本發明涉及液晶顯示裝置。更具體而言，涉及能夠進行低頻驅動的液晶顯示裝置。
背景技術：
：近年來，FPD(FlatPanelDisplay：平板顯示器)那樣的能夠實現小型化和輕量化的顯示裝置的高性能化進一步發展，這樣的顯示裝置、例如液晶顯示裝置被搭載在各種電子設備中。特別是在便攜式電子設備中，降低消耗電力成為課題，用于低消耗電力化的開發正在進行。在液晶顯示裝置領域，開發了使用聚合物的取向穩定化技術(PS(PolymerSustained)技術)，例如，公開了一種液晶顯示裝置，其具備液晶單元，該液晶單元包括一對基板和被挾持在該一對基板之間的液晶層，上述一對基板中的至少一個基板具有：電極；在上述電極的液晶層側形成的基底膜；和在上述基底膜的液晶層側形成的對接近的液晶分子進行取向控制的聚合物層，上述基底膜由光活性材料形成，上述聚合物層通過使添加在上述液晶層中的單體聚合而形成，上述液晶層含有分子結構中包括苯環的共軛雙鍵以外的重鍵的液晶分子(例如，參照專利文獻1)。另外，作為液晶顯示裝置用的液晶材料，開發了各種材料(例如，參照專利文獻2和非專利文獻1)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:國際公開第2012/050177號公報專利文獻2:日本特許第5493596號公報非專利文獻非專利文獻1:高津晴義，“液晶材料的開發與工業化(DevelopmentandIndustrializationofLiquidCrystalMaterials)”，DICTechnicalReview，No.11(2005年)，p.29-36，[online]，DIC株式會社，[平成26年(2014年)7月28日檢索]，互聯網<http://www.dic-global.com/ja/r_and_d/review/pdf/dic_r_and_d_2005_review03.pdf>技術實現要素：發明要解決的技術問題通常，在顯示裝置的消耗電力中，由驅動電路消耗的電力占很大比例。另外，驅動電路的消耗電力與其驅動頻率成比例。因此，為了降低顯示裝置的消耗電力，降低顯示裝置的幀頻以使驅動電路的驅動頻率降低是有效的。但是，在使用TFT元件以低頻(在本說明書中，將小于50Hz的頻率作為低頻)驅動液晶顯示裝置的情況下，閃爍(畫面的閃爍)成為問題。通常的中小型的液晶顯示裝置一般以60Hz驅動，這是為了防止閃爍。閃爍的原因主要是：1)液晶顯示裝置的VHR(電壓保持率)低；2)液晶層內存在由撓曲電效應(flexo-electriceffect)導致的極化(以下稱為撓曲電極化(flexo-polarization))。1)VHR低的主要原因是液晶中存在的雜質離子。在以往的液晶顯示裝置中，該雜質離子在液晶層中移動，施加到液晶層的有效電壓降低，作為亮度變化被觀察到。另外，也有由于TFT元件的截止漏電流、即柵極截止時(沒有對TFT元件的柵極電極施加掃描信號時)的TFT元件的漏電流，使得施加到液晶層的電壓降低的情況。圖13為表示液晶顯示裝置的亮度相對于時間的變化的圖表，表示由雜質離子和TFT元件的截止漏電流引起的亮度的變化。如圖13所示，由于雜質離子以及/或者TFT元件的截止漏電流，使得在1幀中亮度發生變化，該亮度變化作為閃爍被看到。2)撓曲電極化與施加到液晶層的電場耦合而使電場的強度變化，因此引起亮度變化。該亮度變化被作為閃爍觀察到。可認為在預傾角高且電極間的液晶取向的非對稱性大的情況、和介電常數各向異性為正的液晶的取向在施加電壓時容易在電極邊緣附近等局部地發生變化的情況下，會發生撓曲電極化。圖14為表示液晶顯示裝置的亮度相對于時間的變化的圖表，表示由撓曲電極化引起的亮度的變化。如圖14所示，由于撓曲電極化，使得在1幀中亮度發生變化，該亮度變化作為閃爍被看到。這些的結果，在使用TFT元件驅動液晶顯示裝置的情況下，與VHR降低相伴的亮度降低和與撓曲電極化相伴的亮度變化作為閃爍被看到。因此，在使液晶顯示裝置的幀頻降低從而使驅動電路的驅動頻率降低的情況下，在抑制閃爍的發生方面尚有改善的余地。此外，專利文獻1所記載的液晶顯示裝置具有使添加到液晶層中的單體聚合而形成的聚合物層，在單體聚合時產生的自由基會作為雜質單體殘留在液晶層中。另外，該自由基會與其它分子反應而產生雜質離子。因此，專利文獻1所記載的液晶顯示裝置也存在上述的改善點。另外，專利文獻1是涉及由施加交流電壓(AC)引起的影像殘留的改善，不是解決低頻驅動時的技術問題。本發明是鑒于上述現狀而做出的，其目的是提供能夠在抑制閃爍的同時降低消耗電力的液晶顯示裝置。用于解決技術問題的手段本發明的一個方式是一種橫向電場方式的液晶顯示裝置，可以上述液晶顯示裝置具備：一對基板；設置在上述一對基板中的至少一個基板上的光取向膜；設置在上述一對基板之間的水平取向型的液晶層；和排列成矩陣狀的多個像素，上述液晶層含有：具有雙環己烷骨架的液晶分子；和具有二氟苯骨架的液晶分子，上述液晶層的介電常數各向異性為負，上述一對基板中的一個基板包括與上述多個像素對應地設置的多個TFT元件，上述多個TFT元件中的各個TFT元件具有包含氧化物半導體的半導體層，上述液晶顯示裝置的幀頻小于50Hz。以下，也將該液晶顯示裝置稱為本發明的顯示裝置。以下對本發明的顯示裝置的優選實施方式進行說明。此外，以下的優選實施方式可以適當相互組合，將以下的2個以上的優選實施方式相互組合而得到的實施方式也是一個優選實施方式。本發明的顯示裝置可以還具備具有LED元件的背光源。上述背光源的亮度可以是可變的。可以上述液晶層通過將含有具有上述雙環己烷骨架的上述液晶分子和具有上述二氟苯骨架的上述液晶分子的液晶材料封入上述一對基板之間而形成，上述液晶材料不含聚合性單體。可以上述液晶層通過向被封入上述一對基板之間的液晶材料照射光而形成，上述液晶材料含有：具有上述雙環己烷骨架的上述液晶分子；具有上述二氟苯骨架的上述液晶分子；和聚合性單體，上述聚合性單體相對于上述液晶材料整體的濃度，在照射上述光之前，小于0.4質量％。本發明的顯示裝置可以還具備設置在上述一對基板之間，將上述液晶層包圍的密封件，上述密封件的寬度大于0.1mm。上述光取向膜可以含有聯間甲苯胺與酸二酐反應而得到的聚酰胺酸和聚酰亞胺中的至少一者。上述酸二酐可以是1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐。上述液晶層的預傾角可以實質上為0。上述光取向膜可以由具有光敏官能團的聚合物形成。上述光敏官能團可以發生選自光異構化反應、光二聚化反應、光交聯反應、光分解反應和光弗利斯重排反應中的至少一種反應。上述聚合物可以含有選自肉桂酸酯骨架、查耳酮骨架、偶氮苯骨架、茋骨架、香豆素骨架、苯酯骨架和環丁烷骨架中的至少一種骨架作為上述光敏官能團。上述氧化物半導體可以是In-Ga-Zn-O類氧化物半導體。上述橫向電場方式可以是IPS方式。上述橫向電場方式可以是FFS方式。發明效果根據本發明，能夠實現能夠在抑制閃爍的發生的同時降低消耗電力的液晶顯示裝置。附圖說明圖1為實施方式1的液晶顯示裝置的平面示意圖。圖2為實施方式1的液晶顯示裝置的平面示意圖，將圖1中由虛線包圍的區域放大表示。圖3為實施方式1的液晶顯示裝置的截面示意圖。圖4為表示實施方式1的液晶顯示裝置的各像素的結構的平面示意圖。圖5為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的平面示意圖。圖6為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的截面示意圖，表示圖5中的A1-A2線截面。圖7為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的平面示意圖。圖8為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的截面示意圖，表示圖7中的B1-B2線截面。圖9為實施方式1的液晶顯示裝置的背光源的截面示意圖。圖10為實施方式1的液晶顯示裝置的背光源的截面示意圖。圖11為比較例1a的液晶面板的截面示意圖，表示與電極狹縫垂直的截面。圖12為實施例1a的液晶面板的截面示意圖，表示與電極狹縫平行的截面(在電極狹縫上切斷而得到的面)。圖13為表示液晶顯示裝置的亮度相對于時間的變化的圖表，表示由雜質離子和TFT元件的截止漏電流引起的亮度的變化。圖14為表示液晶顯示裝置的亮度相對于時間的變化的圖表，表示由撓曲電極化引起的亮度的變化。