的像素電極的充電時間大于遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中的像素電極的充電時間，導(dǎo)致遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中的像素電極的充電率小于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中的像素電極的充電率。如圖2所示，靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中的像素電極的充電率為100％，遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中的像素電極的充電率為56％，位于數(shù)據(jù)線中間位置的像素單元中的像素電極的充電率為70％。可見，隨著像素單元與數(shù)據(jù)線的信號輸入端的距離的增長，該像素單元中的像素電極的充電率下降。

為了解決這一問題，如圖3和圖4所示，現(xiàn)有的一種技術(shù)方案是增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，使增加后的數(shù)據(jù)線的數(shù)量是原來的兩倍，以由兩條數(shù)據(jù)線控制原來一條數(shù)據(jù)線控制的像素單元，因此，每條數(shù)據(jù)線所控制的像素單元的數(shù)量即可減少一半，從而增加遠離每條數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間(由Th變?yōu)?×Th)，以此解決因充電時間不足導(dǎo)致的遠離每條數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率低的問題。但由于數(shù)據(jù)線的數(shù)量增加，會導(dǎo)致產(chǎn)品生產(chǎn)力的減弱以及產(chǎn)品價格的上升。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種能夠增加遠離每條數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率且避免產(chǎn)品生產(chǎn)力減弱和產(chǎn)品價格上升的顯示基板及其驅(qū)動方法、顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板的驅(qū)動方法，所述顯示基板包括多條數(shù)據(jù)線和多條柵線，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線限定出多個像素單元，每個像素單元包括開關(guān)晶體管和與開關(guān)晶體管連接的像素電極，所述驅(qū)動方法包括：

向所述柵線輸入柵信號，以使所述柵線控制的像素單元的開關(guān)晶體管開啟；

根據(jù)驅(qū)動信號，向所述數(shù)據(jù)線輸入數(shù)據(jù)信號，以使所述數(shù)據(jù)線通過所述開關(guān)晶體管將所述數(shù)據(jù)信號輸出至所述像素電極；

其中，遠離所述數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近所述數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間。

其中，用驅(qū)動信號控制所述數(shù)據(jù)信號輸出到所述像素電極的起始時間，所述驅(qū)動信號包括多個周期，所述周期的數(shù)量與所述像素單元的行數(shù)相同，且每個周期與每一行像素單元一一對應(yīng)；

從輸出至靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極對應(yīng)的驅(qū)動信號至遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極對應(yīng)的驅(qū)動信號的周期的時長逐漸增大。

其中，從輸出至靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的所述驅(qū)動信號至遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期的時長按線性關(guān)系增大。

其中，每個所述驅(qū)動信號的周期先后包括一個低電平時長和一個高電平時長，所述數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號在所述驅(qū)動信號為低電平開始的時刻對所述像素電極進行充電。

其中，靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的所述驅(qū)動信號的周期中的低電平時長小于遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期中的低電平時長。

其中，靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的所述驅(qū)動信號的周期中的高電平時長與遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期中的高電平時長相同。

其中，每個柵線對應(yīng)的所述驅(qū)動信號的周期的時長之和小于等于每幀子信號的時長。

其中，所述柵信號為高電平時，與輸出所述柵信號的柵線對應(yīng)的所述像素單元中的所述薄膜晶體管開啟；所述柵信號為低電平時，與輸出所述柵信號的柵線對應(yīng)的所述像素單元的薄膜晶體管關(guān)閉，所述數(shù)據(jù)信號充電結(jié)束；

所述充電時間為所述柵信號為高電平且所述驅(qū)動信號為低電平的時刻與所述柵信號降為低電平的時刻之間的時間差。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示基板，采用上述任意一項所述的顯示基板的驅(qū)動方法進行驅(qū)動。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示基板。

本發(fā)明的顯示基板及其驅(qū)動方法、顯示裝置中，該顯示基板的驅(qū)動方法，包括：向柵線輸入柵信號，以使柵線控制的像素單元的開關(guān)晶體管開啟；根據(jù)驅(qū)動信號，向數(shù)據(jù)線輸入數(shù)據(jù)信號，以使數(shù)據(jù)線通過開關(guān)晶體管將數(shù)據(jù)信號輸出至像素電極；通過控制像電極的充電時間，使遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間，以增加遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，同時，能夠避免增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而避免產(chǎn)品的生產(chǎn)力減弱以及產(chǎn)品價格上升的問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的顯示基板的像素電極充電情況；

