專利名稱：一種調節裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體工藝，尤其涉及一種用于調節化學氣相沉積反應腔中 噴管到電子吸盤的垂直距離的調節裝置。
背景技術：
在半導體領域中，反應腔是常用的設備，可用于化學氣相沉淀、物理氣相沉淀、以 及刻蝕等工藝過程。晶圓在反應腔中進行沉積、生長薄膜等過程，對于晶圓來說，均勻性是 晶圓質量的主要因素，也是產品質量的重要因素，而溫度的一致性對晶圓表面薄膜均勻性 有重要的影響。圖1為現有技術中所述化學氣相沉積反應腔的俯視圖，參考圖1，其中反應腔的腔 壁101，上設置有若干噴管103，，噴管103，固定在腔壁101，上，噴管103，的頭部位于電子 吸盤105’的頂部。在化學氣相沉積過程中，晶圓固定在電子吸盤105’的頂部，噴管103’ 噴出相應物質在晶圓表面沉積或生長薄膜。所述噴管103’均勻固定在腔壁101’上，且兩 兩相對，如圖1所示所述噴管103’可以為八個，均勻分布且兩兩相對，所述噴管103’的材 質為石英，所述石英具有良好的耐熱能力且不會吸附化學氣象沉積中噴出的離子。所述噴 管103’與腔壁101’中的鋁制管道(圖中未標示出)相連，由于所述鋁制管道已固定安裝 好，故噴管103’的傾角固定不變，但所述噴管103’伸出的長度不同，為使化學氣相沉積過 程中晶圓沉積、生長的薄膜具有良好的均勻性，要求每個噴管103’的頂端到電子吸盤105’ 的垂直距離要相等，尤其是位置相對的噴管103’的高度相等。而現有技術只能通過目測所 述噴管的高度或用直尺直接測量噴管103’到電子吸盤105’的高度進行調節，所述目測的 調節方法非常不準確，采用直尺直接測量的調節方法同樣會出現測量距離不垂直導致測量 不準確。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是，提供一種能夠準確調節化學氣相沉積反應腔中 噴管到電子吸盤的垂直距離的裝置。為解決上述問題，本實用新型提供一種調節裝置，用于調節化學氣相沉積反應腔 中噴管到電子吸盤的垂直距離，所述調節裝置包括底座和斜臺，所述底座的高度大于所述 噴管最低點到電子吸盤表面的垂直距離，所述斜臺的底面緊貼所述底座的頂面，所述斜臺 的斜面與底面的夾角等于所述噴管與水平面的夾角，所述斜面上設置有刻度值。進一步的，所述底座與所述斜臺為一體成型。可選的，所述底座為長方體。可選的，所述底座為長方體，所述底座的底面長度大于所述電子吸盤邊緣與所述 反應腔內壁的距離。可選的，所述底座為圓柱體。可選的，所述底座為圓柱體，所述底座的底面直徑大于所述電子吸盤邊緣與所述反應腔內壁的距離。較佳的，所述調節裝置的材質為可塑性材料。可選的，所述調節裝置的材質為金屬、塑料或木質。綜上所述，本實用新型中所述調節裝置能夠準確調節化學氣相沉積反應腔中噴管 到電子吸盤的垂直距離，并且所述調節裝置結構簡單，便于制作。

圖1為現有技術中所述化學氣相沉積反應腔的俯視圖。圖2為現有技術中所述化學氣相沉積反應腔的剖視圖。圖3為本實用新型測量裝置一實施例的結構示意圖。圖4為本實用新型測量裝置另一實施例的結構示意圖。圖5為本實用新型測量裝置使用方法一實施例的示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本實用新型的內 容作進一步說明。當然本實用新型并不局限于該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知 的一般替換也涵蓋在本實用新型的保護范圍內。其次，本實用新型利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本實用新型實例時，為了 便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應以此作為對本實用新型的限定。本實用新型的核心思想是由于所述化學氣相沉積反應腔中噴管的傾角固定不 變，故調整所述噴管伸出所述反應腔腔壁的長度相同，即可使所述噴管高度相同，故設計一 種可以調節所述噴管伸出所述反應腔腔壁的長度的調節裝置，所述調節裝置設有斜臺，所 述斜臺的斜面與底面的夾角等于所述噴管與水平面的夾角，所述斜臺上設置有刻度，將所 述斜臺緊靠在所述噴管上，調整所述噴管的長度，從而使所述噴管到所述電子吸盤的垂直 距離相同，從而在化學氣相沉積過程中能夠在晶圓表面均勻淀積、生長薄膜。