具體實施方式以下，參照附圖對本發明的實施方式和實施例進行說明，但是本發明并不限定于以下的實施方式和實施例。另外，各實施方式和實施例的構成，在不脫離本發明的主旨的范圍內，可以適當組合，也可以變更。此外，在各附圖中，對發揮同樣功能的部件賦予同一符號。(實施方式1)圖1為實施方式1的液晶顯示裝置的平面示意圖。本實施方式的液晶顯示裝置(液晶面板)1為橫向電場方式的有源矩陣型液晶顯示裝置，如圖1所示，液晶顯示裝置1具有顯示影像(畫面)的顯示區域2。顯示區域2包括排列成矩陣狀的多個像素3。圖2為實施方式1的液晶顯示裝置的平面示意圖，將圖1中由虛線包圍的區域放大表示。圖3為實施方式1的液晶顯示裝置的截面示意圖。如圖2和圖3所示，液晶顯示裝置1具備：一對基板10和30；被夾持在基板10和30之間的水平取向型的液晶層40；設置在基板10和30各自的液晶層40側的表面上的光取向膜11和31；設置在基板10和30各自的與液晶層40相反的一側的表面上的偏光板12和32；以包圍多個像素3、即顯示區域2的方式設置在基板10和30之間的線狀的密封件4；配置在基板10的后方的背光源5；柵極線驅動電路、源極線驅動電路等驅動電路(未圖示)；和時序控制器(TimingController)。圖4為表示實施方式1的液晶顯示裝置的各像素的結構的平面示意圖。基板10為位于背面側(非觀察者側)的陣列基板，具備玻璃基板等透明的絕緣基板。如圖4所示，基板10具備：設置在絕緣基板(未圖示)上的多條柵極線(柵極總線)22；覆蓋柵極線22的柵極絕緣膜(未圖示)；設置在柵極絕緣膜上的多條源極線(源極總線)23；與多個像素3對應地設置的多個TFT元件24；覆蓋這些部件的層間絕緣膜(圖4中未圖示)；以及設置在層間絕緣膜上的像素電極13和共用電極(圖4中未圖示)。像素電極13按每個像素3設置。共用電極可以按每個像素3設置，也可以按每多個像素3設置，還可以以覆蓋全部像素3的方式設置。向共用電極供給所有的像素3共用的信號。像素電極13和共用電極由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等透明導電材料形成。圖5為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的平面示意圖。圖6為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的截面示意圖，表示圖5中的A1-A2線截面。圖5和圖6表示作為橫向電場方式采用IPS(InPlaneSwitching：面內開關)方式的情況。在作為橫向電場方式采用IPS方式的情況下，如圖5所示，像素電極13和共用電極14在各像素3中為彼此的梳齒互相嵌合的一對梳齒電極，具有主干部15和從主干部15延伸出的多條平行的分支部(梳齒)16，彼此的分支部16隔開一定的間隔(間隙)交替地配置。如圖6所示，像素電極13和共用電極14配置在層間絕緣膜17上。當在像素電極13和共用電極14之間施加電壓時，在間隙附近在液晶層40產生與基板10大致平行的電場51。圖7為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的平面示意圖。圖8為表示實施方式1的液晶顯示裝置的電極配置的截面示意圖，表示圖7中的B1-B2線截面。圖7和圖8表示作為橫向電場方式采用FFS(FringeFieldSwitching：邊緣場開關)方式的情況。在作為橫向電場方式采用FFS方式的情況下，如圖7所示，在各像素3中，像素電極和共用電極中的一者為平面狀的電極18，另一者為形成有多條平行的電極狹縫(不形成電極的部分)19的電極20。如圖8所示，平面狀的電極18配置在層間絕緣膜17上，在電極18上設置有絕緣膜21，形成有電極狹縫19的電極20配置在絕緣膜21上。電極20隔著絕緣膜21疊層在電極18上。當在電極18和20、即像素電極13和共用電極14之間施加電壓時，在電極狹縫19附近在液晶層40產生拋物線狀的電場(邊緣電場)52。TFT元件24是開關用有源元件，如圖4所示，按每個像素3，例如設置在柵極線22和源極線23的各個交叉部。各TFT元件24包括：與柵極線22電連接的柵極電極25；柵極絕緣膜；設置在柵極絕緣膜上的半導體層26；用于將半導體層26與源極線23電連接的源極電極27；和用于將半導體層26與像素電極13電連接的漏極電極28。在層間絕緣膜，與各TFT元件24的漏極電極28對應地設置有接觸孔(貫通孔)29，各像素電極13通過對應的接觸孔29，與對應的TFT元件24的漏極電極28電連接。基板30是位于前面側(顯示面側、觀察者側)的對置基板，具備玻璃基板等透明的絕緣基板和設置在絕緣基板的液晶層40側的表面上的黑矩陣。基板30利用密封件4與基板10貼合。在進行彩色顯示的情況下，基板30可以還具備彩色濾光片。此外，在進行彩色顯示的情況下，各像素3包括多種顏色的子像素，各子像素具有與上述的像素3同樣的結構。各像素3的驅動方法，除了驅動頻率小于一般的液晶顯示裝置的驅動頻率(通常為60Hz)以外，與一般的液晶顯示裝置的情況同樣，各柵極線22向與該柵極線22連接的多個TFT元件24供給掃描信號，各源極線23向與該源極線23連接的多個TFT元件24中的柵極電極25被施加有掃描信號的TFT元件24供給顯示信號。掃描信號和顯示信號分別從柵極線驅動電路和源極線驅動電路供給(施加)至各柵極線22和各源極線23。柵極線驅動電路按照規定的順序選擇多條柵極線22并供給掃描信號。此外，柵極線驅動電路和源極線驅動電路等驅動電路的構成可以與一般的液晶顯示裝置中使用的驅動電路的構成相同。液晶顯示裝置1的幀頻小于50Hz，優選為30Hz以下，更優選為20Hz以下，特別優選為5Hz以下。因此，能夠降低液晶顯示裝置1的消耗電力。此外，在本說明書中，幀頻是指在1秒內從源極線23向某個任意的像素3的像素電極13供給電荷的次數。換言之，是指在1秒內，某條任意的柵極線22被選擇從而TFT元件24成為導通狀態的次數。再換言之，是指在1秒內，某條任意的源極線23通過TFT元件24與像素電極13電連接的次數。液晶顯示裝置1的幀頻的下限值沒有特別限定，但優選為0.01Hz以上，更優選為0.1Hz以上，進一步優選為0.5Hz以上。在一般的液晶面板中，按每1幀使對像素電極和共用電極施加的電壓的極性反轉以防止影像殘留的發生。在本實施方式中也是，當使頻率過低時，在按每1幀使對像素電極和共用電極施加的電壓的極性反轉的情況下，正(負)極性的電壓被長時間施加于液晶層40，有可能發生影像殘留。因此，優選在不會發生該影像殘留的程度的時間內使對液晶層40施加的電壓的極性反轉。從這樣的觀點出發，優選設定幀頻的下限值。此外，幀頻能夠通過使用光電二極管和示波器測量透過被驅動的液晶面板的光的亮度的時間變化來測量。另外，幀頻能夠由時序控制器設定為任意的值。各TFT元件24的半導體層26含有氧化物半導體。作為半導體層的材料，在使用a-Si(非晶硅)、多晶硅(例如LTPS(低溫多晶硅))等半導體的情況下，由于TFT元件的截止漏電流，無法保持被供給至像素電極的電荷，會看到閃爍。與此相對，使用氧化物半導體形成的TFT元件24的截止漏電流，比使用a-Si、多晶硅等半導體形成的TFT元件的截止漏電流小。因此，通過使用氧化物半導體作為半導體層26的材料，即使在幀頻小的情況下，也能夠使施加電壓的降低減少，能夠提高VHR，能夠抑制閃爍。作為氧化物半導體，例如可以列舉由化學式InMO3(ZnO)m(m＞0)表示的金屬氧化物。M表示選自Ga、Fe、Ni、Mn和Co中的至少1種金屬元素。例如，M可以僅包含Ga，也可以包含Ga和Ni、Ga和Fe等Ga和Ga以外的上述金屬元素。另外，上述金屬氧化物除了作為M包含的金屬元素以外，作為雜質元素可以含有Fe、Ni、其它過渡金屬元素、或該過渡金屬的氧化物。在上述化學式中，m可以不是整數，在m不是整數的情況下，將作為M含有Ga的氧化物半導體稱為In-Ga-Zn-O類氧化物半導體，將其薄膜也稱為In-Ga-Zn-O類半導體膜。In-Ga-Zn-O類氧化物半導體作為TFT元件24的半導體層26的材料特別優選。通過使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體，能夠特別有效地減小TFT元件24的截止漏電流。此外，作為氧化物半導體，還能夠使用In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類、In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、In-O類、Sn-O類、Zn-O類的金屬氧化物。