圖3為現(xiàn)有的另一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3的顯示基板的像素電極充電情況；

圖5為本發(fā)明的實施例1的顯示基板的驅(qū)動方法的流程示意圖；

圖6為本發(fā)明的實施例1的顯示基板的驅(qū)動方法的示意圖；

其中，附圖標記為：1、柵線；2、數(shù)據(jù)線；3、像素單元。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

實施例1：

請參照圖5和圖6，本實施例提供一種顯示基板的驅(qū)動方法，顯示基板包括多條數(shù)據(jù)線和多條柵線1，柵線與數(shù)據(jù)線限定出多個像素單元，每個像素單元包括開關(guān)晶體管和與開關(guān)晶體管連接的像素電極。其中，顯示基板與數(shù)據(jù)驅(qū)動IC和柵驅(qū)動IC連接。

本實施例的顯示基板的驅(qū)動方法包括：

步驟101，向柵線輸入柵信號，以使柵線控制的像素單元的開關(guān)晶體管開啟。

此步驟由柵驅(qū)動IC執(zhí)行，即柵驅(qū)動IC向柵線輸入柵信號。即，柵驅(qū)動IC依次向每行柵線輸出柵信號，使柵信號先輸入至靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中，再依次輸入遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素單元中，即顯示基板的柵線由上到下依次掃描。

步驟102，根據(jù)驅(qū)動信號，向數(shù)據(jù)線輸入數(shù)據(jù)信號，以使數(shù)據(jù)線通過開關(guān)晶體管將數(shù)據(jù)信號輸出至像素電極。

具體地，數(shù)據(jù)驅(qū)動IC向數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號，數(shù)據(jù)驅(qū)動IC產(chǎn)生驅(qū)動信號，根據(jù)驅(qū)動信號對輸入至像素單元的數(shù)據(jù)信號進行控制，以使數(shù)據(jù)信號在適當?shù)臅r候?qū)ο袼仉姌O進行充電。

其中，遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間。

需要說明的是，充電時間是指數(shù)據(jù)信號輸入至像素單元的時間。之所以如此設(shè)置，是由于通過控制像電極的充電時間，使遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間，可以增加遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，同時，能夠避免增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而避免產(chǎn)品的生產(chǎn)力減弱以及產(chǎn)品價格上升的問題。

其中，用驅(qū)動信號控制數(shù)據(jù)信號輸出到像素電極的起始時間，驅(qū)動信號包括多個周期，周期的數(shù)量與像素單元的行數(shù)相同，且每個周期與每一行像素單元一一對應(yīng)；從輸出至靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極對應(yīng)的驅(qū)動信號至遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極對應(yīng)的驅(qū)動信號的周期的時長逐漸增大。

請參照圖6，輸出至靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期為Th1，輸出至遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期為Th3，輸出至位于數(shù)據(jù)線中間位置的像素電極的驅(qū)動信號的周期為Th2，可以看出，Th3＞Th2＞Th1，通過增長遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期的時長，可以增加遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，從而使同一數(shù)據(jù)線控制下的多個像素單元中的像素電極的充電率相同，充電率98％。

當然，充電率并不局限于98％，可根據(jù)實際情況調(diào)節(jié)充電時間，以控制像素電極的充電率，在此不再贅述。

優(yōu)選地，從輸出至靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號至遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期的時長按線性關(guān)系增大。

當然，從輸出至靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號至遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期的時長還可以按照其他函數(shù)關(guān)系增大，在此不再贅述。

其中，每個驅(qū)動信號的周期先后包括一個低電平時長和一個高電平時長，數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號在驅(qū)動信號為低電平開始的時刻對像素電極進行充電。

