專利名稱：化學氣相沉積裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及化學氣相沉積技術領域，特別涉及一種化學氣相沉積裝置。
背景技術：
化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)是反應物質在氣態條件下發生化學反應，生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面，進而制得固體材料的工藝技術， 其通過化學氣相沉積裝置得以實現。具體地，CVD裝置通過進氣裝置將反應氣體通入反應室中，并控制反應室的壓強、溫度等反應條件，使得反應氣體發生反應，從而完成沉積工藝步驟。為了沉積所需薄膜，一般需要向反應室中通入多種不同的反應氣體，且還需要向反應室中通入載氣或吹掃氣體等其他非反應氣體，因此在CVD裝置中需要設置多個進氣裝置。以下以金屬有機化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,M0CVD)裝置為例，介紹現有技術中包括多個進氣裝置的CVD裝置。
MOCVD主要用于氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、氧化鋅等II1-V族，I1-VI族化合物及合金的薄層單晶功能結構材料的制備，隨著上述功能結構材料的應用范圍不斷擴大，MOCVD裝置已經成為化學氣相沉積裝置的重要裝置之一。MOCVD —般以II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源等作為反應氣體，用氫氣或氮氣作為載氣，以熱分解反應方式在基板上進行氣相外延生長，從而生長各種I1-VI化合物半導體、πι-v族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。由于II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源的傳輸條件不同，因此需要通過不同的進氣裝置分別將II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源傳輸至基板上方。
現有技術中的MOCVD裝置一般包括
反應腔；
位于所述反應腔頂部的噴淋組件，所述噴淋組件包括兩個進氣裝置，所述兩個進氣裝置分別將II族或III族金屬有機源和VI族或V族氫化物源傳輸至基板上方；
與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座具有加熱單元，所述基座用于支撐和加熱基板。
所述噴淋組件根據反應氣體的氣流與相對基板的流動方向不同，分為垂直式和水平式。水平式噴淋組件是指所述噴淋組件使得反應氣體的氣流沿平行于基板的水平方向流動；垂直式噴淋組件是指反應氣體的氣流沿垂直基板的樹直方向流動。與水平式噴淋組件相比，垂直式噴淋組件能產生二維軸對稱流動，抑制熱對流渦旋，分別在基板上方形成較均勻的速度、溫度和濃度邊界層，從而獲得更好的薄膜沉積。
參見中國專利公開號為CN101122012A，該專利申請提供了一種噴淋組件，其可實現III族金屬有機物和V族氫化物氣體分別從噴淋組件整體結構兩側獨立送氣，并在反應腔的襯底上方均勻噴射，其實現的方法為包括兩組梳狀噴淋頭，第一組梳狀噴淋頭由裝有進氣接頭I的氣體A總管2和多根平行排列的氣體A通氣支管3組成，所述氣體A通氣支管3的一端同所述氣體A總管2連通而另一端為封閉端，第二組梳狀噴淋頭由裝有進氣接頭4的氣體B總管5和多根平行排列的氣體B通氣支管6組成，所述各氣體B通氣支管6 的一端同所述氣體B總管5連通而另一端為封閉端，具體如圖1所示。
參見美國專利公開號為US2009/0098276A1，其提供了目前MOCVD裝置最通用的噴淋頭形式，III族金屬有機源和V族氫化物源氣體分別從兩個進氣口進入噴淋頭裝置的第一進氣總通道和第二進氣總通道，并通過第一支路通道和第二支路通道，最終進入混合通道，出氣后向基板噴射。III族金屬有機源氣體和V族氫化物源氣體分別在加熱的基板上發生熱分解反應，并外延生長成II1-V族化合物半導體。
現有技術中，CVD裝置中噴淋組件中每個進氣裝置與基座的距離均相等，且每個進氣裝置一般采用相同的材料，即每個進氣裝置的熱傳導系數相同，因此同一反應腔中的每個進氣裝置的溫度相同，最終使得所有反應氣體的溫度相同。但是不同反應氣體的分解溫度可能不同，如III族金屬有機源的分解溫度遠遠低于V族氫化物源的分解溫度。