另外，上述的包含金屬氧化物的半導體層26中也可以含有二氧化硅。橫向電場方式是對液晶層40施加含有與各基板10、30的表面平行的成分(平行成分)的電場(以下也稱為橫向電場)，來控制構成液晶層40的液晶的取向的方式，橫向電場通過向像素電極13和共用電極14之間施加與顯示信號相應的電壓而產生。橫向電場包括上述的IPS方式中的與基板10大致平行的電場51和FFS方式中的拋物線狀的電場52。另一方面，作為控制液晶取向的方式，除了橫向電場方式以外，還存在縱向電場方式。縱向電場方式是對液晶層施加主要含有與各基板的表面垂直的成分(垂直成分)的電場(縱向電場)，來控制構成液晶層的液晶的取向的方式。橫向電場方式與縱向電場驅動相比，能夠形成更大的并聯電容(存儲電容器)。因此，在采用橫向電場方式的本實施方式中，能夠抑制VHR的降低，使得難以看到閃爍。因此，橫向電場方式適合于低頻驅動。此外，并聯電容是指與液晶電容(以液晶作為電介質的電容)并聯地形成的電容。橫向電場方式沒有特別限定，優選為IPS方式或FFS方式。在IPS方式中，如圖5所示，除了分支部(梳齒)16的頂端部以外，梳齒電極(像素電極13和共用電極14)的結構對稱，因此，利用該電極結構的對稱性，能夠消除撓曲電極化。因此，在IPS方式中，能夠減少撓曲電極化，將閃爍抑制在最小限度。因此，IPS方式適合于低頻驅動。另外，當在梳齒電極間施加電壓時，在梳齒電極間形成以絕緣基板作為電介質的并聯電容，因此，IPS方式具有抑制對液晶施加的有效電壓的降低的效果。從這樣的觀點出發，IPS方式也適合于低頻驅動。在FFS方式中，如圖7所示，像素電極13和共用電極14的結構非對稱，因此，容易發生撓曲電極化，FFS方式容易受到與撓曲電極化相伴的亮度變化的影響。因此，從防止閃爍的觀點出發，也可認為FFS方式是不利的。但是，如后所述，在本實施方式中，液晶層40的介電常數各向異性(Δε)不是正的，而是負的，在施加電壓時(驅動時)，液晶分子在與電力線垂直的方向取向。因此，液晶分子能夠在與各基板10、30平行的平面內取向，在FFS方式中也能夠抑制撓曲電極化的發生。另外，在FFS方式中，當在像素電極13和共用電極14之間施加電壓時，在像素電極13和共用電極14之間形成以絕緣膜21作為電介質的大的并聯電容，因此，能夠有效地抑制對液晶施加的有效電壓的降低。因此，利用FFS方式也能夠使得難以看到閃爍，可以說FFS方式適合于低頻驅動。光取向膜11和31以至少覆蓋顯示區域2的整個區域的方式沒有縫隙地形成。各光取向膜11、31能夠使附近的液晶分子在與膜表面大致平行的方向取向。光取向膜11和31作為水平取向膜發揮作用。對光取向膜11和31，作為取向處理實施了光(優選為紫外線，更優選為偏振紫外線)的照射。光的照射與摩擦等接觸處理不同，為非接觸處理，因此，通過使用光取向膜11和31，能夠減少各光取向膜11、31的表面污染的可能性，能夠將雜質向各光取向膜11、31表面的附著抑制在最小限度。因此，能夠抑制由于該雜質而導致VHR的降低。另外，在使用經過摩擦的取向膜的情況下，會某種程度地產生預傾角，使與各基板平行的平面內的液晶取向的對稱性降低，因此，撓曲電極化變大，有可能使閃爍惡化。另一方面，在使用光取向膜11和31的情況下，能夠使預傾角實質上為零，因此，能夠提高與各基板10、30平行的平面內的液晶取向的對稱性。因此，能夠減少撓曲電極化，能夠抑制閃爍。這樣，從減少撓曲電極化的觀點出發，優選液晶層40的預傾角實質上為零(0°)。實質上為零是指0°以上1°以下(優選為0.5°以下，更優選為0.3°以下)。預傾角能夠使用Shintech株式會社(Shintech,Inc.)制造的偏光分析裝置(商品名：OPTIPRO)進行測量。光取向膜11和31的具體材料沒有特別限定，但優選具有光敏官能團的聚合物(以下也稱為光反應性聚合物)。由此，能夠容易地形成光取向膜11和31。光敏官能團是通過光(優選為紫外線，更優選為偏振紫外線)的照射，對光取向膜11和31賦予控制液晶層40中的液晶分子的取向的特性的官能團。光敏官能團沒有特別限定，但優選為發生選自光異構化反應、光二聚化反應、光交聯反應、光分解反應和光弗利斯重排反應中的至少一種反應的基團。由此，能夠容易地使液晶層40的預傾角實質上為零。在光敏官能團發生光異構化反應的情況下，光敏官能團通過光的照射而異構化。例如，通過光的照射，順式異構體(或反式異構體)的光敏官能團經過激發態變化為反式異構體(或順式異構體)的光敏官能團。在光敏官能團發生光二聚化反應的情況下，各自具有光敏官能團的多個聚合物的光敏官能團彼此通過光的照射形成二聚體，多個聚合物通過該二聚體互相連接，形成交聯結構(交聯鍵合結構)。在光敏官能團發生光交聯反應的情況下，多個聚合物通過光的照射而通過來自光敏官能團的結構互相連接，形成交聯結構(交聯鍵合結構)。在光敏官能團發生光分解反應的情況下，光敏官能團通過光的照射而分解。在光敏官能團發生光弗利斯重排反應的情況下，光敏官能團的一部分通過光的照射而重排，形成芳香族羥基酮骨架。另外，作為光敏官能團，優選含有肉桂酸酯骨架、查耳酮骨架、偶氮苯骨架、茋骨架、香豆素骨架、苯酯骨架、環丁烷骨架等骨架的官能團。通過使用這些官能團，能夠容易地使液晶層40的預傾角實質上為零。肉桂酸酯骨架和查耳酮骨架能夠發生光二聚化反應和/或光交聯反應，偶氮苯骨架和茋骨架能夠發生光異構化反應，環丁烷骨架能夠發生光分解反應，苯酯骨架能夠發生光弗利斯重排(變位)反應。作為光反應性聚合物，可以列舉乙烯基聚合物、丙烯酸類聚合物、聚酰亞胺、聚酰胺酸、聚硅氧烷、聚馬來酰亞胺、聚酯、聚酰胺等聚合物。由此，能夠容易地形成光取向膜11和31。另外，本發明人發現：使由下述式(1)表示的聯間甲苯胺(2,2’-二甲基聯苯基-4,4’-二胺)反應而得到的聚酰胺酸和聚酰亞胺具有優異的離子吸附功能。通過在取向劑中添加該聚酰胺酸和/或聚酰亞胺，能夠利用該聚酰胺酸和/或聚酰亞胺捕捉在液晶中浮游的雜質離子，能夠抑制由電場矢量的反轉引起的雜質離子的移動導致的施加電壓的降低。從這樣的觀點出發，光取向膜11和31優選含有通過使聯間甲苯胺與酸二酐反應而得到的聚酰胺酸和聚酰亞胺中的至少一者(以下也稱為離子吸附聚合物)。此外，該聚酰亞胺也可以是將使聯間甲苯胺與酸二酐反應得到的聚酰胺酸完全或部分酰亞胺化而得到的物質。各光取向膜11、13的離子吸附聚合物的含量沒有特別限定，但光反應性聚合物與離子吸附聚合物的重量比優選為光反應性聚合物:離子吸附聚合物＝1:99～80:20，更優選為光反應性聚合物:離子吸附聚合物＝5:95～50:50，進一步優選為光反應性聚合物:離子吸附聚合物＝10:90～30:70。酸二酐只要能與聯間甲苯胺反應就沒有特別限定，優選由下述式(2-1)表示的酸二酐(PMDA)、由下述式(2-2)表示的酸二酐(CBDA)、由下述式(2-3)表示的酸二酐(BPDA)、由下述式(2-4)表示的酸二酐(exoHDA)、由下述式(2-5)表示的酸二酐(BTDA)、由下述式(2-6)表示的酸二酐(TCA)、由下述式(2-7)表示的酸二酐(NDA)等。通過使用這些酸二酐，能夠使光取向膜11和31的電特性良好。此外，這些酸二酐可以單獨使用，也可以2種以上組合使用。其中，優選由上述式(2-2)表示的CBDA(1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐)。由此，能夠使光取向膜11和31的電特性特別良好。液晶層40通過將液晶材料(含有液晶成分的組合物)密封在由密封件4包圍的基板10與基板30的間隙中而形成。液晶層40是呈向列相的層，至少含有具有雙環己烷骨架的液晶分子和具有二氟苯骨架的液晶分子。液晶層40中的這些液晶分子，通過光取向膜11和31的取向限制力，在無施加電壓時，顯示平行取向(水平取向、垂直取向(homeotropicalalignment))，以其長軸與各基板10、30的表面大致平行的方式取向。如上所述，決定VHR的代表性因子是液晶中含有的雜質離子。而且，含有液晶原(mesogen)的極化大的液晶分子的液晶容易引入雜質離子，因此，盡量減少這樣的液晶分子，使用極化小的液晶分子是重要的。本發明人發現：由下述式(3)表示的雙環己烷骨架的極化小，具有雙環己烷骨架的液晶分子與雜質離子的相互作用少，因此，對液晶中的雜質離子的密度降低是有效的。可認為這是因為具有雙環己烷骨架的液晶分子使雜質離子在液晶層中的溶出降低。