所描述的技術涉及一種液晶顯示裝置。

背景技術：

被最廣泛使用的平板顯示器中的一種是液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包括具有場產生電極(諸如像素電極和公共電極)的兩個基板以及插設在這兩個基板之間的液晶層。液晶層包括液晶分子。透射的光的量通過確定液晶層的液晶分子的配向(alignment)來控制。液晶分子的配向通過施加電壓到場產生電極來確定以顯示圖像。

液晶顯示裝置包括兩片顯示面板。顯示面板包括薄膜晶體管陣列面板和相對顯示面板。顯示面板還包括傳輸柵信號的柵線和傳輸數據信號的數據線。柵線和數據線形成為彼此交叉。顯示面板還包括形成在薄膜晶體管陣列面板上的與柵線和數據線連接的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極等。光阻擋構件、濾色器、公共電極等可以形成在相對顯示面板上。可選地，光阻擋構件、濾色器和公共電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板上。

由于液晶顯示裝置不是自發光的，所以需要光源。光源可以是單獨安裝的人造光源或自然光。人造光源需要光導板(lgp)以便使發射的光以均勻的亮度到達整個顯示面板。

通常，液晶顯示裝置包括背光組件。背光組件包括光源、光導和兩片顯示面板。因此，背光組件相對厚。背光組件由剛性材料形成。因此，會難以制造柔性的顯示裝置或彎曲的顯示裝置。

技術實現要素：

本發明的實施方式提供一種液晶顯示裝置。更具體地，本發明的實施方式提供一種液晶顯示裝置，其可以具有減小的厚度以及柔性顯示裝置的簡化的制造工藝。

本發明的示范性實施方式提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括第一基板、第一偏振層、光源、第二基板、薄膜晶體管、像素電極和液晶層。第一基板包括上表面、下表面和至少一個側表面。第一偏振層提供在第一基板的上表面上。光源提供在第一基板的所述至少一個側表面上。第二基板包括上表面和下表面。薄膜晶體管提供在第二基板的下表面上。像素電極電連接到薄膜晶體管。液晶層提供在第一基板和第二基板之間。

第一偏振層可以包括線柵偏振圖案。

線柵偏振圖案可以包括金屬材料。

液晶顯示裝置還可以包括公共電極。公共電極可以提供在第一偏振層上。

液晶顯示裝置還可以包括第二偏振層。第二偏振層可以提供在第二基板的上表面上。

第二偏振層可以包括偏振膜。

本發明的示范性實施方式提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括第一基板、第一偏振層、光源、第二基板、薄膜晶體管和像素電極。第一偏振層提供在第一基板上。光源可以提供在第一基板上。薄膜晶體管提供在第二基板的下表面上。像素電極提供在第二基板的下表面上。像素電極電連接到薄膜晶體管。

液晶顯示裝置還可以包括濾色器。濾色器可以提供在薄膜晶體管和像素電極之間。

液晶顯示裝置還可以包括光阻擋構件。光阻擋構件可以提供在像素電極下面。光阻擋構件可以交疊薄膜晶體管的至少一部分。

薄膜晶體管可以包括柵電極、半導體、源電極和漏電極。柵電極可以提供在第二基板的下表面上。半導體可以提供在柵電極下面。源電極和漏電極可以提供在半導體下面。柵電極可以包括低反射金屬材料。

柵電極可以包括鉻、鉬和鈦中的至少一種。

第一基板的厚度可以對應于第二基板的厚度。

第一基板的厚度可以與第二基板的厚度不同。

本發明的示范性實施方式提供一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括第一基板、第一偏振層、光源、第二基板、薄膜晶體管和低折射層。第一基板包括上表面、下表面和至少一個側表面。第一偏振層提供在第一基板的上表面上。光源可以提供在第一基板的至少一個側表面上。第二基板包括上表面和下表面。薄膜晶體管提供在第二基板的下表面上。像素電極電連接到薄膜晶體管。低折射層提供在第一基板和第一偏振層之間。

