專利名稱：用于聚合物基體的不透射線涂層的制作方法
技術領域：
本發明涉及在聚合物基體上的不透射線金屬涂層，特別是改進 的在非金屬醫療裝置上不透射線涂層。
背景技術：
人體內部器官及內環境的可視化在診斷及選擇治療方法上很 重要。穿過患者體內的微小切口來實施微創法。 一旦處于體內，有 必要為該方法確認目標區域，并能夠有效地對該區域進行治療。
在當前使用中普遍使用的方法是基于熒光檢驗法。熒光檢查器 是裝配有熒光屏的x-射線裝置，由于經過一個物體的x-射線的不同 透射形成陰影圖像，可以在該熒光屏上持續觀察到諸如人體的不透 光物體的內部結構。
金作為不透射線材料的使用很普遍。通常其應用涉及復雜的遮 蔽(complex masking)、種子層、及昂貴的加工。化學品的高毒性
和難于處理，以及庫毛時的真空處理可導致高成本。金是所用的4交昂 貴金屬之一，尤其是由于粘結及廢物回收受到限制。
為了提高體內環境的可視性，對于在熒光檢查器上具有更高可 視性(即，增長的射線不透性)的工具存在增長的需求，以便確定 更精確的治療法。由于金屬是高度不透射線的，它是熒光檢驗的理 想材料，但是金屬的彈性很有限，及具有很大的導致磨損的風險。 不幸的是，在當前使用中，塑料和聚合物不具有足夠的射線不透性， 不能為X-射線檢測提供令人滿意的結果。
在有效涂覆那些具有復雜形狀或不具電導性的表面方面，固定 是常見的問題。在大部分不透射線的應用中，對于整個表面覆蓋， 帶、條或其他不透射線的標記物是優選的。為了制造這些結構(又 要節約在昂貴的不透射線材料上的花費)，需要能夠將電流傳遞至 特定點的復雜固定。即使可將電流傳遞至非導電性醫療裝置上的特 定點或帶，仍需要種子層來傳導在施加有涂層的點的電流。
將種子層施加至非導電性材料通常是重要的問題。這通常需要 復雜的遮蔽，還需要使用不同的沉積寺支術，諸如濺射或離子束輔助
沉積(IBAD)。這是致使問題解決的高成本步驟，提高的成本來自 雙重處理且通常導致差的涂層粘附性。
電鍍是當前用于涂覆醫療裝置最常用的方法；而電化學制造方 法產生了嚴重的腐蝕性廢物處理問題。金和鉑是可以容易地電鍍至 所需厚度的4義有的兩個不透射線性、生物相容性材料。這兩種方法 均使用了諸如氰化物的腐蝕性液體，其需要以環境可接受方式加以
毒性廢物的后處理不僅昂貴，并且非常困難。
在醫療裝置市場上的不透射線涂層的需求是眾所周知的。跟
蹤、放置、測量、定尺度(scale )、及定位是現代微創手術中缺乏 的必需要素中的一部分。當前技術限于被彎曲至導管的金屬帶以及 昂貴的真空方法。由于彎曲帶的定界(delimitation)的頻繁發生， 彎曲的金屬帶變得越來越是個問題，經常難以接受。另外，隨著健 康護理的成本的增高，用昂貴的、差粘附性的涂料涂覆的非金屬醫 療裝置的成本效益由于低的利潤率而下降。
人們已經作出努力來將不透射線涂層施加至一系列的基體，諸 如塑料、聚合物、及陶瓷。在用不透射線材料涂覆聚合物中的關鍵 問題是，大部分諸如濺射或電鍍涂覆的本領域方法的現狀將粘著性 限制于柔性基體或為醫療用途需要彈性的裝置。盡管延長的處理時 間導致成本的增加，但是為了達到滿足要求的粘附性，額外的涂覆 層是必要的。
由于塑料是非導電體，所以塑料部分不容易進行電鍍。 一種金 屬化的方法是使用 一 系列的步驟來獲得適當粘附性的涂層。可以將 塑料金屬化，但這些步驟是繁瑣的且通常成本高，為了有效電鍍， 需要若干步驟。最初，塑料必須是完全不含任何油、油脂、或任何 塑料注射成型化合物。如果不進行適當的清潔，過一段時間，金屬 將從電鍍的塑料部件剝落。然后，將該部件在強侵蝕性鉻/硫酸酸性 鍍液中(未完全達到用于醫療裝置的FDA要求)進行處理，以腐 蝕塑料表面。將部件置于氯化4巴鍍液中以使金屬顆粒沉積至在塑料 表面上形成的坑中。在鈀金屬沉積之后，使用銅金屬對該部件進行 電鍍，然后再鍍4各或其他諸如鎳或金的金屬。
