本發(fā)明涉及電光元件和光學(xué)調(diào)制元件。

背景技術(shù)：

1、鈮酸鋰(linbo3、以下有時(shí)記作“l(fā)n”)具有大的電光常數(shù)，因此，適合作為電光元件的材料。使用ln單晶基板的電光元件具有優(yōu)異的高頻響應(yīng)特性，因此，被利用于光學(xué)調(diào)制器、光學(xué)開(kāi)關(guān)等器件。

2、以往，作為使用ln單晶基板的電光元件，存在具有使ti(鈦)在ln單晶基板的表面附近擴(kuò)散而成的光波導(dǎo)的光學(xué)調(diào)制元件。

3、然而，這種光學(xué)調(diào)制元件的光波導(dǎo)的截面形狀大，電場(chǎng)效率差。因此，具有使用ln單晶基板的光學(xué)調(diào)制元件的光學(xué)調(diào)制器具有長(zhǎng)達(dá)10cm左右的全長(zhǎng)。

4、近年來(lái)，要求將電光元件小型化。作為小型電光元件，存在具有由在單晶基板上外延生長(zhǎng)的ln膜形成的光波導(dǎo)的光學(xué)調(diào)制元件。這種光學(xué)調(diào)制元件通過(guò)減小光波導(dǎo)的截面形狀而得到良好的電場(chǎng)效率，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)大幅的小型化。

5、例如，專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種光波導(dǎo)元件，其具有由鈮酸鋰膜形成且截面由具有脊?fàn)畹募共啃纬傻牟▽?dǎo)，所述鈮酸鋰膜為在單晶基板上形成的外延膜。

6、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

7、專利文獻(xiàn)

8、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2015-230466號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問(wèn)題

2、具有由在單晶基板上外延生長(zhǎng)的ln膜形成的光波導(dǎo)的光學(xué)調(diào)制元件與具有使ti(鈦)在ln單晶基板的表面附近擴(kuò)散而成的光波導(dǎo)的光學(xué)調(diào)制元件相比，能夠大幅地小型化。

3、然而，具有由在單晶基板上外延生長(zhǎng)的ln膜形成的光波導(dǎo)的光學(xué)調(diào)制元件的dc漂移大。

4、具有由在單晶基板上外延生長(zhǎng)的ln膜形成的光波導(dǎo)的光學(xué)調(diào)制元件中，調(diào)制波形因?qū)鈱W(xué)調(diào)制元件的電極施加的dc(直流)電壓而移動(dòng)。使用ln膜的光學(xué)調(diào)制元件的調(diào)制波形隨著dc(直流)電壓的施加時(shí)間的經(jīng)過(guò)而發(fā)生變化。將該調(diào)制波形的經(jīng)時(shí)變化稱為dc漂移。

5、本發(fā)明是鑒于上述課題而進(jìn)行的，其目的在于，提供具有由在基板上外延生長(zhǎng)的鈮酸鋰膜形成的光波導(dǎo)且抑制了dc漂移的電光元件。

6、用于解決問(wèn)題的方案

7、本發(fā)明的一個(gè)方式所述的電光元件具有：?jiǎn)尉Щ?、由在前述單晶基板的主面上接觸而形成的電介質(zhì)薄膜形成的光波導(dǎo)、以及對(duì)前述光波導(dǎo)施加電壓的電極，前述電介質(zhì)薄膜由鈮酸鋰膜形成，所述鈮酸鋰膜為c軸取向的外延膜，前述鈮酸鋰膜的c軸長(zhǎng)為以上。

8、發(fā)明的效果

9、本發(fā)明的電光元件具有由在單晶基板的主面上接觸而形成的電介質(zhì)薄膜形成的光波導(dǎo)，電介質(zhì)薄膜由鈮酸鋰膜形成，所述鈮酸鋰膜為c軸取向的外延膜，鈮酸鋰膜的c軸長(zhǎng)為以上。因此，成為利用電極對(duì)光波導(dǎo)施加電壓時(shí)的dc漂移受到抑制的電光元件。

技術(shù)特征：

1.一種電光元件，其具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光元件，其中，所述鈮酸鋰膜的c軸長(zhǎng)為以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光元件，其中，所述單晶基板是所述主面為c面的藍(lán)寶石單晶基板。

4.一種光學(xué)調(diào)制元件，其由權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電光元件形成。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供電光元件和光學(xué)調(diào)制元件。一種電光元件，其具有：?jiǎn)尉Щ濉⒂稍谇笆鰡尉Щ宓闹髅嫔辖佑|而形成的電介質(zhì)薄膜形成的光波導(dǎo)(10)、以及對(duì)光波導(dǎo)(10)施加電壓的電極，電介質(zhì)薄膜由鈮酸鋰膜形成，所述鈮酸鋰膜為c軸取向的外延膜，鈮酸鋰膜的c軸長(zhǎng)為以上。

技術(shù)研發(fā)人員：佐佐木權(quán)治,菊川隆,梅本周作
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TDK株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24