當MOCVD裝置將III族金屬有機源和V族氫化物源氣體同時加熱到較高溫度時， III族金屬有機源便會先發生分解反應，并與V族氫化物源氣體發生反應，從而會產生大量的固體顆粒。一方面這些固體顆粒會沉積在噴淋組件的表面，最終可能會落在正在沉積的薄膜上；因此，為防止沉積在噴淋組件的表面的顆粒落在正在沉積的薄膜上，需要經常對噴淋組件進行清洗，從而增加清洗的成本；另一方面，這些固體顆粒的生成消耗了部分反應氣體，從而造成材料的浪費，而金屬有機(Metal Organic,MO)源材料的價格是很昂貴的,這必然就造成了生產成本的提高。同時，也肯定降低薄膜的沉積速率。
當MOCVD裝置將III族金屬有機源和V族氫化物源氣體同時加熱到較低溫度時，V 族氫化物源氣體就不易發生分解反應，最終就很難形成II1-V族致密薄膜。即使沉積得到薄膜，這些薄膜也會有很多氣孔，且很 容易脫落。
綜上所述，現有技術中MOCVD裝置將III族金屬有機源和V族氫化物源氣體加熱到同一溫度，最終反應沉積的薄膜的質量很差，且薄膜沉積速率低、生產成本高。在除MOCVD 裝置之外的其他CVD裝置中，也存在不同反應氣體所需的加熱溫度不同的情況，當將這些不同反應氣體加熱到同一溫度，同樣地，最終反應沉積的薄膜質量很差，且薄膜沉積速率低、生產成本高。類似地，在其他的CVD裝置中，也存在不同反應氣體需要不同溫度的情況。
因此，如何使CVD裝置為不同的反應氣體提供不同的溫度就成為亟待解決的技術問題。發明內容
本發明的目的是提供一種化學氣相沉積裝置，以為不同進氣裝置中的氣體提供不同的溫度。
為解決上述問題，本發明提供了一種化學氣相沉積裝置，一種化學氣相沉積裝置， 包括反應腔、冷卻裝置、位于所述反應腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座具有加熱單元，所述噴淋組件包括第一進氣裝置以及第二進氣裝置，用于分別將第一氣體以及第二氣體傳輸至基座與噴淋組件之間的反應區；其特征在于所述第一進氣裝置具有與所述冷卻裝置相接觸的第一上表面和與所述第一上表面相對的第一下表面，所述第一下表面面對所述基座，第二進氣裝置具有與冷卻裝置相接觸的第二上表面和與所述第二上表面相對的第二下表面，所述第二下表面面對所述基座，所述第一上表面與所述第一下表面的比率大于所述第二上表面與所述第二下表面的比率，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置具有不同的溫度。
優選地，所述冷卻裝置與所述第一進氣裝置層疊設置，所述冷卻裝置與所述第二進氣裝置層疊設置，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置并排設置。
優選地，所述第一上表面與所述第一下表面的比率大于或等于I且小于或等于5。
優選地，所述第二上表面與所述第二下表面的比率大于或等于十分之一且小于二分之一。
優選地，所述第一進氣裝置的熱傳導系數大于所述第二進氣裝置的熱傳導系數。
優選地，所述第一進氣裝置的材料包括石墨或碳化硅，所述第二進氣裝置的材料成分包括不銹鋼、鋁、銅、金、銀中的一種或多種。
優選地，所述第一進氣裝置的熱輻射系數小于或等于所述第二進氣裝置的熱輻射系數。
優選地，所述第一氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。
優選地，所述第二氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。
優選地，所述第一進氣裝置用于傳輸III族金屬有機源，所述第二進氣裝置用于傳輸V族氫化物源。
優選地，所述III 族金屬有機源包括 Ga(CH3)3、In(CH3)3、Al (CH3)3、Ga(C2H5)3、 Zn (C2H5) 3氣體中的一種或多種。
優選地，所述V族氫化物源包括NH3、PH3> AsH3氣體中的一種或多種。
優選地，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進氣裝置的溫度小于所述第二進氣裝置的溫度。
優選地，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置之間的溫度差大于或等于100°C 且小于或等于600°C。
優選地，所述第一進氣裝置的溫度大于或等于35°C且小于或等于600°C，所述第二進氣裝置的溫度大于或等于135°C且小于或等于800°C。
優選地,所述化學氣相沉積裝置還包括旋轉驅動單元,所述旋轉驅動單元驅動所述基座或噴淋組件在所述化學氣相沉積裝置的沉積過程中進行旋轉。
優選地，所述第二進氣裝置與所述第一進氣裝置之間具有間隔，且第二進氣裝置與所述第一進氣裝置之間不進行熱傳導。
優選地，所述冷卻裝置具有冷卻通道，用以通入冷卻氣體或者冷卻液體。