低折射層的折射率可以低于第一基板的折射率。

液晶顯示裝置還可以包括突出圖案。突出圖案可以提供在低折射層和第一偏振層之間。

突出圖案的截面形狀可以為三角形或半圓形。

液晶顯示裝置還可以包括鈍化層。鈍化層可以提供在突出圖案上。

液晶顯示裝置還可以包括第二偏振層。第二偏振層可以提供在第二基板的下表面上。

第二偏振層可以包括線柵偏振圖案。

附圖說明

從以下結合附圖對示范性實施方式的描述，這些和/或其它的方面將變得明顯并更易于理解，附圖中：

圖1示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖2示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖3示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖4示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖；

圖5示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖；以及

圖6示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

具體實施方式

本發明的示范性實施方式將在下面參照附圖更充分地描述，附圖中示出本發明的示范性實施方式。所描述的本發明的示范性實施方式可以以各種不同的方式實施，而都沒有脫離本發明的精神或范圍。

為了清楚地描述本發明的示范性實施方式，與描述無關的部分被省略，并且相同的附圖標記始終表示相同的元件。

此外，附圖中示出的每個部件的尺寸和厚度被任意地示出以更好地理解和容易描述，然而，本發明的實施方式不限于此。例如，為了清楚起見，層、膜、面板、區域等的厚度被夸大。層、膜、面板、區域等的厚度在附圖中被放大以更好地理解和容易描述。

將理解，當一元件諸如層、膜、區域或基板被稱為在另一個元件“上”時，它可以直接在該另一個元件上或者也可以存在插入的元件。在整個本說明書中，詞語“在…上”表示位于目標部分之上或之下，而在實質上并不表示基于重力方向位于目標部分的上側上。

此外，除非明確地描述為相反，否則詞語“包括”以及諸如“包含”或“含有”的變化將被理解為表示包括所述元件而不排除任何其它的元件。

此外，短語“在平面圖中(或平面內)”表示當從上方觀看目標部分時，并且短語“在截面圖中”表示當垂直切割目標部分獲得的截面從側面觀看時。

圖1示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

參照圖1，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100可以包括第一基板110。第一顯示面板100還可以包括第一偏振層12。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。

第一基板110可以包括透明的玻璃或塑料材料。第一基板110可以包括可彎曲或可折疊的材料。液晶顯示裝置可以配置為柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。

第一基板110可以包括上表面、下表面和側表面。第一基板110的上表面可以面對第二顯示面板200。

第一偏振層12可以提供在第一基板110的上表面上。第一偏振層12可以包括第一線柵偏振圖案115。第一線柵偏振圖案115可以表示使具有一波長的可見光線偏振的圖案。該波長可以為約400nm至800nm。第一線柵偏振圖案115可以為平面形狀，其中線性圖案以規則的間隔周期性地設置。線性圖案可以具有約100nm至約200nm的寬度。第一線柵偏振圖案115可以包括金屬材料。例如，第一線柵偏振圖案115可以包括鋁(al)、鈦(ti)、鉻(cr)、銀(ag)、金(au)、鎳(ni)或其合金。金屬材料可以被沉積以產生薄膜。該薄膜可以根據光刻和蝕刻工藝圖案化以產生第一線柵偏振圖案115。

第一顯示面板100還可以包括光源500。光源500可以提供在第一基板110的側表面上。光源500可以配置有發光二極管(led)和冷陰極熒光燈。光源500可以提供在第一基板110的任一個側表面或兩個側表面上。

光源500的發光方向可以設置為朝向第一基板110的側表面。由光源500提供的光可以輸入到第一基板110中并可以穿過第一基板110的上表面離開。提供到第一基板110的一個側表面的光可以通過全反射(totalreflection)到達相反的側表面、然后可以離開。第一基板110可以用作光導板用于由光源500提供的光。用作光導板的第一基板110可以允許由光源500提供的光均勻地穿過第一基板110的上表面。