因此，本實施方式的液晶層40含有具有雙環己烷骨架的液晶分子。由此，能夠降低雜質離子在液晶層40中的可溶性，能夠抑制由雜質離子導致的VHR的降低。具有雙環己烷骨架的液晶分子的該骨架以外的結構沒有特別限定，作為該液晶分子，例如，可以列舉由下述式(4-1)以及非專利文獻1中記載的下述式(4-2)、(4-3)、(4-4)、(4-5)、(4-6)表示的液晶分子。液晶層40中的具有雙環己烷骨架的液晶分子的含量沒有特別限定，具有雙環己烷骨架的液晶分子相對于液晶材料整體，優選混合5～70重量％，更優選混合10～60重量％，進一步優選混合15～50重量％。液晶層40的介電常數各向異性(Δε)不是正的，而是負的。在橫向電場方式中，橫向電場通常除了平行成分以外，還某種程度地含有與各基板10、30的表面垂直的成分(垂直成分)。因此，當液晶層40的介電常數各向異性為正時，在施加電壓時(驅動時)，液晶分子沿電力線取向，因此，液晶取向變形使得液晶分子從基板10立起，這會成為撓曲電極化的原因。另一方面，在液晶層40的介電常數各向異性為負的本實施方式中，在施加電壓時(驅動時)，液晶分子在與電力線垂直的方向取向，因此，能夠在與基板10平行的平面內取向，能夠降低撓曲電極化。這樣，在本實施方式中，使用介電常數各向異性為負的液晶是重要的，但是在專利文獻1中記載的液晶顯示裝置中，液晶的介電常數各向異性的正負沒有特別限定，并沒有認為其重要。液晶層40的介電常數各向異性的具體值沒有特別限定，但在20℃、1kHz的情況下，優選為-1～-12，更優選為-2～-10，進一步優選為-3～-8。當負的介電常數各向異性大時，能夠降低閾值電壓Vth，因此，節省電力，但是液晶的可靠性處于降低的趨勢。當在上述數值范圍時，能夠取得可靠性與閾值電壓的平衡。如上所述，液晶層40含有具有雙環己烷骨架的液晶分子，并且具有負的介電常數各向異性，但是在僅是具有雙環己烷骨架的液晶分子的情況下，難以有效地使液晶層40的介電常數各向異性為負，具有雙環己烷骨架的液晶分子的使用量受到限制。因此，在液晶層40中混合有具有二氟苯骨架的液晶分子。由下述式(5)表示的結構(式中，X和Y表示鹵元素)通常表現出極大的負的介電常數各向異性，在具有這樣的負的介電常數各向異性的結構中，特別優選由下述式(5-1)表示的結構、即二氟苯骨架。該骨架被認為對熱、水分、光的應力具有強的化學穩定性，因此，在抑制VHR的降低方面發揮強的效果，大大地有助于閃爍的改善。另外，當液晶層40含有具有二氟苯骨架的液晶分子時，能夠利用該液晶分子的高可靠性和大的負的介電常數各向異性，在液晶層40中大量地導入具有雙環己烷骨架的液晶分子。而且，能夠利用這些液晶分子的協同效應，有效地降低閃爍。具有由上述式(5-1)表示的結構的液晶分子的該結構以外的結構沒有特別限定，作為優選的例子，可以列舉由下述式(6-1)和非專利文獻1中記載的下述式(6-2)表示的液晶分子。在下述式(6-1)中，R1表示碳原子數1～7的直鏈狀烷基，R2表示碳原子數1～5的直鏈狀烷基或碳原子數1～4的直鏈狀烷氧基。液晶層40中的具有二氟苯骨架的液晶分子的含量沒有特別限定，具有二氟苯骨架的液晶分子相對于液晶材料整體，優選混合1～70重量％，更優選混合2～60重量％，進一步優選混合3～50重量％。此外，作為由上述式(5)表示的結構，還可考慮由下述式(5-2)表示的結構，但該結構對VHR降低的抑制不充分，會看到閃爍。作為具有由上述式(5-2)表示的結構的液晶分子，可列舉由下述式(7)表示的液晶分子。在下述式(7)中，R1表示碳原子數1～7的直鏈狀烷基，R2表示碳原子數1～5的直鏈狀烷基或碳原子數1～4的直鏈狀烷氧基。液晶層40可以含有具有雙環己烷骨架的液晶分子和具有二氟苯骨架的液晶分子以外的成分、例如介電常數各向異性為負的一般的液晶材料。液晶層40優選通過將不含聚合性單體(例如，通過照射紫外線等光而產生自由基并且進行聚合的單體)而含有具有雙環己烷骨架的液晶分子和具有二氟苯骨架的液晶分子的液晶材料封入基板10和30之間而形成。由此，能夠防止由聚合性單體引起的雜質離子的產生，與含有聚合性單體的情況相比，能夠有效地抑制閃爍的發生。液晶層40也可以通過將含有具有雙環己烷骨架的液晶分子、具有二氟苯骨架的液晶分子和聚合性單體(例如，通過照射紫外線等光而產生自由基并且進行聚合的單體)的液晶材料封入基板10和30之間之后，對液晶材料照射光(例如紫外線)而形成，但是在該情況下，優選將聚合性單體的濃度抑制得低。具體而言，聚合性單體相對于液晶材料整體的濃度，在照射光之前，優選小于0.4質量％，更優選為0.3質量％以下，進一步優選為0.1質量％以下。當為0.4質量％以上時，由聚合性單體導致的雜質單體增加，有可能引起VHR的降低。當為0.1質量％以下時，與使用不含聚合性單體的液晶材料的情況相比，能夠實現同等的VHR，并且能夠同等程度地使得看不到閃爍。在液晶材料含有聚合性單體的情況下，聚合性單體的濃度的下限值，只要聚合性單體相對于液晶材料整體的濃度在照射光之前大于0質量％就沒有特別限定。聚合性單體可以通過光的照射而聚合形成聚合物，可以在各光取向膜11、31上和/或液晶層40中存在由聚合性單體形成的聚合物。作為聚合性單體，例如，可以列舉含有具有一種以上的環結構的單官能或多官能的聚合性基團的單體。作為這樣的單體，例如，可列舉下述化學式(8)表示的化合物：P1-Sp1-R2-A1-(Z-A2)n-R1(8)，式中，R1為-R2-Sp1-P1基、氫原子、鹵原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF5基或者碳原子數1～12的直鏈狀或支鏈狀的烷基；P1表示聚合性基團；Sp1表示碳原子數1～6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基或亞烷氧基或者直接鍵合；R1具有的氫原子可以被氟原子或氯原子取代；R1具有的-CH2-基，只要氧原子和硫原子相互不相鄰，可以被-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、-O-COO-基、-OCH2-基、-CH2O-基、-SCH2-基、-CH2S-基、-N(CH3)-基、-N(C2H5)-基、-N(C3H7)-基、-N(C4H9)-基、-CF2O-基、-OCF2-基、-CF2S-基、-SCF2-基、-N(CF3)-基、-CH2CH2-基、-CF2CH2-基、-CH2CF2-基、-CF2CF2-基、-CH＝CH-基、-CF＝CF-基、-C≡C-基、-CH＝CH-COO-基或-OCO-CH＝CH-基取代；R2表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、-O-COO-基、-OCH2-基、-CH2O-基、-SCH2-基、-CH2S-基、-N(CH3)-基、-N(C2H5)-基、-N(C3H7)-基、-N(C4H9)-基、-CF2O-基、-OCF2-基、-CF2S-基、-SCF2-基、-N(CF3)-基、-CH2CH2-基、-CF2CH2-基、-CH2CF2-基、-CF2CF2-基、-CH＝CH-基、-CF＝CF-基、-C≡C-基、-CH＝CH-COO-基、-OCO-CH＝CH-基或直接鍵合；A1和A2相同或者不同，表示1,2-亞苯基、1,3-亞苯基、1,4-亞苯基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-2,6-二基、1,4-亞環己基、1,4-亞環己烯基、1,4-二環[2.2.2]亞辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫化萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基、茚滿-1,3-二基、茚滿-1,5-二基、茚滿-2,5-二基、菲-1,6-二基、菲-1,8-二基、菲-2,7-二基、菲-3,6-二基、蒽-1,5-二基、蒽-1,8-二基、蒽-2,6-二基或蒽-2,7-二基；A1和A2具有的-CH2-基，只要相互不相鄰，可以被-O-基或-S-基取代；A1和A2具有的氫原子可以被氟原子、氯原子、-CN基或者碳原子數1～6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基取代；Z相同或者不同，表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、-O-COO-基、-OCH2-基、-CH2O-基、-SCH2-基、-CH2S-基、-N(CH3)-基、-N(C2H5)-基、-N(C3H7)-基、-N(C4H9)-基、-CF2O-基、-OCF2-基、-CF2S-基、-SCF2-基、-N(CF3)-基、-CH2CH2-基、-CF2CH2-基、-CH2CF2-基、-CF2CF2-基、-CH＝CH-基、-CF＝CF-基、-C≡C-基、-CH＝CH-COO-基、-OCO-CH＝CH-基或者直接鍵合；n為0、1或2。