優選地，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置組合成為一個圓盤體，所述圓盤體被劃分為多個扇形區，所述多個扇形區包括多個第一扇形區和第二扇形區，所述第一扇形區和第二扇形區交替間隔設置，所述第一進氣裝置設置在所述圓盤體的第一扇形區，所述第二進氣裝置設置在所述圓盤體的第二扇形區。
優選地，所述第二進氣裝置包括具有若干排氣孔的若干氣體擴散單元，所述氣體擴散單元向所述反應區露出所述排氣孔以使得第二氣體能至所述排氣孔排出。
優選地，所述第一進氣裝置為擴散盤，所述第一上表面為所述擴散盤緊貼所述冷卻裝置的所述擴散盤上表面，所述下表面為與所述上表面相對的所述擴散盤下表面，所述上表面設置有第一進氣口以及氣體擴散槽，所述下表面設置有若干氣孔；所述第一氣體依次經由所述第一進氣口、氣體擴散槽和所述氣孔進入所述反應區。
優選地，所述氣體擴散槽具有至少一第一擴散槽與多個第二擴散槽，所述第一擴散槽沿著所述擴散盤的周沿環形設置，所述第二擴散槽沿著所述擴散盤的半徑方向設置， 所述第二擴散槽連接所述第一擴散槽，第二氣體通過所述第一擴散槽流入所述第二擴散槽，所述第二氣孔連接所述第二擴散槽。
優選地，所述第一進氣口設置為兩個，分別設置在所述擴散盤的相對兩側。
優選地，任一所述第一進氣口設置在所述第一擴散槽上，且位于相鄰兩所述第二擴散槽之間。
優選地，所述第二進氣裝置包括第二進氣通道、導氣盤以及若干氣體擴散管；所述第二進氣通道貫穿所述擴散盤的中心且與所述導氣盤垂直連接；所述氣體擴散管上設置有若干出氣孔，所述氣體擴散管的一端與所述導氣盤連接；所述第二上表面為所述第二進氣通道緊貼所述冷卻裝置的上表面，所述第二下表面為所述氣體擴散管和所述導氣盤面向所述基座的下表面；所述第二氣體依次經由所述第二進氣通道、導氣盤、氣體擴散管以及所述出氣孔進入所述反應區。
優選地，所述各氣體擴散管等長，并圍繞所述導氣盤呈放射狀均勻排布。
優選地，所述氣體擴散管的長度等于所述擴散盤半徑與所述導氣盤半徑之差。
優選地，所述氣體擴散管與所述擴散盤之間有間隔，且氣體擴散管與所述擴散盤之間不進行熱傳導。
優選地，所述化學氣相沉積裝置為金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)裝置、 低壓化學氣相沉積(Low Pressure Chemical VaporDeposition, LPCVD)裝置、等離子體化學氣相沉積(Plasma Chemistry VaporDeposition, PCVD)裝置或原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)裝置。
與現有技術相比，本發明具有以下優點
I)本發明的化學氣相沉積裝置中，所述第一進氣裝置具有與所述冷卻裝置相接觸的第一上表面和與所述第一上表面相對的第一下表面，所述第一下表面面對所述基座，第二進氣裝置具有與冷卻裝置相接觸的第二上表面和與所述第二上表面相對的第二下表面， 所述第二下表面面對所述基座，所述第一上表面與所述第一下表面的比率大于所述第二上表面與所述第二下表面的比率，即，所述第一進氣裝置和所述第二進氣裝置具有相同的下表面吸熱面積時，所述第一進氣裝置具有比所述第二進氣裝置更大的散熱面積，從而使得所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置具有不同的溫度，避免了分解溫度低的氣體在高溫下先發生預分解后又與分解溫度高的氣體反應并產生大量氣相顆粒，降低了沉積在噴淋組件上的氣相顆粒脫離到薄膜上的可能性，也避免了分解溫度高的氣體在低溫下無法進行分解，提高了薄膜沉積的速率，提高了薄膜的質量，節省了原材料，降低了清洗以及生產成本。
2)所述第一進氣裝置用于傳輸III族金屬有機源，所述第二進氣裝置用于傳輸V 族氫化物源，由于MOCV D生長工藝要求極高，通常需要極高的溫度控制，且需要精確控制反應氣體的配比，而III族金屬有機源的分解溫度與V族氫化物源的分解溫度有較大差異，因此當控制使III族金屬有機源和V族氫化物源的溫度不同時，可以減少副反應的發生，提高 II1-V族化合物半導體薄膜質量和沉積速率，防止III族金屬有機源和V族氫化物源的浪費。
3)所述第一進氣裝置的溫度控制在大于或等于35°C且小于或等于600°C的范圍內，所述第二進氣裝置的溫度控制在大于或等于135°C且小于或等于800°C的范圍內，III 族金屬有機源的分解溫度遠低于V族氫化物源的分解溫度，本發明使得III族金屬有機源和V族氫化物源的溫度分別處于各自較佳的分解溫度范圍內，從而可以較快的反應速率得到較高質量的II1-V族致密薄膜。
4)所述化學氣相沉積裝置還包括旋轉驅動單元，所述旋轉驅動單元驅動所述基座或噴淋組件在所述化學氣相沉積裝置的沉積過程中進行旋轉，使得薄膜沉積更均勻。