公共電極270可以提供在第一基板110的上表面上。公共電極270可以提供在第一偏振層12上。公共電極270可以提供在第一基板110的全部上。預定的公共電壓可以施加到公共電極270。兩個電壓可以施加到公共電極270。

公共電極270可以包括透明的金屬氧化物，諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)。

絕緣層可以進一步提供在第一偏振層12和公共電極270之間。絕緣層可以填充第一線柵偏振圖案115內的區域。絕緣層還可以覆蓋第一線柵偏振圖案115。絕緣層還可以使第一偏振層12的上表面平坦。第一線柵偏振圖案115可以包括金屬材料。當第一線柵偏振圖案115包括金屬材料并且絕緣層被省略時，第一線柵偏振圖案115可以與公共電極270導通。因此，可以減小公共電極270的電阻。

第二顯示面板200可以包括第二基板210、薄膜晶體管q和像素電極191。薄膜晶體管q可以提供在第二基板210和液晶層3之間。像素電極191可以連接到薄膜晶體管q。

第二基板210可以包括透明的玻璃或塑料材料。第二基板210可以包括可彎曲或可折疊的材料。當第二基板210包括可彎曲或可折疊的材料時，液晶顯示裝置可以配置為柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。第二基板210的厚度可以基本上等于第一基板110的厚度。

第二基板210可以包括上表面、下表面和側表面。第二基板210的下表面可以面對第一顯示面板100。具體地，第一基板110的上表面可以面對第二基板210的下表面。

薄膜晶體管q可以提供在第二基板210的下表面上。

薄膜晶體管q可以包括柵電極124、半導體154、源電極173和漏電極175。柵電極124可以提供在第二基板210的下表面上。半導體154可以提供在柵電極124下面。源電極173和漏電極175可以提供在半導體154下面。

柵電極124可以包括金屬材料，具體地，低反射金屬材料。例如，柵電極124可以包括鉻(cr)、鉬(mo)和鈦(ti)中的至少一種。因此，可以防止外部光被柵電極124反射并變得可見。

柵線可以進一步提供在第二基板210的下表面上。柵電極124可以連接到柵線。柵電極124可以通過柵線接收柵信號。

柵絕緣層140可以提供在柵電極124下面。柵絕緣層140可以包括無機絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。柵絕緣層140可以配置為單層或多層。

半導體154可以提供在柵絕緣層140下面。半導體154可以交疊柵電極124。半導體154可以包括非晶硅(a-si)、多晶硅(poly-si)或金屬氧化物。

歐姆接觸163和165可以提供在半導體154下面。歐姆接觸163和165可以包括諸如硅化物或以高濃度用n型雜質摻雜的n+氫化非晶硅的材料。當半導體154包括金屬氧化物時，歐姆接觸163和165可以省略。

源電極173和漏電極175可以分別提供在歐姆接觸163和165下面。源電極173和漏電極175可以彼此分開。源電極173和漏電極175可以部分地交疊柵電極124。

數據線可以進一步提供在歐姆接觸163和165下面。源電極173可以連接到數據線。源電極173可以通過數據線接收數據電壓。

柵電極124、源電極173和漏電極175可以與半導體154一起來配置薄膜晶體管q。薄膜晶體管q的溝道可以提供在半導體154中。薄膜晶體管q的溝道可以提供在源電極173和漏電極175之間。

第一鈍化層180a可以提供在源電極173、漏電極175和半導體154下面。第一鈍化層180a可以包括無機絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。

濾色器230可以提供在第一鈍化層180a下面。濾色器230可以透射原色(諸如紅色、綠色和藍色)的基本上所有的光。濾色器230還可以專門透射青色、品紅色、黃色或基于白色的顏色(而不限于三原色)的基本上所有的光。然而，濾色器230的實施方式不限于此。液晶顯示裝置可以包括多個像素。該多個像素可以設置成矩陣形式，包括像素列。對于各像素列可以設置不同的濾色器。

第二鈍化層180b可以提供在濾色器230下面。第二鈍化層180b可以包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。第二鈍化層180b可以配置為單層或多層。

