本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種曝光劑量修正派件方法、系統(tǒng)、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、目前因?yàn)楣饪虣C(jī)臺(tái)的特性，無(wú)法很好的控制晶圓內(nèi)的線寬均勻性(criticaldimension?uniform，cdu)。在40以下的節(jié)點(diǎn)，關(guān)鍵的poly層必須上曝光劑量修正(dosemapper，doma)功能來(lái)更好的維護(hù)刻蝕后的關(guān)鍵尺寸(after?etch?inspection，aei)、關(guān)鍵尺寸(critical?dimension，cd)的統(tǒng)一性。據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)表明，上了曝光劑量修正功能之后能提高整體器件的統(tǒng)一性30％。而曝光劑量修正是刻蝕之后才能看到關(guān)鍵尺寸的完成情況，一般發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，晶圓已經(jīng)無(wú)法挽救。并且通常的曝光劑量修正卡控下貨，是由光刻機(jī)臺(tái)工藝工程師來(lái)維護(hù)運(yùn)行，成本非常大。

2、因此，有必要提供一種新型的曝光劑量修正派件方法、系統(tǒng)、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種曝光劑量修正派件方法、系統(tǒng)、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，以降低成本。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的所述曝光劑量修正派件方法，包括：

3、根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息，所述曝光劑量修正流程信息包括子工藝配方和分配裝配信息；

4、將所述子工藝配方傳輸給光刻機(jī)臺(tái)，將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)，所述光刻機(jī)臺(tái)根據(jù)所述子工藝配方對(duì)待處理批次的晶圓進(jìn)行光刻，以得到光刻后晶圓；

5、根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到所述刻蝕機(jī)臺(tái)的相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕。

6、可選地，根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息之前，還包括：

7、檢查待處理批次的晶圓是否具有曝光劑量修正標(biāo)識(shí)；

8、若待處理批次的晶圓具有曝光劑量修正標(biāo)識(shí)，則根據(jù)所述刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息。

9、可選地，所述曝光劑量修正派件方法還包括配置待處理批次的晶圓進(jìn)行曝光劑量修正的標(biāo)識(shí)，用于標(biāo)識(shí)待處理批次的晶圓需要進(jìn)行光爆劑量修正。

10、可選地，所述曝光劑量修正派件方法還包括配置待處理批次的晶圓的曝光劑量修正流程信息。

11、可選地，所述配置待處理批次的晶圓的曝光劑量修正流程信息，包括：

12、配置待處理批次的晶圓的子工藝配方和分配裝配信息。

13、可選地，將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)之前，還包括：

14、檢查所述光刻機(jī)臺(tái)的狀態(tài)以及是否獲取子工藝配方；

15、若所述光刻機(jī)臺(tái)的狀態(tài)正常，且獲取了子工藝配方，則將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)。

16、可選地，根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到所述刻蝕機(jī)臺(tái)的相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕之前，還包括：

17、檢查所述刻蝕機(jī)臺(tái)；

18、若所述刻蝕機(jī)臺(tái)的狀態(tài)正常，則根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕。

19、可選地，所述根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)空閑情況選取曝光劑量修正流程信息，包括：

20、實(shí)時(shí)派工系統(tǒng)根據(jù)所述刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況對(duì)待處理批次的晶圓選取曝光劑量修正流程信息。

21、可選地，所述將所述子工藝配方傳輸給光刻機(jī)臺(tái)，包括：

22、實(shí)時(shí)派工系統(tǒng)將所述曝光劑量修正流程信息發(fā)送給制造執(zhí)行系統(tǒng)；

23、所述制造執(zhí)行系統(tǒng)從所述曝光劑量修正流程信息中獲取子工藝配方，并將所述子工藝配方發(fā)送給設(shè)備自動(dòng)化編程系統(tǒng)；