5)所述冷卻裝置具有冷卻通道，用以通入冷卻氣體或者冷卻液體，通過控制冷卻裝置的溫度，可以使兩個進氣裝置具有不同的溫度變化值；此外，冷卻裝置使得噴淋組件處于較低的溫度，延長了噴淋組件的使用壽命。
6)所述第二進氣裝置與所述第一進氣裝置之間具有間隔，且不進行熱傳導，減少了兩個進氣裝置之間溫度的相互干擾，使得對兩個進氣裝置溫度的控制更簡單準確。
7)所述第一進氣裝置為擴散盤，所述擴散盤具有上表面以及與所述上表面相對的下表面，所述上表面設置有第一進氣口以及氣體擴散槽，所述下表面設置有若干第一氣孔； 所述第一氣體依次經由所述第一進氣口、氣體擴散槽和所述第一氣孔進入所述反應區，第一氣體可以先在氣體擴散槽中均勻擴散，然后再從第一氣孔均勻地進入反應區，從而使得進入反應區的第一氣體均勻且充分地與第一進氣裝置接觸進而精確地控制第一氣體的溫度。
8)所述氣體擴散槽具有至少一個第一擴散槽與多個第二擴散槽，所述第一擴散槽沿著所述擴散盤的周沿環形設置，所述第二擴散槽沿著所述擴散盤的半徑方向設置，所述第一擴散槽使得進入第一擴散槽中的第一氣體進行均勻擴散，從而使進入第一擴散槽的第一氣體 均勻地流進所述多個第二氣體擴散槽，進一步增加了第一氣體擴散至反應區的均勻性。
9)所述第一進氣口設置為兩個，分別設置在所述擴散盤的相對兩側，在保證第一氣體較高流量的同時，結構簡單，且提高了第一氣體流動的均勻性。
10)任一所述第一進氣口設置在所述第一擴散槽上，且位于所述相鄰兩第二擴散槽之間，如此第一氣體會先在第一擴散槽內充分擴散，充分擴散后的第一氣體能均勻進入第二擴散槽，而不會直接進入一特定的第二氣體擴散槽，造成第二氣體在第二擴散槽中分布的不均勻，從而增加了第一氣體進入反應區的均勻性。
11)所述第二進氣裝置包括第二進氣通道、導氣盤以及若干氣體擴散管；所述第二進氣通道貫穿所述擴散盤的中心且與所述導氣盤連通；所述氣體擴散管上設置有若干第二氣孔，所述氣體擴散管的一端與所述導氣盤連接；所述第二氣體依次經由所述第二進氣通道、導氣盤、氣體擴散管以及所述第二氣孔進入所述反應區，由于從第二進氣通道引入的第二氣體先在所述氣體擴散盤中緩沖后再流入到所述氣體擴散管中，從而增強了第二氣體在各個氣體擴散管之間分配的均勻性，保證了第二氣體均勻地進入所述反應區。
12)所述各氣體擴散管等長，并圍繞所述導氣盤呈放射狀均勻排布，在保證第二氣體均勻擴散的同時，所述第二進氣裝置結構簡單，節省了空間。


圖1是現有技術一種噴淋組件的結構示意圖2是本發明實施例一的CVD裝置的結構示意圖3是本發明實施例一的噴淋組件的上表面結構示意圖4是本發明實施例一的噴淋組件的下表面結構示意圖5是本發明實施例二的CVD裝置的結構示意圖6是沿圖5中BB’方向得到的結構示意圖7是本發明實施例三的CVD裝置的結構示意圖8是沿圖7中CC’方向得到的結構示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。
在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明，但是本發明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
正如背景技術部分所述，CVD裝置中需要通入多種氣體，現有的CVD裝置將通入的所有氣體統一加熱到相同溫度，但不同氣體所需的溫度存在差異，因此降低了薄膜沉積的速率，在薄膜中引入了缺陷，造成了原材料的浪費，提高了生產成本。
化學氣相沉積裝置通常包括反應腔、冷卻裝置、位于反應腔頂部的噴淋組件以及與噴淋組件相對設置的基座，基座具有加熱單元，所述噴淋組件包括進氣裝置。發明人在進行化學氣相沉積裝置的研發過程中發現；所述進氣裝置在反應腔中溫度達到平衡狀態后的溫度值主要取決于冷卻裝置的溫度、加熱單元的溫度、受熱面積、冷卻面積、熱傳導系數 (Thermal Conductivity)和熱福射系數(Emissivity)。其中，受熱面積(area exposed to radiation heating)是指進氣裝置接受加熱單元加熱福照的面積；冷卻面積(area exposed tocooling surface)是指進氣裝置與冷卻裝置接觸的面積；進氣裝置達到溫度達到平衡狀態指的是單位時間內進氣裝置吸收的熱量和散失的熱量相同，從而進氣裝置的溫度穩定在一固定值。
經過模擬實驗，得到了如表I所示的實驗結果。表I示出了在加熱裝置為1050°C， 冷卻裝置為40°C時，16種不同受熱面積、冷卻面積、熱傳導系數和熱輻射系數條件下，進氣裝置達到平衡狀態后的溫度值。比較表I中的數據可知在其他條件不變的前提下，所述進氣裝置的溫度隨著受熱面積的增大而升高；隨著熱傳導系數的增大而降低；隨著冷卻面積的增大而降低；隨著熱輻射系數的增大而升高。
表I