更具體而言，例如可列舉由下述化學式(9-1)～(9-5)表示的任一化合物：式中，P1相同或不同，表示聚合性基團。苯環具有的一部分或全部氫原子可以被鹵原子或者碳原子數1～12的烷基或烷氧基取代。另外，上述碳原子數1～12的烷基或烷氧基具有的一部分或全部氫原子可以被鹵原子取代。作為上述P1，例如可以列舉丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯基、乙烯氧基、丙烯酰氨基或甲基丙烯酰氨基。作為能夠在本實施方式中使用的其它的聚合性單體，例如可以列舉由下述化學式(10-1)～(10-8)表示的任一化合物：式中，R3和R4相同或不同，表示-Sp2-P2基、氫原子、鹵原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF5基或者碳原子數1～12的直鏈狀或支鏈狀的烷基、芳烷基或苯基；R3和R4中的至少一者含有-Sp2-P2基；P2表示聚合性基團；Sp2表示碳原子數1～6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基或亞烷氧基或者直接鍵合；在R3和R4中的至少一者為碳原子數1～12的直鏈狀或者支鏈狀的烷基、芳烷基或苯基時，上述R3和R4中的至少一者具有的氫原子可以被氟原子、氯原子或-Sp2-P2基取代；R1和R2具有的-CH2-基，只要氧原子、硫原子和氮原子相互不相鄰，可以被-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、-O-COO-基、-OCH2-基、-CH2O-基、-SCH2-基、-CH2S-基、-N(CH3)-基、-N(C2H5)-基、-N(C3H7)-基、-N(C4H9)-基、-CF2O-基、-OCF2-基、-CF2S-基、-SCF2-基、-N(CF3)-基、-CH2CH2-基、-CF2CH2-基、-CH2CF2-基、-CF2CF2-基、-CH＝CH-基、-CF＝CF-基、-C≡C-基、-CH＝CH-COO-基或-OCO-CH＝CH-基取代；苯環具有的一部分或全部氫原子可以被鹵原子或者碳原子數1～12的烷基或烷氧基取代，另外，上述碳原子數1～12的烷基或烷氧基具有的一部分或全部氫原子可以被鹵原子取代。作為上述P2，例如可以列舉丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基、乙烯基、乙烯氧基、丙烯酰氨基或甲基丙烯酰氨基。密封件4在抑制空氣中的水分侵入液晶層40的方面起到重要的作用。密封件4的寬度W越大，水分侵入到液晶層40內的概率越減少。侵入到液晶層40內的水分帶有離子，因此，在液晶層40的外緣部使VHR降低。更具體而言，密封件4的寬度W(與長度方向垂直的方向上的密封件4的長度)優選大于0.1mm，更優選為0.2mm以上。當大于0.1mm時，能夠有效地抑制由VHR降低導致的閃爍。當密封件4的寬度W過窄時，有可能得不到制品水平的均勻的顯示品質。這可認為是因為空氣中的水分容易侵入液晶層40，在密封件4周邊導致VHR降低。另一方面，專利文獻1中沒有記載密封件的寬度。此外，密封件4的寬度W的上限值沒有特別限定，但優選為5mm以下，更優選為3mm以下，進一步優選為1mm以下。近年來，為了提高智能手機、平板終端、電視機等的液晶顯示裝置的設計性和功能性(信息量和便攜性等)，發展方向是提高顯示區域占液晶顯示裝置整體的面積比例。因此，在密封件寬度W過寬的情況下，顯示區域2占液晶顯示裝置1的面積比例降低，因此，優選密封件寬度W窄到不損害設計性和功能性的程度。另外，密封件4的材料沒有特別限定，可以使用一般的液晶單元用密封材料、例如紫外線固化性樹脂。圖9和圖10為實施方式1的液晶顯示裝置的背光源的截面示意圖。背光源5為配置在基板10的后方的面光源，向基板10照射光。如圖9和圖10所示，背光源5優選具有多個LED元件6作為光源。背光源5也可以具有CCFL(冷陰極管)作為光源，但CCFL會產生313nm或365nm的紫外線，因此會對液晶造成損傷。具體而言，液晶分子分解，產生雜質離子。與此相對，LED元件6不產生313nm的紫外線，因此，通過使用LED元件6作為光源，能夠使液晶的損傷為輕微的程度，能夠抑制雜質離子的產生。從這樣的觀點出發，優選LED元件6不產生紫外光，只產生可見光，優選LED元件6的發光波長為380nm以上，優選為LED元件6實質上不產生小于380nm的光。另外，優選LED元件6是發光原理利用電致發光的LED元件。LED元件6可以是OLED(有機EL元件)。另外，LED元件6可以是白色LED元件，也可以如圖9所示是紅色、綠色和藍色的3種顏色的LED元件6R、6G和6B。這樣的LED元件6能夠使用與一般的液晶面板用背光源中包含的LED元件同樣的LED元件。背光源5可以如圖9所示為多個LED元件6排列成矩陣狀的正下方型背光源，也可以如圖10所示為多個LED元件6以與導光板7的端面相對的方式排列成直線狀的邊光型背光源。在任一情況下，在背光源5與基板10(更具體而言，設置在基板10的與液晶層40相反的一側的表面上的偏光板)之間，可以設置有使來自LED元件6的光擴散的擴散片8。優選背光源5的亮度可變。使用LED元件6的背光源5雖然僅能夠發出可見光，但是，通過長時間暴露于可見光的老化，雖然很影響很小但是也會對光取向膜11、31和/或液晶造成影響，容易看到閃爍。因此，為了減少液晶層40受到的可見光的照射量，優選使背光源5的亮度隨時間變化。例如，優選根據周圍的明亮度調整背光源5的亮度，或者采用場序方式。另外，專利文獻1沒有記載背光源。如以上所述，本實施方式的液晶顯示裝置1為橫向電場方式的液晶顯示裝置，液晶顯示裝置1具備：一對基板10和30；設置在一對基板10和30中的至少一個基板上的光取向膜11和31；設置在一對基板10和30之間的水平取向型的液晶層40；和排列成矩陣狀的多個像素3，液晶層40含有：具有雙環己烷骨架的液晶分子；和具有二氟苯骨架的液晶分子，液晶層40的介電常數各向異性為負，一對基板10和30中的一個基板包括與多個像素3對應地設置的多個TFT元件24，多個TFT元件24中的各個TFT元件24具有包含氧化物半導體的半導體層26，液晶顯示裝置1的幀頻小于50Hz。這樣，通過采用橫向電場方式，與縱向電場驅動的情況相比，能夠形成更大的并聯電容。因此，能夠抑制VHR的降低，能夠抑制閃爍。另外，通過設置在一對基板10和30中的至少一個基板上設置的光取向膜11和31，作為取向處理能夠實施作為非接觸處理的光照射，因此，能夠減少光取向膜11和31的表面的污染，能夠抑制由雜質導致的VHR的降低。另外，能夠使水平取向型的液晶層40的預傾角實質上為零，因此，能夠提高液晶取向的對稱性，能夠降低撓曲電極化。因此，能夠抑制閃爍。另外，通過液晶層40含有具有雙環己烷骨架的液晶分子，能夠降低雜質離子在液晶層40中的可溶性。因此，能夠抑制由雜質離子導致的VHR的降低，能夠抑制閃爍。另外，通過使液晶層40的介電常數各向異性為負，在施加電壓時，液晶分子在與電力線垂直的方向取向，因此，能夠在與各基板10、30平行的平面內取向。因此，能夠降低撓曲電極化，能夠抑制閃爍。另外，通過液晶層40含有具有二氟苯骨架的液晶分子，能夠利用該液晶分子的高可靠性和大的負的介電常數各向異性，在液晶層40中大量地導入具有雙環己烷骨架的液晶分子。利用這些液晶分子的協同效應，能夠有效地降低雜質離子在液晶層40中的可溶性，能夠有效地抑制閃爍。另外，通過各TFT元件24具有包含氧化物半導體的半導體層26，能夠減小各TFT元件24的截止漏電流，因此，即使在液晶顯示裝置1的幀頻小的情況下，也能夠使施加電壓的降低減少，提高VHR。因此，能夠抑制閃爍。而且，通過使液晶顯示裝置1的幀頻小于50Hz，能夠降低液晶顯示裝置1的消耗電力。在以低頻驅動液晶顯示裝置1的情況下，容易發生閃爍，但是如上所述在本實施方式中采取了各種對策，因此能夠抑制閃爍。