第一鈍化層180a、濾色器230和第二鈍化層180b可以包括接觸孔185。接觸孔185可以交疊漏電極175的至少一部分。

像素電極191可以提供在第二鈍化層180b下面。像素電極191還可以提供在接觸孔185中。像素電極191可以通過接觸孔185連接到漏電極175。因此，當薄膜晶體管q導通時，漏電極175可以從源電極173接收數據電壓。像素電極191可以進而從漏電極175接收數據電壓。電場可以在像素電極191和公共電極270之間產生。液晶層3的液晶分子310的排列方向可以被確定。穿過液晶層3的光的亮度可以根據液晶分子310的排列方向而變得不同。

像素電極191可以包括透明金屬氧化物，諸如銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)。

光阻擋構件220可以提供在像素電極191和第二鈍化層180b下面。光阻擋構件220可以交疊薄膜晶體管q。光阻擋構件220可以包括光阻擋材料。光阻擋材料可以防止光的泄漏。

光阻擋構件220可以包括第一光阻擋構件220a和第二光阻擋構件220b。第二光阻擋構件220b可以比第一光阻擋構件220a厚。第二光阻擋構件220b可以對應于液晶層3的厚度。第二光阻擋構件220b還可以用作用于保持單元間隙的間隔物。

第二偏振層22可以提供在第二基板210的上表面上。第二偏振層22可以由偏振膜形成。包括偏振膜的第二偏振層22可以附接到第二基板210。第二偏振層22的上表面可以用低反射表面處理來處理。因此，可以防止外部光被第二偏振層22反射并變得可見。

根據本發明的示范性實施方式，由光源500提供的光可以穿過第一顯示面板100、液晶層3和第二顯示面板200。屏幕可以顯示在第二顯示面板200的上表面上。包括第一線柵偏振圖案115的第一偏振層12可以提供在第一顯示面板100中。薄膜晶體管q和像素電極191可以提供在第二顯示面板200中。

當薄膜晶體管和像素電極提供在第一顯示面板上時，這可以看作比較示例。線柵偏振圖案、薄膜晶體管和像素電極提供在一個基板上。因此，當缺陷在制造工藝期間在線柵偏振圖案中產生時，第一顯示面板被認為是有缺陷的。這即使在薄膜晶體管或像素電極沒有缺陷時也發生。此外，當缺陷產生到薄膜晶體管或像素電極時，第一顯示面板被認為是有缺陷的。這即使在線柵偏振圖案沒有缺陷時也發生。因此，用于制造液晶顯示裝置的工藝的產率降低。

在本發明的示范性實施方式中，通過將其上提供第一線柵偏振圖案115的第一顯示面板100和其上提供薄膜晶體管q和像素電極191的第二顯示面板200分開，可以提高產率。因此，當第一線柵偏振圖案115產生缺陷而薄膜晶體管q和像素電極191沒有缺陷時，其上提供第一線柵偏振圖案115的第一顯示面板100會產生缺陷。因此，其上提供薄膜晶體管q和像素電極191的第二顯示面板200可以在制造工藝中被進一步使用。

在本發明的示范性實施方式中，薄膜晶體管q可以提供在第二基板210的下表面上。柵電極124可以提供在第二基板210下面。當屏幕顯示在第二顯示面板200的上表面上時，輸入到柵電極124的外部光可以被反射并可以變得可見。因此，黑色像素可以由于反射光而可見為白色。在本發明的示范性實施方式中，柵電極124可以包括低反射金屬材料。當柵電極124包括低反射金屬材料時，柵電極124可以防止反射光變得可見。

在通常的液晶顯示裝置中，液晶層提供在第一顯示面板和第二顯示面板之間。額外的光導板被設置，并且光源設置在光導板的側面上。在本發明的示范性實施方式中，通過將光源500設置在第一基板110的側表面上，光導板可以被省略。因此，可以簡化液晶顯示裝置的構造，并可以減小液晶顯示裝置的重量和厚度。制造液晶顯示裝置的工藝也可以被簡化，并且制造柔性顯示裝置可以是可更容易獲得的。