權利要求
1.一種化學氣相沉積裝置，包括反應腔、冷卻裝置、位于所述反應腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座具有加熱單元，所述噴淋組件包括第一進氣裝置以及第二進氣裝置，用于分別將第一氣體以及第二氣體傳輸至基座與噴淋組件之間的反應區；其特征在于所述第一進氣裝置具有與所述冷卻裝置相接觸的第一上表面和與所述第一上表面相對的第一下表面，所述第一下表面面對所述基座，第二進氣裝置具有與冷卻裝置相接觸的第二上表面和與所述第二上表面相對的第二下表面，所述第二下表面面對所述基座，所述第一上表面與所述第一下表面的比率大于所述第二上表面與所述第二下表面的比率，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置具有不同的溫度。
2.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述冷卻裝置與所述第一進氣裝置層疊設置，所述冷卻裝置與所述第二進氣裝置層疊設置，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置并排設置。
3.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一上表面與所述第一下表面的比率大于或等于I且小于或等于5。
4.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二上表面與所述第二下表面的比率大于或等于十分之一且小于二分之一。
5.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置的熱傳導系數大于所述第二進氣裝置的熱傳導系數。
6.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置的材料包括石墨或碳化硅，所述第二進氣裝置的材料成分包括不銹鋼、鋁、銅、金、銀中的一種或多種。
7.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置的熱輻射系數小于或等于所述第二進氣裝置的熱輻射系數。
8.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一氣體包括反應前體、 載氣、吹掃氣體中的一種或多種。
9.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二氣體包括反應前體、 載氣、吹掃氣體中的一種或多種。
10.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置用于傳輸 111族金屬有機源，所述第二進氣裝置用于傳輸V族氫化物源。
11.如權利要求10所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述III族金屬有機源包括 Ga (CH3) 3、In (CH3) 3、Al (CH3) 3、Ga (C2H5) 3、Zn (C2H5) 3 氣體中的一種或多種。
12.如權利要求10所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述V族氫化物源包括NH3、 PH3、AsH3氣體中的一種或多種。
13.如權利要求10所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進氣裝置的溫度小于所述第二進氣裝置的溫度。
14.如權利要求13所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置之間的溫度差大于或等于100°C且小于或等于600°C。
15.如權利要求14所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置的溫度大于或等于35°C且小于或等于600°C，所述第二進氣裝置的溫度大于或等于·135°C且小于或等于800°C。
16.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，還包括旋轉驅動單元，所述旋轉驅動單元驅動所述基座或噴淋組件在所述化學氣相沉積裝置的沉積過程中進行旋轉。
17.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二進氣裝置與所述第一進氣裝置之間具有間隔，且第二進氣裝置與所述第一進氣裝置之間不進行熱傳導。
18.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述冷卻裝置具有冷卻通道，用以通入冷卻氣體或者冷卻液體。