現有4支術處理方法的現狀在其能力方面^皮限制為生產成本效 益產品且對于在人體或動物體中的使用(尤其是在心臟及動脈方 面)是安全的。

發明內容
本發明涉及在聚合物醫療裝置上沉積不透射線金屬涂層的方 法。所沉積的涂層足夠厚以〗更防止X-射線透射，且仍不影響聚合物 的性能，諸如彈性(其可影響醫療過程)。
在一個方面，該方法提供改進的金屬涂層，以提高用于內部可 視化或治療的醫療裝置部件的射線不透性。可以有效地在非金屬基 體上制出粘著力提高及對于X-輻射不可透的涂層。在聚合物及塑料
上的密實的涂層在熒光檢查器及x-射線應用中具有低的可視性，從
而提高了人體中放置及跟蹤的準確性。
根據本發明，可通過控制金屬離子等離子體沉積來提高射線不 透性，以便在聚合物上形成相對較薄但高度密實的宏觀顆粒的涂 層。這就提供了不透射線膜，其不影響在體內操作所需的柔性，而
同時可以4吏用x-射線。
本發明采用一種被改進的以便在聚合物表面上提供宏觀粒子
表面一層狀不透射線膜的IPD方法。與電鍍膜諸如金相比，不僅實 現了意料不到的性能提高，而且實現了射線不透性的顯著增強。可 將涂層沉積至彈性聚合物上、諸如陶瓷的其他非不透射線材料上、 及需要增強的射線不透性的最低射線不透性材料上。相比較其他的 氣相沉積法及電鍍方法，所披露的IPD方法具有極高的體積輸出量 及相對〗氐的成本。
因此除用于涂層制造的更加經濟的方法及設備之外，現在，顯 著改進的不透射線的涂層可以用于人體內操作所需的彈性材料上。
ipd方法的使用提供了不透射線膜，相比傳統生產的不透射線 涂層及用于沉積不透射線涂層的方法(諸如'l"曼且相對成本高的電 鍍)具有多個優點。
在塑料上使用其他的物理氣相沉積(pvd)方法、電鍍、或化 學鍍來獲得令人滿意的金屬粘著性，同時保持原始基體的所有物理 性能是困難的。對于大部分通過這些方法沉積的金屬，其粘著力依 賴于鈥或4各的撞擊層(strike layer),甚至在基體彎曲、扭曲或伸展 的情況下傾向于剝離(分層)。ipd沉積法的使用使涂層嵌入進聚合 物中，所以事實上消除了剝離及剝落。
盡管電鍍與化學鍍是相對低溫的方法(低于70。c),大部分等 離子體氣相沉積法需要預熱循環及輝光》文電，通常，兩者導致溫度 超過200°c。大部分塑沖+在這個溫度以下能完全殳容融。ipd方法可 在低得多的溫度下實施，實現了低熔點塑料的有效涂覆，而不對原 始基體的性質造成不利影響。這種低溫沉積可通過控制沉積速率， 尤其是控制在ipd方法中產生的宏觀顆粒的沉積來實現。 一般地， 較高的宏觀顆粒沉積速率導致較低溫度的沉積，而較低沉積速率導 致4交高溫度沉積。通常宏觀顆粒不帶電，因此沉積時不會在基體上 產生電流。另外，基體花費更少的時間在等離子體中，所以如果有 熱產生也是極少的。
不同于傳統的pvd及電鍍方法，可將ipd沉積的不透射線涂 層根據需要進行調節，且還實現了高的生產量，也不會犧牲在醫療 裝置制造中所渴求的涂層質量及經濟性。
可以4吏用ipd方法沉積出在通過傳統ipd方法沉積時通常不會 提供可接受的射線不透性的金屬涂層。例如鵠、鉬、及銥，與更昂 貴的金屬諸如金相比，在相當的厚度下具有更高的射線不透性。因 此，^吏用所述的ipd方法可以用更短的處理時間內獲得的更薄的涂