如以上所述，在本實施方式中，能夠在抑制閃爍的同時降低消耗電力。本實施方式的液晶顯示裝置1優選還具備具有LED元件6的背光源5。由此，能夠使液晶的損傷為輕微的程度，能夠抑制由液晶分子引起的雜質離子的產生。因此，能夠有效地抑制閃爍。優選背光源5的亮度可變。由此，能夠使液晶的損傷為輕微的程度，能夠更有效地抑制由液晶分子引起的雜質離子的產生。因此，能夠更有效地抑制閃爍。優選液晶層40通過將含有具有雙環己烷骨架的液晶分子和具有二氟苯骨架的液晶分子的液晶材料封入一對基板10和30之間而形成，液晶材料不含聚合性單體。由此，能夠抑制由聚合性單體引起的雜質單體的產生，能夠有效地抑制閃爍。另一方面，可以液晶層40通過向被封入一對基板10和30之間的液晶材料照射光而形成，液晶材料含有：具有雙環己烷骨架的液晶分子；具有二氟苯骨架的液晶分子；和聚合性單體，聚合性單體相對于液晶材料整體的濃度，在照射光之前，小于0.4質量％。由此，能夠抑制由聚合性單體引起的雜質單體的產生，能夠有效地抑制閃爍。優選本實施方式的液晶顯示裝置1還具備設置在一對基板10和30之間，將液晶層40包圍的密封件4，密封件4的寬度大于0.1mm。由此，能夠減小水分侵入到液晶層40內的概率，因此，能夠抑制由水分引起的雜質單體的產生，能夠有效地抑制閃爍。優選光取向膜11和31含有聯間甲苯胺與酸二酐反應而得到的聚酰胺酸和聚酰亞胺中的至少一者。由此，能夠利用該聚酰胺酸和/或聚酰亞胺捕捉在液晶中浮游的雜質離子，能夠抑制由電場矢量的反轉引起的雜質離子的移動導致的施加電壓的降低。因此，能夠有效地抑制閃爍。優選酸二酐為1,2,3,4-環丁烷四甲酸二酐。由此，能夠使光取向膜11和31的電特性特別優異。優選液晶層40的預傾角實質上為零。由此，能夠提高液晶取向的對稱性，能夠有效地降低撓曲電極化。因此，能夠有效地抑制閃爍。優選光取向膜11和31由具有光敏官能團的聚合物形成。由此，能夠容易地形成光取向膜11和31。優選光敏官能團發生選自光異構化反應、光二聚化反應、光交聯反應、光分解反應和光弗利斯重排反應中的至少一種反應。由此，能夠容易地使液晶層40的預傾角實質上為零。優選聚合物含有選自肉桂酸酯骨架、查耳酮骨架、偶氮苯骨架、茋骨架、香豆素骨架、苯酯骨架和環丁烷骨架中的至少一種骨架作為光敏官能團。由此，能夠容易地使液晶層40的預傾角實質上為零。優選氧化物半導體為In-Ga-Zn-O類氧化物半導體。由此，能夠特別有效地減小TFT元件24的截止漏電流。優選橫向電場方式為IPS方式。由此，能夠有效降低撓曲電極化。另外，能夠形成以絕緣基板作為電介質的大的并聯電容，能夠有效地抑制對液晶施加的有效電壓的降低。這些的結果，能夠有效地抑制閃爍。另一方面，橫向電場方式也可以為FFS方式。在本實施方式中，液晶層40的介電常數各向異性為負，因此，液晶分子能夠在與各基板10、30平行的平面內取向，在FFS方式中也能夠抑制撓曲電極化的產生。另外，在FFS方式中，能夠形成以絕緣膜21作為電介質的非常大的并聯電容，能夠特別有效地抑制對液晶施加的有效電壓的降低。這些的結果，能夠有效地抑制閃爍。以下，將實際制作實施方式1的液晶顯示裝置的例子與比較例一起給出。(實施例1)首先，準備含有具有光敏官能團的聚合物作為固態成分的取向劑，將該取向劑涂敷在具有一對梳齒電極的玻璃基板(以下也稱為IPS電極基板)上。各梳齒的寬度為3μm，相鄰的梳齒間的距離(間隙的寬度)為9μm。另外，在作為對置基板的裸玻璃基板上涂敷同樣的取向劑。取向劑的組成(重量比)為NMP﹕BC﹕固態成分＝65﹕30﹕5。作為具有光敏官能團的聚合物，使用主鏈含有環丁烷骨架的聚酰胺酸。然后，將兩基板在70℃進行2分鐘的臨時燒制。臨時燒制后的各取向膜的膜厚為100nm。然后，在230℃進行30分鐘的正式燒制。然后，作為取向處理，對各取向膜照射偏振紫外線。然后，將兩基板在230℃進行30分鐘的追加燒制。然后，在對置基板上描畫密封件(協立化學產業株式會社制造的WorldRock)，與IPS電極基板貼合，制作空單元。然后，在真空下，在空單元內填充液晶材料，制作IPS方式的液晶單元。然后，將液晶單元在130℃加熱40分鐘，進行液晶的再取向處理。再取向處理后的密封件的寬度為1mm。液晶層的延遲(液晶的折射率各向異性×單元厚度)為330nm。液晶層的預傾角為0°。所使用的液晶材料為如以下那樣制備的材料：在介電常數各向異性為負的負型液晶材料(默克(Merck)公司制造的MLC6610)中，添加由上述式(4-1)表示的反式-4-丙基-4’-乙烯基-1,1’-雙環己烷(相當于含有雙環己烷骨架的液晶分子)，使其相對于液晶材料整體為20重量％，并且添加含有由上述式(6-1)表示的結構的液晶分子(相當于具有二氟苯骨架的液晶分子)，使其相對于液晶材料整體為3重量％。作為含有由上述式(6-1)表示的結構的液晶分子，使用專利文獻2中記載的、在上述式(6-1)中R1為碳原子數5的直鏈狀烷基、R2為碳原子數4的直鏈狀烷氧基的液晶分子。然后，在液晶單元的兩面，以正交尼科爾粘貼偏光板。然后，將液晶單元與背光源組合，制作液晶面板。液晶面板模仿氧化物半導體的TFT驅動，如以下那樣進行驅動。使用東揚精測系統株式會社(TOYOCorporation)制造的液晶物性評價系統(商品名：6254型)，在梳齒電極之間施加脈沖電壓后，將梳齒電極之間開放。脈沖寬度為300μ秒，施加電壓為2.5V，保持時間為1秒(即幀頻為1Hz)。作為背光源，使用具有LED元件(可以是OLED)作為光源的背光源。LED元件的發光波長為380nm以上。LED元件是發光原理利用電致發光的LED元件。背光源的亮度為10000cd/m2。以下說明本實施例中的VHR、對比度和閃爍的評價方法。1)VHR(電壓保持率)VHR的測量使用東揚精測系統株式會社制造的液晶物性評價系統(商品名：6254型)。脈沖寬度設為300μ秒，施加電壓為5V，保持時間為1秒，測量溫度為60℃。2)對比度對比度根據(對比度)＝(白顯示時的亮度)/(黑顯示時的亮度)的式子計算。白顯示時是成為最大亮度的電壓施加狀態，黑顯示時是無電壓施加狀態。白顯示時和黑顯示時的亮度測量使用TOPCON株式會社制造的分光輻射計(商品名：SR-UL2)。3)閃爍試驗在無電壓施加狀態下點亮背光源，在60℃、95％濕度下將液晶面板放置3小時后，使用東揚精測系統株式會社制造的液晶物性評價系統(商品名：6254型)施加脈沖電壓。脈沖寬度為300μ秒，施加電壓為2.5V，驅動為極性反轉驅動(按每1幀使電壓極性反轉)，保持時間為1秒(1Hz)，評價溫度為25℃。隔著ND(減光)濾光片(NeutralDensityFilter：中性密度濾光片)通過目視判定閃爍的有無。作為ND濾光片，使用10％、20％或50％透過的3種濾光片。ND濾光片的透過率越增加，越接近裸眼，越容易看到閃爍，因此，當隔著更高透過率的ND濾光片看不到閃爍時，可以說閃爍進一步被抑制。以下給出本實施例的評價結果。1)VHR為98％以上，為沒有問題的水平。2)對比度為1000以上，為沒有問題的水平。3)閃爍試驗使用任一ND濾光片的情況下，均沒有目視到閃爍，為沒有問題的水平。本實施例的液晶面板，取向性和電特性均為良好，能夠實現沒有閃爍的良好的顯示。(比較例1-1)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本比較例的液晶面板。作為取向劑的固態成分，使用聚苯乙烯。使用分別具有整面電極(方形狀的電極)的2塊基板，制作了ECB(ElectricallyControlledBirefringence：電控雙折射)方式的液晶單元。作為取向處理，進行了摩擦。所使用的液晶材料是介電常數各向異性為負的負型液晶材料(默克公司制造的MLC6610)。再取向處理后的密封件的寬度為0.1mm。背光源使用具有CCFL作為光源的背光源。以下給出與實施例1同樣地評價本比較例的結果。1)VHR為96％以下，比實施例1差。2)對比度為1000以上，與實施例1同等。3)閃爍試驗隔著ND濾光片(10％透過)能夠看到閃爍。本比較例的液晶面板，電特性不良，還觀察到了閃爍，因此，不是制品水平。此外，在各實施例和各比較例中，將隔著ND濾光片(10％透過)能夠看到閃爍的情況判斷為不是制品水平，將隔著ND濾光片(10％透過)沒有看到閃爍的情況判斷為是制品水平。(比較例1-2)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本比較例的液晶面板。