19.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置組合成為一個圓盤體，所述圓盤體被劃分為多個扇形區，所述多個扇形區包括多個第一扇形區和第二扇形區，所述第一扇形區和第二扇形區交替間隔設置，所述第一進氣裝置設置在所述圓盤體的第一扇形區，所述第二進氣裝置設置在所述圓盤體的第二扇形區。
20.如權利要求19所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二進氣裝置包括具有若干排氣孔的若干氣體擴散單元，所述氣體擴散單元向所述反應區露出所述排氣孔以使得第二氣體能至所述排氣孔排出。
21.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置為擴散盤，所述第一上表面為所述擴散盤緊貼所述冷卻裝置的所述擴散盤上表面，所述下表面為與所述上表面相對的所述擴散盤下表面，所述上表面設置有第一進氣口以及氣體擴散槽， 所述下表面設置有若干氣孔；所述第一氣體依次經由所述第一進氣口、氣體擴散槽和所述氣孔進入所述反應區。
22.如權利要求21所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述氣體擴散槽具有至少一第一擴散槽與多個第二擴散槽，所述第一擴散槽沿著所述擴散盤的周沿環形設置，所述第二擴散槽沿著所述擴散盤的半徑方向設置，所述第二擴散槽連接所述第一擴散槽，第二氣體通過所述第一擴散槽流入所述第二擴散槽，所述第二氣孔連接所述第二擴散槽。
23.如權利要求21所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣口設置為兩個，分別設置在所述擴散盤的相對兩側。
24.如權利要求22所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，任一所述第一進氣口設置在所述第一擴散槽上，且位于相鄰兩所述第二擴散槽之間。
25.如權利要求21所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二進氣裝置包括第二進氣通道、導氣盤以及若干氣體擴散管；所述第二進氣通道貫穿所述擴散盤的中心且與所述導氣盤垂直連接；所述氣體擴散管上設置有若干出氣孔，所述氣體擴散管的一端與所述導氣盤連接；所述第二上表面為所述第二進氣通道緊貼所述冷卻裝置的上表面，所述第二下表面為所述氣體擴散管和所述導氣盤面向所述基座的下表面；所述第二氣體依次經由所述第二進氣通道、導氣盤、氣體擴散管以及所述出氣孔進入所述反應區。
26.如權利要求25所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述各氣體擴散管等長，并圍繞所述導氣盤呈放射狀均勻排布。
27.如權利要求26所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述氣體擴散管的長度等于所述擴散盤半徑與所述導氣盤半徑之差。
28.如權利要求25所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述氣體擴散管與所述擴散盤之間有間隔，且氣體擴散管與所述擴散盤之間不進行熱傳導。
29.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述化學氣相沉積裝置為金屬有機化合物化學氣相沉積裝置、低壓化學氣相沉積裝置、等離子體化學氣相沉積裝置或原子層沉積裝置。
全文摘要
一種化學氣相沉積裝置，包括反應腔、冷卻裝置、位于反應腔頂部的噴淋組件以及與噴淋組件相對設置的基座，基座具有加熱單元，噴淋組件包括第一進氣裝置以及第二進氣裝置，用于分別將第一氣體以及第二氣體傳輸至基座與噴淋組件之間的反應區；第一進氣裝置具有與冷卻裝置相接觸的第一上表面和與第一上表面相對的第一下表面，所述第一下表面面對基座，第二進氣裝置具有與冷卻裝置相接觸的第二上表面和與第二上表面相對的第二下表面，第二下表面面對基座，第一上表面與第一下表面的比率大于第二上表面與所述第二下表面的比率，加熱單元在加熱過程中，第一進氣裝置與第二進氣裝置具有不同的溫度。本發明可以為不同進氣裝置提供不同的溫度。
文檔編號C23C16/455GK103014668SQ20111028751
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月23日 優先權日2011年9月23日
發明者奚明, 馬悅, 薩爾瓦多, 黃占超 申請人:理想能源設備(上海)有限公司