圖3為本實用信息中調節裝置一實施例的結構示意圖，圖5為本實用新型測量裝 置使用方法一實施例的示意圖。如圖3和圖5所示，本實用新型提供一種調節裝置，用于調 節化學氣相沉積反應腔中噴管103到電子吸盤105的垂直距離，所述調節裝置包括底座203 和斜臺201，所述底座203的高度大于所述噴管103最低點到電子吸盤105表面的垂直距 離，所述斜臺201的底面緊貼所述底座203的頂面，所述斜臺201的斜面與底面203的夾角 等于所述噴管103與水平面的夾角，所述斜面上設置有刻度205。進一步的，所述底座203與所述斜臺201為一體成型。可選的，所述底座203為長方體或圓柱體。圖3、圖4、圖5為本實用新型測量裝置 不同一實施例的結構示意圖，其中圖3中底座為長方體，所述底座203為長方體，所述底座 203的底面長度大于所述電子吸盤105邊緣與所述反應腔101內壁的距離。圖4中所述底 座203為圓柱體，所述底座203的底面直徑大于所述電子吸盤105邊緣與所述反應腔101 內壁的距離。當然其他能夠進行測量的形狀的改變均在本實用新型的思想范圍內。所述調節裝置的材質為可塑性材料。所述調節裝置的材質為金屬、塑料或木質。本實用新型中所述調節裝置的使用過程為，選取一高度合適的噴管，將所述調節裝置放在所述電子吸盤105上，從該噴管103的側面移至其下方，所述底座203貼在所述電 子吸盤105的表面上，所述斜臺201貼在該噴管的下方，讀取并記錄所述噴管的最頂端在所 述斜臺201上的刻度205上的刻度值L，所述測量裝置從該噴管下方移出，移至其他噴管下 方后，將其他噴管的頂端調節至刻度值L處。綜上所述，本實用新型的調節裝置能夠準確調節化學氣相沉積反應腔中噴管到電 子吸盤的垂直距離，并且所述調節裝置結構簡單，便于制作。雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何 所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，當可作些許的更 動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求1.一種調節裝置，用于調節化學氣相沉積反應腔中噴管到電子吸盤的垂直距離，其特 征在于，所述調節裝置包括底座和斜臺，所述底座的高度大于所述噴管最低點到電子吸盤 表面的垂直距離，所述斜臺的底面緊貼所述底座的頂面，所述斜臺的斜面與底面的夾角等 于所述噴管與水平面的夾角，所述斜面上設置有刻度值。
2.如權利要求1所述的調節裝置，其特征在于，所述底座與所述斜臺為一體成型。
3.如權利要求1或2所述的調節裝置，其特征在于，所述底座為長方體。
4.如權利要求3所述的調節裝置，其特征在于，所述底座的底面長度大于所述電子吸 盤邊緣與所述反應腔內壁的距離。
5.如權利要求1或2所述的調節裝置，其特征在于，所述底座為圓柱體。
6.如權利要求5所述的調節裝置，其特征在于，所述底座的底面直徑大于所述電子吸 盤邊緣與所述反應腔內壁的距離。
7.如權利要求1或2所述的調節裝置，其特征在于，所述調節裝置的材質為可塑性材料。
8.如權利要求7所述的調節裝置，其特征在于，所述調節裝置的材質為金屬、塑料或木質。
專利摘要本實用新型提供一種調節裝置，用于調節化學氣相沉積反應腔中噴管到電子吸盤的垂直距離，所述調節裝置包括底座和斜臺，所述底座的高度大于所述噴管最低點到電子吸盤表面的垂直距離，所述斜臺的底面緊貼所述底座的頂面，所述斜臺的斜面與底面的夾角等于所述噴管與水平面的夾角，所述斜面上設置有刻度值。調節裝置能夠準確調節化學氣相沉積反應腔中噴管到電子吸盤的垂直距離，并且所述調節裝置結構簡單，便于制作。
文檔編號C23C16/455GK201842888SQ20102056512
公開日2011年5月25日 申請日期2010年10月16日 優先權日2010年10月16日
發明者許亮 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司