24、所述設(shè)備自動(dòng)化編程系統(tǒng)將所述子工藝配方發(fā)送給所述光刻機(jī)臺(tái)。

25、本發(fā)明還提供了一種曝光劑修正派件系統(tǒng)包括獲取單元和分配單元，所述獲取單元用于根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息，所述曝光劑量修正流程信息包括子工藝配方和分配裝配信息，分配單元用于將所述子工藝配方傳輸給光刻機(jī)臺(tái)，將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)，使所述光刻機(jī)臺(tái)根據(jù)所述子工藝配方對(duì)待處理批次的晶圓進(jìn)行光刻，以得到光刻后晶圓，然后根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到所述刻蝕機(jī)臺(tái)的相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕。

26、本發(fā)明還提供了一種裝置，包括：

27、處理器；

28、用于存儲(chǔ)處理器可執(zhí)行指令的存儲(chǔ)器；

29、其中，所述處理器被配置為執(zhí)行所述存儲(chǔ)器的指令時(shí)，實(shí)現(xiàn)所述曝光劑量修正派件方法。

30、本發(fā)明還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括計(jì)算機(jī)指令，所述計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時(shí)，實(shí)現(xiàn)所述曝光劑量修正派件方法。

31、本發(fā)明的有益效果在于：根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息，所述曝光劑量修正流程信息包括子工藝配方和分配裝配信息，將所述子工藝配方傳輸給光刻機(jī)臺(tái)，將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)，所述光刻機(jī)臺(tái)根據(jù)所述子工藝配方對(duì)待處理批次的晶圓進(jìn)行光刻，以得到光刻后晶圓，根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到所述刻蝕機(jī)臺(tái)的相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕，不需要工藝工程師人為卡控下貨，減少了成本。

技術(shù)特征：

1.一種曝光劑量修正派件方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息之前，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，還包括配置待處理批次的晶圓進(jìn)行曝光劑量修正的標(biāo)識(shí)，用于標(biāo)識(shí)待處理批次的晶圓需要進(jìn)行光爆劑量修正。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，還包括配置待處理批次的晶圓的曝光劑量修正流程信息。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，所述配置待處理批次的晶圓的曝光劑量修正流程信息，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)之前，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到所述刻蝕機(jī)臺(tái)的相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕之前，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，所述根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)空閑情況選取曝光劑量修正流程信息，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光劑量修正派件方法，其特征在于，所述將所述子工藝配方傳輸給光刻機(jī)臺(tái)，包括：

10.一種曝光劑修正派件系統(tǒng)，其特征在于，包括獲取單元和分配單元，所述獲取單元用于根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息，所述曝光劑量修正流程信息包括子工藝配方和分配裝配信息，分配單元用于將所述子工藝配方傳輸給光刻機(jī)臺(tái)，將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)，使所述光刻機(jī)臺(tái)根據(jù)所述子工藝配方對(duì)待處理批次的晶圓進(jìn)行光刻，以得到光刻后晶圓，然后根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到所述刻蝕機(jī)臺(tái)的相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕。

11.一種裝置，其特征在于，包括：

12.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，包括計(jì)算機(jī)指令，所述計(jì)算機(jī)指令被處理器執(zhí)行時(shí)，實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1～9任意一項(xiàng)所述的曝光劑量修正派件方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種曝光劑量修正派件方法、系統(tǒng)、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，包括根據(jù)刻蝕機(jī)臺(tái)的空閑情況選取曝光劑量修正流程信息，所述曝光劑量修正流程信息包括子工藝配方和分配裝配信息，將所述子工藝配方傳輸給光刻機(jī)臺(tái)，將待處理批次的晶圓分派給所述光刻機(jī)臺(tái)，所述光刻機(jī)臺(tái)根據(jù)所述子工藝配方對(duì)待處理批次的晶圓進(jìn)行光刻，以得到光刻后晶圓，根據(jù)所述分配裝配信息將所述光刻后晶圓分配到所述刻蝕機(jī)臺(tái)的相應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕，不需要工藝工程師人為卡控下貨，減少了成本。

技術(shù)研發(fā)人員：金楠特
受保護(hù)的技術(shù)使用者：芯恩（青島）集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28