圖2示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖2所示的根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的幾個方面類似于如參照圖1描述的本發明的示范性實施方式。因此，可以省略重復的說明。

參照圖2，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100可以包括第一基板110。第一顯示面板100還可以包括第一偏振層12。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。第一偏振層12可以包括第一線柵偏振圖案115。第二顯示面板200可以包括第二基板210、薄膜晶體管q和像素電極191。薄膜晶體管q可以提供在第二基板210下面。像素電極191可以連接到薄膜晶體管q。

根據本發明的示范性實施方式，第二基板210的厚度可以與第一基板110的厚度不同。如圖1所示，第二基板210可以比第一基板110厚。如圖2所示，第一基板110可以比第二基板210厚。

第一基板110可以用作光導板用于由光源500提供的光。用作光導板的第一基板110可以允許由光源500提供的光均勻地穿過第一基板110的上表面。當第一基板110相對薄時，會存在較少的光。因此，會期望第一基板110相對厚。例如，第一基板110可以為從約0.7mm至約1.0mm。

第二基板210可以相對薄。由于第二基板210形成得較薄，這可以有利于制造柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。例如，第二基板210可以為約0.5mm。

當第一基板110和第二基板210相對薄時，由光源500提供的光的損失會增加。當第一基板110和第二基板210相對厚時，會難以制造柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置。在本發明的示范性實施方式中，用作光導板的第一基板110可以相對厚。第二基板210可以相對薄。因此，可以減少光的損失，并且制造柔性顯示裝置或可折疊顯示裝置可以是可更容易獲得的。

圖3示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖3所示的根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的幾個方面類似于如參照圖1描述的本發明的示范性實施方式。因此，可以省略重復的說明。

根據圖3，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100包括第一基板110、第一偏振層12和低折射層250。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。低折射層250可以提供在第一基板110和第一偏振層12之間。低折射層250可以提供在第一基板110上。第一偏振層12可以提供在低折射層250上。

低折射層250可以包括具有一折射率的材料。包括在低折射層250中的材料的折射率可以低于第一基板110的折射率。第一基板110的折射率可以大于約1.5且小于約2.0。在此情況下，低折射層250可以包括具有小于約1.0的折射率的材料。具有比第一基板110的折射率低的折射率的材料可以涂覆在第一基板110上。可以進行烘焙工藝以產生低折射層250。

由光源500提供的光可以輸入到第一基板110的側表面。由光源500提供的光可以被基本上完全反射到第一基板110中，并可以在其中運動。當光從具有大折射率的介質行進到具有小折射率的介質時，會發生全反射。在本發明的示范性實施方式中，具有比第一基板110的折射率低的折射率的低折射層250可以提供在第一基板110上。因此，可以引起由光源500提供的光的基本上完全的反射。當輸入到第一基板110的光的入射角小于全反射的閾值角度時，光可以穿過第一基板110。

當在第一基板110中不發生基本上完全的反射時，由光源500提供的光的大部分會穿過第一基板110的部分區域。第一基板100的部分區域可以包括最靠近光源500的邊緣。因此，光不能被足夠地提供到遠離光源500的部分。在本發明的示范性實施方式中，低折射層250可以提供在第一基板110上，這可以在第一基板110中引起基本上完全的反射。因此，光可以被足夠地提供到遠離光源500的部分。因此，可以提高離開第一基板110的上表面的光的均勻性。

圖4示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖4所示的根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的幾個方面類似于如參照圖3描述的本發明的示范性實施方式。因此，可以省略重復的說明。參照圖4，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第一顯示面板100可以包括第一基板110、第一偏振層12、低折射層250和突出圖案260。第一偏振層12可以提供在第一基板110上。低折射層250可以提供在第一基板110和第一偏振層12之間。突出圖案260可以提供在低折射層250和第一偏振層12之間。低折射層250可以提供在第一基板110上。突出圖案260可以提供在低折射層250上。第一偏振層12可以提供在突出圖案260上。

