1.一種基于具有梯度組分的鈮酸鍶鋇晶體的光偏轉方法，其特征在于，該方法包含以下步驟：
2.根據權利要求1所述的基于具有梯度組分的鈮酸鍶鋇晶體的光偏轉方法，其特征在于：所述sbn晶體作為電光偏轉元件使用時，將其溫度控制在有效居里溫度以下3～5℃范圍內。
3.根據權利要求1所述的基于具有梯度組分的鈮酸鍶鋇晶體的光偏轉方法，其特征在于：提拉法生長出的sbn晶體需要在高溫氧氣氣氛下進行退火，退火溫度為1200℃-1300℃，恒溫時間為12-24小時，升降溫速度為100-200℃/h。
4.根據權利要求1所述的基于具有梯度組分的鈮酸鍶鋇晶體的光偏轉方法，其特征在于：所述sbn晶體為四方相，用做電光偏轉時，不能進行高壓極化處理。
5.根據權利要求1所述的基于具有梯度組分的鈮酸鍶鋇晶體的光偏轉方法，其特征在于：在sbn晶體上施加的最大偏轉電壓應小于800v/mm。
6.根據權利要求1所述的基于具有梯度組分的鈮酸鍶鋇晶體的光偏轉方法，其特征在于：雙層金屬電極均采用磁控濺射的方法在表面鍍膜，內層電極厚度為50-150nm，外層電極厚度為100-200nm。
7.根據權利要求1所述的基于具有梯度組分的鈮酸鍶鋇晶體的光偏轉方法，其特征在于：金屬電極濺射完成后，需對其進行快速退火處理，退火溫度為300-500℃，恒溫時間為5-10分鐘，升溫時間為5-30秒，退火氣氛為氮氣或者氬氣。
8.一種如權利要求1-7任一項所述的制備方法制備的電光偏轉器件。