層達到相同的不透射線效果。這導致了很大的成本節約及更高的生 產量，這是顯著的優點。
通常的等離子體氣相沉積及電鍍是視線沉積(line of sight deposition ),因此4艮難涂覆復雜的裝置而不用復雜的固定物 (fixture )。即使具有適合的固定物，也可能不會對彎曲的裝置表面 進行均勻的涂覆。所4皮露的IPD方法允許非—見線(non - line of sight) 涂覆，其不用復雜的固定物但仍保持不透射線性能，使涂層很容易 適應于部4牛。
可以從原子序數大于21、密度大于4.5g/cm2的任意金屬來生產 高度不透射線的涂層，特別是Ti、 Zr、 Cr、 Co、 Ni、 Mo、 Pd、 Ag、 Hf、 Ta、 W、 Ir、 Pt、及Au;優選Ag、 Ti、 Cu及Au。可將這些金 屬在聚合物表面上沉積為薄膜，使這些高度不透射線的涂層理想地 用于導管、瓣膜、支架，尤其是適用于需要彈性的植入裝置。
不透射線涂層不必限于諸如金的單金屬。可<吏用兩種不同的 靶，以便可以利用一種金屬形成初始沉積，該金屬用粘著性的平滑 表面覆蓋該基體表面，如圖4所示，隨后用另一種金屬沉積，該另 一種金屬的沉積可以以不斷增長量的宏爿見顆粒(涂料中粒子尺寸的 連續體)進行，或更不連續地通過立即調節電弧速度和/或靶相對于 基體的位置來進4亍。例如，可/人第一個輩巴進行4太沉積，然后，以這 樣一種方式從第二個耙進行金沉積立即在鈦上形成鈦宏觀顆粒的
本發明是利用IPD方法在聚合物表面沉積不透射線涂層的新 途徑。首先，在基體上沉積基本不含宏^見顆粒的涂層，4妻著再另外 涂覆可來自第二耙材沖+的宏7見顆粒。優選地，該涂層雖然不均質， j旦看々乂單層，并;兄積至厚度為約1至約100jum。通常不需要更厚 的膜作為不透射線涂層。
通過控制基體與靶的距離和/或變化電弧速率，可確定沉積的宏 乂見顆粒的數目及密度。優選連續地進行該涂層的沉積，以i"更不存在 可辨別的多個層。當然也可沉積為第一層及第二層，以便每層具有 相區別的均質外7見。人們相^f言，只要涂層表面主要由宏^見顆沖立構成，
就不會影響不透射線特性。宏^L顆粒優選至少1 jum大小；更小的 宏觀顆粒可能具有較差的射線不透性。
宏》見顆粒的密度范圍最高達到90，000/cm2;雖然這種表面密度 為金提供了優異的不透射線性能，但并不要求達到最佳的密度，也 不要求該密度范圍對于其他金屬是最佳的。盡管人們相信理想的顆 粒尺寸將聚集在約lym的聚集范圍(它是本文所限定的"中等尺 寸")，^f旦沒有確定最佳的最大尺寸分布。
基體可以是任意所希望的材料，但是特別優選聚合物基體，因 為大多數需要不透射線表面的基體是存在于可視化比較重要的醫 療裝置中。實際上通過IPD方法可涂覆任意的塑料基體，包括PTFE 、 ePTFE、聚丙烯、聚酯、PEEK、 UHMWPE、石圭樹脂、聚酰亞胺及 ABS。聚酰亞胺及PEEK是優選的基體，因為醫療裝置通常由這種 材料構成。
上面使用所述不透射線涂層的醫療裝置的實例包括瓣膜、植入 物、導管、支架及管。特別優選將不透射線涂層用在PEEK脊骨植 入物及導管上。
可使用IPD方法生產的適宜的不透射線涂層包括金、鈦、鈮、 鉬及《合，金是特別優選的。也可使用4太，^旦優選用作內涂層，至少 在該涂層的表面上有金宏^見顆粒，因為金通常提供優于鈥的不透過 性。
涂層厚度優選為微米級。通常這種厚度提供好的不透射線性 能，當然可根據涂層金屬進行最優化。對于金的優選厚度為1-20 jum的范圍，更伊C選1、 5、 10、 15及20iam的范圍，最伊O選為5 ju m的范圍。