從圖6中可以看出，每個驅(qū)動信號的周期包括一個低電平時長和一個高電平時長，每個驅(qū)動信號的周期以低電平開始并以高電平結(jié)束，其中，低電平用于控制數(shù)據(jù)線向像素電極輸入數(shù)據(jù)信號，即數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號在驅(qū)動信號為低電平開始的時刻對像素電極進行充電。也就是說，當柵信號將像素單元的開關(guān)晶體管開啟后，當驅(qū)動信號的低電平開始時，數(shù)據(jù)信號即可輸入至像素單元并向像素電極輸入數(shù)據(jù)信號，以對像素電極進行充電；而當柵信號將像素單元的開關(guān)晶體管關(guān)閉后，數(shù)據(jù)信號則無法再輸入至像素單元中，也就停止了向像素電極充電，即柵信號為高電平且驅(qū)動信號為低電平時，數(shù)據(jù)信號開始向像素電極充電，柵信號為低電平時，此時，不論驅(qū)動信號為高電平還是低電平，數(shù)據(jù)信號都停止向像素電極充電。

其中，靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期中的低電平時長小于遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期中的低電平時長。

其中，靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期中的高電平時長與遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的驅(qū)動信號的周期中的高電平時長相同。

從圖6中可以看出，周期Th1、周期Th2和周期Th3中的高電平時長是相等的，但周期Th3中的低電平時長大于周期Th2中的低電平時長，且周期Th2中的低電平時長大于周期Th1中的低電平時長，即周期Th1的總時長小于周期Th2的總時長，周期Th2的總時長小于周期Th3的總時長，因此，越是遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極，其充電時間越長，從而使遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率與靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率相同。

采用上述控制充電時間的方式提高遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，不需要多設(shè)置一倍數(shù)量的數(shù)據(jù)線，因此，能夠有效避免產(chǎn)品的生產(chǎn)力減弱以及產(chǎn)品價格上升的問題。

其中，數(shù)據(jù)信號包括多幀子信號，每幀子信號的時長為柵線的掃描信號的頻率的倒數(shù)。

具體地，以掃描信號的頻率為60hz為例，每幀子信號的時長為1/60sec＝16.7ms。當然，掃描信號的頻率需要根據(jù)實際情況進行設(shè)置，因此，每幀子信號的時長也會隨之改變，在此不再贅述。

其中，每個柵線對應(yīng)的驅(qū)動信號的周期的時長之和小于等于每幀子信號的時長。也就是說，每幀子信號的時長內(nèi)包括多個驅(qū)動信號的周期的時長。

其中，柵信號為高電平時，與輸出柵信號的柵線對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管開啟；柵信號為低電平時，與輸出柵信號的柵線對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號充電結(jié)束；

充電時間為柵信號為高電平且驅(qū)動信號為低電平的時刻與柵信號降為低電平的時刻之間的時間差。

本實施例的顯示基板的驅(qū)動方法，包括：向柵線輸入柵信號，以使柵線控制的像素單元的開關(guān)晶體管開啟；根據(jù)驅(qū)動信號，向數(shù)據(jù)線輸入數(shù)據(jù)信號，以使數(shù)據(jù)線通過開關(guān)晶體管將數(shù)據(jù)信號輸出至像素電極；通過控制像電極的充電時間，使遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間，以增加遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，同時，能夠避免增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而避免產(chǎn)品的生產(chǎn)力減弱以及產(chǎn)品價格上升的問題。

實施例2：

本實施例提供一種顯示基板，采用實施例1的顯示基板的驅(qū)動方法進行驅(qū)動。

本實施例的顯示基板，通過控制像電極的充電時間，使遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間，以增加遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，同時，能夠避免增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而避免產(chǎn)品的生產(chǎn)力減弱以及產(chǎn)品價格上升的問題。

實施例3：

本實施例提供一種顯示面板，包括實施例2的顯示基板。

本實施例的顯示面板，通過控制像電極的充電時間，使遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間，以增加遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，同時，能夠避免增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而避免產(chǎn)品的生產(chǎn)力減弱以及產(chǎn)品價格上升的問題。

實施例4：

本實施例提供了一種顯示裝置，其包括實施例3的顯示面板。顯示裝置可以為：電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本實施例的顯示裝置，通過控制像電極的充電時間，使遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間大于靠近數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電時間，以增加遠離數(shù)據(jù)線的信號輸入端的像素電極的充電率，同時，能夠避免增加數(shù)據(jù)線的數(shù)量，從而避免產(chǎn)品的生產(chǎn)力減弱以及產(chǎn)品價格上升的問題。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。