所使用的液晶材料為如以下那樣制備的材料：在介電常數各向異性為負的負型液晶材料(默克公司制造的MLC6610)中，添加由上述式(4-1)表示的反式-4-丙基-4’-乙烯基-1,1’-雙環己烷，使其相對于液晶材料整體為20重量％，并且添加含有由上述式(7)表示的結構的液晶分子，使其相對于液晶材料整體為3重量％。作為含有由上述式(7)表示的結構的液晶分子，使用在上述式(7)中R1為碳原子數5的直鏈狀烷基、R2為碳原子數4的直鏈狀烷氧基的液晶分子。以下給出與實施例1同樣地評價本比較例的結果。1)VHR為97％以下，比實施例1差。2)對比度為1000以上，與實施例1同等。3)閃爍試驗隔著ND濾光片(10％透過)能夠看到閃爍。本比較例的液晶面板，電特性不良，還觀察到了閃爍，因此，不是制品水平。根據本比較例和實施例1的結果可知，通過將具有由上述式(5)表示的結構中特別是由上述式(5-1)表示的結構(二氟苯骨架)的液晶分子與具有雙環己烷骨架的液晶分子并用，對抑制閃爍是有效的。(實施例1a)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。將IPS電極基板變更為具有平面狀的電極和形成有電極狹縫的電極的基板，使用FFS方式的液晶單元。在形成有電極狹縫的電極中，沿著電極狹縫的電極部分的寬度為3μm，電極狹縫的寬度為5μm。在兩電極之間作為絕緣膜設置有膜厚300nm的SiNx膜。以下給出與實施例1同樣地評價本實施例的結果。1)VHR為99％以上，為與實施例1同等以上。2)對比度為1000以上，與實施例1同等。3)閃爍試驗隔著ND濾光片(50％透過)沒有看到閃爍。在本實施例中，雖然與實施例1相比，VHR提高，但是閃爍的視覺效果稍微惡化。這可認為是因為，FFS方式與IPS方式相比，容易發生撓曲電極化，FFS方式的液晶面板容易受到由撓曲電極化引起的亮度變化的影響。可認為依賴于液晶模式的由撓曲電極化引起的亮度變化的影響的大小如以下所示。IPS(正)＝IPS(負)＜FFS(負)＜FFS(正)即，正型的IPS方式與負型的IPS方式為相同程度，負型的IPS方式、負型的FFS方式、正型的FFS方式影響依次增大。這樣，在FFS方式的本實施例中，電極結構是非對稱的，因此，容易受到由撓曲電極化引起的亮度變化的影響。即，從防止閃爍的觀點出發，本實施例也被認為是不利的。但是，在FFS方式的本實施例中，在電極間形成以SiNx膜作為電介質的非常大的并聯電容，因此，能夠有效地抑制VHR的降低，其結果，能夠使得難以看到閃爍。此外，在正型的情況下，液晶取向發生變形使得液晶分子從基板立起，這成為撓曲電極化的原因，因此，在IPS方式中，就沿著一個像素內的梳齒結構產生的撓曲電極化而言，正型大于負型。但是，根據IPS方式的電極結構，就像素整體而言，其撓曲電極化大致能夠忽略。因此，就容易受到由撓曲電極化引起的亮度變化的影響的程度而言，作為液晶面板，在正型的IPS方式與負型的IPS方式之間為相同程度。IPS方式中的撓曲電極化的大小能夠如以下那樣表示：IPS(正)：－(大的撓曲電極化)+(大的撓曲電極化)≒0，IPS(負)：－(小的撓曲電極化)+(小的撓曲電極化)≒0。(比較例1a)除以下方面以外，與實施例1a同樣地制作本比較例的液晶面板。所使用的液晶材料是介電常數各向異性為正的正型液晶材料(默克公司制造的MLC3019)。以下給出與實施例1同樣地評價本比較例的結果。1)VHR為98％以上，與實施例1同等。2)對比度為1000以上，與實施例1同等。3)閃爍試驗隔著ND濾光片(10％透過)能夠看到閃爍。本比較例的液晶面板觀察到了閃爍，因此，不是制品水平。使用圖11和圖12說明其原因。圖11為比較例1a的液晶面板的截面示意圖，表示與電極狹縫正交的截面。圖12為實施例1a的液晶面板的截面示意圖，表示與電極狹縫平行的截面(在電極狹縫上切斷而得到的面)。此外，在圖12中，實際上形成有電極狹縫的電極沒有出現，其位置以虛線表示。如圖11所示，在液晶的介電常數各向異性為正的本比較例的情況下，可認為在施加電壓時，產生了以從基板10立起的方式取向的液晶分子41，發生了撓曲電極化，因此觀察到了閃爍。另一方面，如圖12所示，在液晶的介電常數各向異性為負的實施例1a的情況下，可認為在施加電壓時，液晶分子41在與電力線垂直的方向取向，液晶分子41能夠在與基板10平行的平面內取向，因此，與本比較例相比，撓曲電極化小。根據本比較例和實施例1a的結果可知，在橫向電場方式中，特別是在FFS方式中，優選使用介電常數各向異性為負的液晶。(實施例1b-1)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。在再取向處理后、粘貼偏光板之前，使用黑光(東芝株式會社制造的FHF32BLB)向液晶單元照射2J/cm2的無偏振紫外線。(實施例1b-2)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。本實施例中使用的液晶材料，是在實施例1中使用液晶材料中進一步添加由下述式(11)表示的結構的聚合性單體，使其相對于液晶材料整體為0.1重量％而制備的材料。在再取向處理后、粘貼偏光板之前，作為使用聚合物的取向穩定化處理(PS處理)，使用黑光(東芝株式會社制造的FHF32BLB)向液晶單元照射2J/cm2的無偏振紫外線。(實施例1b-3)除以下方面以外，與實施例1b-2同樣地制作本實施例的液晶面板。將聚合性單體的濃度從0.1重量％變更為0.2重量％。(實施例1b-4)除以下方面以外，與實施例1b-2同樣地制作本實施例的液晶面板。將聚合性單體的濃度從0.1重量％變更為0.3重量％。(實施例1b-5)除以下方面以外，與實施例1b-2同樣地制作本比較例的液晶面板。將聚合性單體的濃度從0.1重量％變更為0.4重量％。(實施例1b-6)除以下方面以外，與實施例1b-2同樣地制作本比較例的液晶面板。將聚合性單體的濃度從0.1重量％變更為0.5重量％。將與實施例1同樣地評價這些實施例的結果示于下述表1。[表1]向液晶單元照射無偏振紫外線的實施例1b-1，與實施例1相比，雖然是極少程度但是觀察到了電特性的惡化(參照實施例1b-1的“閃爍”)。這可認為是因為由紫外線引起了液晶本身的分解。另外，根據這些結果，可認為：當液晶中的單體濃度增加時，由紫外線激發的自由基增加，而且，由該自由基生成的雜質離子增加，引起VHR的降低。另外，可認為該趨勢在低頻驅動的情況下變得特別顯著。這是因為，在進行低頻驅動的閃爍試驗中，每當單體濃度增加，能夠顯著地觀察到閃爍惡化的趨勢。另外，根據表1的結果，從防止閃爍的觀點出發，單體相對于液晶材料整體的濃度優選小于0.4重量％，更優選為0.3重量％以下，特別優選為0.1重量％以下。(實施例2)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。代替IPS電極基板，使用各像素中具有使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體作為半導體材料形成的TFT元件、平面狀的電極和形成有電極狹縫的電極的基板，制作FFS方式的液晶單元。在形成有電極狹縫的電極中，沿著電極狹縫的電極部分的寬度為2.6μm，電極狹縫的寬度為3.6μm。作為產生邊緣電場的電極間(上層的形成有電極狹縫的電極與下層的平面狀的電極之間)的絕緣膜，使用膜厚200nm的SiNx膜。作為對置基板，使用CF基板。在本實施例中，閃爍試驗如以下那樣進行。點亮背光源，在60℃、95％濕度下將液晶面板放置3小時后，使用TFT元件，以一像素極性反轉驅動方式(在相鄰的像素間施加電壓的極性相反，并且按每幀使各像素的極性反轉的方式)驅動各像素。使幀頻在1Hz～50Hz之間變化。評價溫度為25℃。評價按照32灰度等級進行。隔著ND濾光片(10％透過)通過目視來判定閃爍的有無。以下給出本實施例的評價結果。對比度與實施例1同樣地評價。1)對比度為1000以上。2)閃爍試驗沒有目視到閃爍，為制品水平。能夠確認：具有使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體形成的TFT的FFS方式的液晶面板也不發生閃爍。這是因為：含有In-Ga-Zn-O類氧化物半導體的TFT元件的截止漏電流小于含有a-Si(非晶硅)或LTPS(低溫多晶硅)的TFT元件的截止漏電流，使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體的液晶面板中，即使幀頻小，施加電壓也不降低。