本發明的一個重要方面是不透射線膜本身。這些膜具有不一般 的表面，包括覆蓋在基本不含宏觀顆粒的粘著性底涂層上的密實宏 觀顆粒膜表面。涂層可通過沉積條件的控制達到均質，或通過利用 不同的沉積條件達到非均質。
本發明的涂層作為在多種類型的醫療工具(包括支架、導管、 瓣膜、管及植入物)上的不透射線涂層是所理想的。實際使用的涂 層厚度優選范圍為ljum至100nm。
定義
宏乂見顆粒指比單個離子大的顆粒。小的宏觀顆粒指乂人兩個原子 至約100nm的顆粒(也稱為納米顆粒)。中等宏觀顆粒指從100nm 至約1 m m的顆4立。大的宏》見顆if立指大于1 m m的顆岸立。
不透射線材料不允許x -射線的通過或傳播。
固定是在涂覆過程中重要的考慮因素。基體在涂覆過程中的各 種移動可有效地/f吏月莫的均質性最大化。當4吏用IPD方法時，在固定 基體上的每個點均與源(sourse)具有不同的空間關系。可移動4亍 星式基體固定通常采用具有一個或多個自由度的恒速機構，這種^L 構被設計用來使靶在大的基體區域達到平均而產生更均勻的涂層。
Y吏用離子束輔助沉積(IBAD)，以4吏濺射涂層增加密度。


圖1是IPD設備的簡圖靶材料l、基體2、用于調整基體與 輩巴的3巨離的才幾構3、真空室4、革巴的電源5。
圖2是IPD設備的另一個實施例；靶l、基體2、用于調整基 體與把的距離的才幾構3、真空室4、靶的電源5、及電弧速度控制器 6。
圖3是示出了以20x的放大倍率，在塑料(聚酰亞胺)基體上 的IPD沉積金膜在253 - 262 ju m的總范圍內的照片。調整沉積條件 以獲得高的宏觀顆粒密度。表面經計算對于尺寸約lnm或更大的 宏觀顆粒具有90，000/cm2的宏觀顆粒密度。
圖4是示出了以20x的放大倍率，在塑料(聚酰亞胺)基體上 的IPD沉積金膜在253 - 262|um的總范圍內的平滑表面結構的照 片。控制沉積條件，以便表面基本不含尺寸范圍liJm或更大的宏
觀顆粒。
圖5展示了具有兩個可同時使用或順次使用的靶的IPD設備； 革巴A 1;耙B 7;基體2;用于調整基體與耙A或耙B的距離的沖幾 構3;真空室4;用于控制任一靶的電源5及可選的用于任一靶的 電弧速度控制器6。
具體實施例方式
本工作的目的是提供一種在聚合物基體上產生高粘著性、不透 射線膜的方法。人們發現，受控離子等離子體沉積(IPD)方法能 夠增大不透射線涂料對聚合物的粘著性，而且比本行業所用的其他 傳統的不透射線涂覆及沉積方法具有更高的沉積速率。涂層優異的 粘著性可以使不透射線涂層直接沉積至聚合物基體。
新IPD方法的出人意料的方面是，從陰極(耙)噴射出并在基 體上沉積的宏觀顆粒事實上提高而不是降低了金屬涂層的不透射 線性能。雖然陰極電弧沉積方法比其他類型的等離子體沉積方法能 夠獲得更高的沉積速率，并傾向于產生更多的宏觀顆粒，但是出人
意料的是，特意增大宏觀顆粒沉積會4是高IPD沉積材料的不透射線 性，且可將得到薄膜形式的高質量膜。
本發明的 一 個方面是認識到可將等離子體沉積開發為特別適 合于不透射線涂層的沉積，不僅因為其能夠以高速率沉積并獲得更 優的粘著性，還由于增大宏 見顆粒沉積這一效果。本發明的部分還 涉及用于#是高宏顆粒的產生及沉積以在高沉積速率下獲得具有 良好粘著性的密實的、不透射線涂層的方法及設備。所生產的涂層 是密實的、高粘著性的、經濟的，并且在j氐千伏特(KV) x-射線 范圍內(其通常用于醫療用途)是高度可視的。