突出圖案260可以具有棱鏡形狀。突出圖案260的橫截面形狀可以為三角形。突出圖案260可以具有從低折射層250的上表面突出的形狀。穿過第一基板110和低折射層250的光可以穿過突出圖案260，這可以改變其行進方向。光可以通過突出圖案260而在垂直于第一基板110的方向上行進。因此，可以防止在相對于第一基板110傾斜的方向上行進的光被損失或影響相鄰的像素而導致色移。因此，突出圖案260可以用作棱鏡片。

突出圖案260可以通過采用模子或光刻工藝產生。例如，材料層可以通過采用薄片(sheet)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和聚酰亞胺(pi)中的一種而形成在低折射層250上。模子可以提供在該材料層上。模子可以被擠壓以產生突出圖案260。可選地，材料層可以用丙烯酸、光致抗蝕劑或有機層形成在低折射層250上。該材料層可以通過光刻工藝被圖案化以產生突出圖案260。

第三鈍化層265可以提供在突出圖案260上。第三鈍化層265可以包括無機絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。第一偏振層12可以提供在第三鈍化層265上。

圖5示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖5所示的根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的幾個方面類似于如參照圖4描述的本發明的示范性實施方式。因此，可以省略重復的說明。參照圖5，突出圖案260可以提供在低折射層250和第一偏振層12之間。

突出圖案260可以具有半球形形狀。突出圖案260的橫截面形狀可以為半圓形。突出圖案260可以具有從低折射層250的上表面突出的形狀。

圖6示出根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的截面圖。

如圖6所示的根據本發明的示范性實施方式的液晶顯示裝置的幾個方面類似于如參照圖1描述的本發明的示范性實施方式。因此，可以省略重復的說明。參照圖6，液晶顯示裝置可以包括第一顯示面板100、第二顯示面板200和液晶層3。第一顯示面板100和第二顯示面板200可以彼此面對。液晶層3可以提供在第一顯示面板100和第二顯示面板200之間。

第二顯示面板200可以包括第二基板210、薄膜晶體管q、像素電極191和第二偏振層22。薄膜晶體管q可以提供在第二基板210下面。像素電極191可以連接到薄膜晶體管q。第二偏振層22可以提供在第二基板210和薄膜晶體管q之間。第二偏振層22可以提供在第二基板210下面。薄膜晶體管q可以提供在第二偏振層22下面。

第二偏振層22可以包括第二線柵偏振圖案215。第二偏振層22的第二線柵偏振圖案215可以被產生以類似于第一偏振層12的第一線柵偏振圖案115。第二偏振層22的第二線柵偏振圖案215可以具有平面形狀，其中線性圖案以規則的間隔周期性地設置。線性圖案可以具有約100nm至約200nm的寬度。第二偏振層22的第二線柵偏振圖案215的形成可以與第一偏振層12的第一線柵偏振圖案115的形成不同。第二線柵偏振圖案215可以包括金屬材料。例如，第二線柵偏振圖案215可以包括鋁(al)、鈦(ti)、鉻(cr)、銀(ag)、金(au)、鎳(ni)或其合金。金屬材料可以被沉積以產生薄膜。該薄膜可以通過光刻和蝕刻工藝圖案化以產生第二線柵偏振圖案215。

絕緣層120可以提供在第二偏振層22和薄膜晶體管q之間。絕緣層120可以包括無機絕緣材料，諸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。絕緣層120可以防止包括金屬材料的第二偏振層22和薄膜晶體管q的柵電極124短路。柵電極124可以提供在絕緣層120下面。

盡管已經結合本發明的示范性實施方式描述了本公開，但是將理解，本發明的示范性實施方式不限于此。如這里描述的本發明的示范性實施方式旨在覆蓋被包括在權利要求書的精神和范圍內的各種修改和等同布置。

本申請要求于2016年3月24日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2016-0035378號的優先權和權益，其全部內容通過引用結合于此。