另外，還因為在FFS方式中，在上層的電極與下層的電極之間形成大的并聯電容，對液晶施加的有效電壓的降低被抑制。(比較例2-1)除以下方面以外，與實施例2同樣地制作本比較例的液晶面板。作為半導體材料，代替In-Ga-Zn-O類氧化物半導體，使用a-Si。在本比較例中，閃爍試驗如以下那樣進行。點亮背光源，使用TFT元件，以一像素極性反轉驅動方式驅動各像素。使幀頻在1Hz～50Hz之間變化。評價溫度為25℃。評價按照32灰度等級進行。隔著ND濾光片(10％透過)通過目視來判定閃爍的有無。以下給出本比較例的評價結果。對比度與實施例1同樣地評價。1)對比度為1000以上。2)閃爍試驗能夠目視到閃爍，作為制品不合格。這是因為：含有a-Si的TFT元件的截止漏電流大于含有In-Ga-Zn-O類氧化物半導體的TFT元件的截止漏電流，使用a-Si的液晶面板中，當幀頻小時，施加電壓降低。(比較例2-2)除以下方面以外，與實施例2同樣地制作本比較例的液晶面板。作為半導體材料，使用LTPS代替In-Ga-Zn-O類氧化物半導體。在本比較例中，與比較例2-1同樣地進行閃爍試驗。以下給出本比較例的評價結果。對比度與實施例1同樣地評價。1)對比度為1000以上。2)閃爍試驗能夠目視到閃爍，作為制品不合格。這是因為：含有LTPS的TFT元件的截止漏電流大于含有In-Ga-Zn-O類氧化物半導體的TFT元件的截止漏電流，使用LTPS的液晶面板中，當幀頻小時，施加電壓降低。(實施例3)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本比較例的液晶面板。作為取向劑的固態成分，使用a)具有光敏官能團的聚合物(與實施例1相同的聚合物)和b)使由上述式(1)表示的二胺(聯間甲苯胺)和酸二酐反應而得到的聚酰胺酸。酸二酐使用電特性良好的上述(2-2)。固態成分a和b的混合比率(重量比)為a﹕b＝3﹕7。此外，取向劑的組成(重量比)為與實施例1相同的NMP﹕BC﹕固態成分＝65﹕30﹕5。將IPS電極基板變更為具有平面狀的電極和形成有電極狹縫的電極的基板，使用FFS方式的液晶單元。在形成有電極狹縫的電極中，沿著電極狹縫的電極部分的寬度為3μm，電極狹縫的寬度為5μm。在兩電極間作為絕緣膜設置有膜厚300nm的SiNx膜。以下給出與實施例1同樣地評價本實施例的結果。1)VHR為99％以上，為沒有問題的水平。2)對比度為1000以上，為沒有問題的水平。3)閃爍試驗隔著ND濾光片(10％透過)沒有目視到閃爍，為沒有問題的水平。本實施例的液晶面板，取向性和電特性均為良好，實現了沒有閃爍的良好的顯示。使聯間甲苯胺反應而得到的聚酰胺酸/聚酰亞胺具有優異的離子吸附性能，這是由本發明人發現的。通過在取向劑的固態成分中添加該聚酰胺酸/聚酰亞胺，能夠利用該聚酰胺酸/聚酰亞胺捕捉在液晶中浮游的離子，能夠使由電場矢量反轉引起的離子的移動導致的施加電壓的減少降低。因此，本實施例與實施例1相比，表現出更高的VHR。(實施例4-1)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。將與實施例1同樣地制作的液晶單元在密封件上切斷，使用密封件的寬度為0.1mm的液晶單元。(實施例4-2)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。將與實施例1同樣地制作的液晶單元在密封件上切斷，使用密封件的寬度為0.2mm的液晶單元。(實施例4-3)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。將與實施例1同樣地制作的液晶單元在密封件上切斷，使用密封件的寬度為0.3mm的液晶單元。將與實施例1同樣地評價這些實施例的結果示于下述表2。[表2]密封件的寬度WVHR對比度閃爍實施例4-10.1mm98％以上1000以上ND10％沒有看到閃爍。實施例4-20.2mm98％以上1000以上ND20％沒有看到閃爍。實施例4-30.3mm98％以上1000以上ND20％沒有看到閃爍。由該結果可知，密封件的寬度與VHR不相關，但是與閃爍相關。與VHR不相關的理由可認為是因為從密封件部進入液晶層內的雜質離子沒有充分地擴散。另外，當密封件寬度變大時，抑制閃爍的效果提高。這可認為是因為密封件寬度變寬，進入顯示部(液晶層)的水分和雜質離子減少。(實施例5-2)除以下方面以外，與實施例1a同樣地制作本實施例的液晶面板。絕緣膜(SiNx膜)的膜厚為500nm。(實施例5-3)除以下方面以外，與實施例1a同樣地制作本實施例的液晶面板。絕緣膜(SiNx膜)的膜厚為700nm。將與實施例1同樣地評價這些實施例的結果示于下述表3。[表3]由該結果可知：當使絕緣膜的膜厚變薄時，VHR提高。這是因為，當絕緣膜的膜厚變薄時，并聯電容增大，防止由雜質離子等引起的施加電壓的降低。(實施例6-1)制作與實施例2相同的液晶面板，實施了下述試驗。假定數字標牌、智能手機等的室外使用，使背光源的亮度24小時循環變化。具體而言，以10000cd/m2點亮12小時后，使亮度下降，以1000cd/m2點亮12小時，以合計24小時作為1個循環來點亮背光源。在該狀態下，將液晶面板在室溫下放置240小時。然后進行閃爍試驗。在本實施例中，閃爍試驗如以下那樣進行。使用TFT以一像素極性反轉驅動方式驅動各像素。使幀頻在1Hz～50Hz之間變化。評價溫度為25℃。評價按照32灰度等級進行。隔著ND濾光片(50％透過)通過目視來判定閃爍的有無。(實施例6-2)制作與實施例2相同的液晶面板，實施了下述試驗。在將背光源以10000cd/m2點亮240小時的狀態下，將液晶面板在室溫下放置240小時。然后，與實施例6-1同樣地進行了閃爍試驗。將這些實施例的評價結果示于下述表4。對比度與實施例1同樣地評價。[表4]由該結果可知：雖然光源為LED元件的背光源僅發出可見光，但是，通過長時間暴露于可見光的老化，雖然影響很小但是也會對光取向膜和/或液晶造成影響，容易看到閃爍。因此，為了減小暴露于液晶單元的可見光的照射量，優選使背光源的亮度改變。例如，優選根據周圍的明亮度調整背光源的亮度，或者采用場序方式。(實施例7)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。作為具有光敏官能團的聚合物，使用主鏈中含有偶氮苯骨架的聚酰胺酸。在涂敷取向劑后，將兩基板在70℃進行2分鐘的臨時燒制，然后，作為取向處理，向各取向膜照射偏振紫外線。然后，將兩基板在120℃進行20分鐘的正式燒制并在200℃進行20分鐘的正式燒制。此外，臨時燒制后的各取向膜的膜厚與實施例1同樣，為100nm。對本實施例進行了與實施例1同樣的評價，得到了與實施例1同樣的評價結果。(實施例8)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。作為具有光敏官能團的聚合物，使用主鏈中含有苯酯骨架的聚酰胺酸。在涂敷取向劑后，將兩基板在70℃進行2分鐘的臨時燒制，然后，作為取向處理，向各取向膜照射偏振紫外線。然后，將兩基板在230℃進行40分鐘的正式燒制。此外，臨時燒制后的各取向膜的膜厚與實施例1同樣，為100nm。對本實施例進行了與實施例1同樣的評價，得到了與實施例1同樣的評價結果。(實施例9)除以下方面以外，與實施例1同樣地制作本實施例的液晶面板。作為具有光敏官能團的聚合物，使用側鏈含有肉桂酸酯骨架的丙烯酸類聚合物。在涂敷取向劑后，將兩基板在70℃進行2分鐘的臨時燒制，然后，作為取向處理，向各取向膜照射偏振紫外線。然后，將兩基板在150℃進行20分鐘的正式燒制。此外，臨時燒制后的各取向膜的膜厚與實施例1同樣，為100nm。對本實施例進行了與實施例1同樣的評價，得到了與實施例1同樣的評價結果。符號說明1：液晶顯示裝置(液晶面板)2：顯示區域3：像素4：密封件5：背光源6：LED元件6R：紅色LED元件6G：綠色LED元件6B：藍色LED元件7：導光板8：擴散片10：基板(陣列基板)11、31：光取向膜12、32：偏光板13：像素電極14：共用電極15：主干部16：分支部(梳齒)17：層間絕緣膜18：平面狀的電極19：電極狹縫20：形成有電極狹縫的電極21：絕緣膜22：柵極線(柵極總線)23：源極線(源極總線)24：TFT元件25：柵極電極26：半導體層27：源極電極28：漏極電極29：接觸孔(貫通孔)30：基板(對置基板)40：液晶層41：液晶分子51、52：電場當前第1頁1 2 3