新IPD方法的一個特點是利用與靶的距離/電流關系。基體越 靠近電弧源，基體上將出現越多的宏觀顆粒。因為宏觀顆粒是從靶噴出的，它們經歷蒸發，以致飛行的時間越長，宏觀顆粒蒸發的物質 就越多。另外，或者是更高的電流，或者是將電流限制為在電弧裂 分(split,爆裂)之前出現的值，傾向于導致更多的及更大的宏觀 顆粒。
可以使用能夠4吏基體移動得離把更近和離該靶(陰極)更遠的 機動化單元，以最初沉積完全不含粗粒的膜，用來實現位于遠離靶 的位置的基體上的粘著性，然后，利用位于靠近耙的位置的基體進 行更宏觀顆粒的密實膜的沉積，其產生更不透射線的膜或涂層。雖 然這樣的機動化單元還未制成并在這個方法中使用，但是這可以說 是相當簡單的任務， 一旦本領域才支術人員理解本發明的原理，便可 以實現。
本發明的另一個特征是受控的IPD電源的使用，可將其進4亍i殳 置以使電弧的速度達到足夠慢(或足夠快)。電弧的傳播速度直接 與所產生的宏觀顆粒的量相關。基本上，減慢在靶(陰極)的表面 上的電弧速度將導致更宏觀顆粒的產生，其可用于增大宏顆粒的 密度，并因此增大膜的密度及最終的射線不透性。相反的，增大陰 極上的電弧速度將降低宏觀顆粒的產生，從而4是供更多可以嵌入至 基體表面中以產生更優的粘著性的高能量離子。美國專利 No.U.S.6，936,145描述了一種枳4成開關，其是4是高或降4氐電弧傳才番 速度的一種可行方法。這種電弧速度的提高或降低導致了有利于粘 著性的完全不含宏7見顆粒的膜的沉積(無內部運動)，隨后通過操: 縱電弧速度直4妻形成宏觀顆粒密實膜。
已經有人提出，將除金之外的其他材料根據其電子結構、在x-射線范圍的大的原子截面(在元素周期表中的較高原子序數)以及 密度來作為不透射線(材料)的可行候選物。除這些特性之外，如 果這些涂層材料用于醫療裝置上的不透射線涂層，它們必須是生物 可相容的。由于這些要求，鵠、鉬、鉭、及銥將適用于這些涂層。
對于諸如金或銀的材料，使用本發明的IPD方法獲得的典型的 涂覆速率的范圍為每分鐘100nm至5 Mm。使用新的IPD方法，可 以用每分鐘大于200nm的涂覆速率，每小時涂覆超過45,000平方 英寸。除了該提高的涂覆料率及大體積之外，由于單層涂覆的緣故， IPD方法每平方英寸需要更少的處理，這就意p木著更少的勞動量及 更高的處理速率/生產量。
實施例
實施例l-IPD不透射線方法
離子等離子體:^積、(Ionic Plasma Deposition, IPD )利用在輩巴 材料上的改進的受控陰極電弧放電以產生高能化等離子體。IPD在 一些方面不同于 一般的離子等離子體沉積，包括電弧速度的精確控 制。這實現了更快的移動，產生更少的宏觀顆粒而不使用傳感器或 過濾器；或者允許更慢的移動，產生大量的更大宏觀顆粒。還可以 選擇將兩種模式混合，以產生適度量的顆粒，或產生幾乎不含宏觀 顆并立的〉余層，然后形成宏》見密實f余層。可選;也，還可以通過在沉積、 過程中就基體與耙的距離而調整基體的運動，來控制宏觀顆粒的密 度。
幾種非金屬基體已經利用高度不透射線的涂層進行了涂覆，包 4舌PTFE、 ePTFE、聚丙丈希、聚酯、PEEK、 UHMWPE、石圭沖對脂、聚 酰亞胺及ABS。通過IPD方法沉積的涂層具有高的粘著性，且通常 發現其嵌入聚合物表面達100nm，所以事實上消除了剝落及剝離。
使用改進的IPD方法沉積不透射線涂層。圖1及圖2中示出了 典型的設備，其中，這兩個系統中的任意一個提供了靶金屬沉積的 控制。按照基體的尺寸及類型、靶材料(通常是金或普遍用于不透 射線膜的其他金屬)、及所希望的膜厚度來調整沉積條件。在膜的 制備中，將可能與彎曲的塑料管一樣復雜的基體與靶保持一定距離 進行放置，以便在表面上均勻地沉積金屬/金屬氧化物平滑膜。優選 厚度的范圍為約100nm。圖4是示出了利用圖1所示的IPD設^(其 中基體離銀靶4交遠，約24英寸)在不銹鋼基體上沉積的膜的表面 外只見的方文大20〗咅的照片。典型的4喿作參lt為真空壓力O.lmT至 30mT,才乘作溫度范圍為25。C至70°C。
為了獲得高度不透射線的膜，沉積優選為連續過程，其中可通 過或者改變電弧速度(圖2)或者調整基體相對于靶的位置(圖1 ), 以便沉積更大顆粒(即宏觀顆粒)來改變沉積的膜特性。在塑料(或 金屬)基體上的膜表面將包括密實的宏觀粒子表面，其中大部分密
實分布的顆粒的尺寸至少為ljum。為了引發膜沉積，在離基體約 24英寸處引發來自靶的金沉積，直至基體表面被涂覆。然后將基體 移至距耙約8英寸， -使得增加數量的宏 見顆粒被沉積。
優選將涂層沉積為連續層；即具有明顯不同物理性質的兩層。 貫穿膜的宏觀顆粒密度將從基體的表面而增大，這與電弧速度被改 變的速度和/或基體相對于靶進行移動的速度相關。可根據所沉積的 材料及為預期使用提供所需不透射線的厚度，來控制涂層的最終厚度。
涂層的不透射線性能將部分地由其厚度及材料的阻擋能力 (即，其吸收和/或反射x-射線的能力)來確定。原子序數、密度及 橫斷面均對阻擋能力有影響。使用所披露的IPD方法，在圓基體上 的厚度為l至5nm的金涂層，為醫療用途提供了足夠的射線不透性。
實施例2-在聚酰亞胺上的金的射線不透性
導管的試樣利用5、 10、 15、及20jum的不透射線金標記物進 行涂覆，并在傳統的導管室系統中進行4企測。標準的放射線學程序 使用60 kV的x-射線強度，對于大體型患者要使用90 kV。在一般 條件下(60kV)， 10、 15、及20ium的i式才羊是可一見的。 <吏用90 kV 的情況下，除10、 15、及20 jum的試樣和5 jum試樣都是可視的。 利用制備的試樣進行測試，而沒有用其他的生物質。圖3中示出了 典型金膜表面的外觀。初始沉積的金具有平滑表面(圖4),如果有 宏7見顆粒也是才及少量的。
實施例3: PEEK脊骨;ti^物的不透射線涂層
利用實施例1中所述的IPD方法用5jum厚的金涂層來涂覆由 PEEK構成的脊骨一直入物。該涂津+具有密實i也分布在涂層表面上的 平均lOOnm的宏觀顆粒。圖3中示出了 90，000cm2的典型的宏觀顆 粒分布。將才直入物遮蔽，以侵/f吏通常在x-射線輻射下不可一見的才直入 物的僅僅的有限區在涂覆時可視。這就使植入該裝置的醫療專業人 員及任何醫療專業人員在幾十年內均可十分4青確地看到才直入物的 定位。
利用60kV及90kV下的焚光4全查器，而沒有用其他的生物質 (biomass)的情況下，；險查植入物的涂覆部分。焚光4金查器的植入 物標記是高度可視的。
實施例4-在用哺乳動物組織覆蓋的PEEK脊骨植入物上的金 涂層的射線不透性
利用由實施例1的IPD方法沉積的5 |u m厚的金涂層來涂覆由 PEEK構成的脊骨4直入物。涂層具有密實地分布在涂層表面上的平 均lOOnm的宏觀顆粒。將植入物掩蔽，以便使通常在x-射線輻射下 不可^L的才直入物的但僅僅的有限區域，在涂覆時可一見。這就^f吏纟直入該 裝置的專業人員可十分4青確地看到才直入物的定位。
利用60 kV及90 kV下的熒光檢查器對涂覆部件進行照射，植 入物的頂部覆蓋有一 片 一英寸的豬肉。所得的熒光檢查器圖像示出 了清晰可視的植入物標記，并提供證據證明進行類似沉積的植入物 透過組織是可視的。
權利要求
1.一種在聚合物基體上沉積不透射線涂層的離子等離子體沉積(IPD)方法，包括在聚合物基體上沉積基本不含宏觀顆粒的第一涂層；在所述第一涂層上沉積第二高密度宏觀顆粒涂層；形成厚度在約1微米至約100微米之間的涂層；其中，電弧速度或所述基體表面離IPD靶的距離控制著宏觀顆粒的產生及密度。
2. 才艮據片又利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二涂層是連 續形成而沒有;冗積的中斷。
3. 根據權利要求2所述的方法，其中，在所述沉積的涂層中，宏耙的距離的變化而增大。
4. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述基本不含宏觀顆粒的 第一層與所述密實分布的宏觀顆粒第二層能夠明顯區分。
5. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述密實分布的宏觀顆粒 層包含約90,000個/cm2、 1樣t米或更大尺寸的宏觀顆粒。
6. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述塑料基體為PTFE、 ePTFE、聚丙蹄、聚酯、PEEK、 UHMWPE、石圭4對脂、聚酰亞 胺或ABS。
7. 4艮據^又利要求1所述的方法，其中，所述基體為聚酰亞胺或PEEK。
8. 才艮據權利要求1所述的方法，其中，所述基體是醫療裝置，選自由瓣膜、植入物、導管、支架及管組成的組。
9. 根據權利要求7所述的方法，其中，所述基體是PEEK脊骨植 入物。
10. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述基體為導管。
11. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述不透射線涂層是由金、 鈥、鈮、鉬或鉿形成。
12. 根據權利要求11所述的方法，其中，所述不透射線涂層是金 或鈦。
13. 根據權利要求11所述的方法，其中，所述不透射線涂層是金。
14. 根據權利要求11所述的方法，其中，所述金以l、 5、 10、 15 或20孩i米的厚度沉積。
15. 根據權利要求14所述的方法，其中，所述金被沉積成5微米 的厚度。
16. —種涂覆有不透射線膜的聚合物基體，所述膜包括在基本不含 宏觀顆粒的粘著性底涂層上的密實分布的宏觀顆粒膜表面，其 中該底涂層與所述膜表面相連續。
17. 根據權利要求16所述的聚合物基體，其中，所述涂層的厚度 在約100nm與約1《鼓米之間。
18. 根據權利要求16所述的聚合物基體，其中，所述基體是在醫 療應用中使用的裝置，選自由支架、導管、瓣膜、管及植入物 組成的組。
全文摘要
本發明描述了特別適用于聚合物基體的改進的不透射線涂層。使用改進的離子等離子體沉積(IPD)方法以提供具有宏觀顆粒密實表面的涂層，該表面具有優異不透射線性能。由于高的粘附性及抗剝離及剝落性，該涂層特別適用于聚合物表面。
文檔編號C23C14/24GK101370956SQ200680052711
公開日2009年2月18日 申請日期2006年11月7日 優先權日2006年1月30日
發明者丹尼爾·M·斯托里, 特倫斯·S·麥格拉思 申請人:變色龍科學公司