專利名稱：磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶的制作方法
技術領域：
本發明涉及真空鍍膜技術領域，尤其是磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶。
背景技術：
隨后出現有物理氣相沉積(PVD)技術，主要是在真空環境下進行表面處理，物理氣相沉積本身分為三種真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜，近十年來發展相當快，已經成為當今最先進的表面處理方式之一。真空鍍膜生產是實現膜層附著在工件表面，以獲得需要的工件表面特性。真空濺射鍍膜是利用靶材發生濺射，使濺射物附著在工件表面形成膜層，即達到鍍膜；磁控濺射鍍膜機是常見的真空濺射鍍膜設備，然而，由于其上設置的磁控濺射靶中，靶材和靶芯相對不動，而靶芯上的磁塊分布難于相對均勻，且難以保證不同磁塊的磁性一致，使得生產中磁場強度有差異，濺射不均勻，影響鍍膜質量，因而優待改進。再著，由于磁控濺射過程中會產生高溫，而現有技術沒能有效給予降溫，導致磁控效 果降低，不利于生產。

發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種結構簡單，科學合理，可使濺射均勻，且可有效給靶降溫，提升鍍膜效果的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶。為達到上述目的，本發明采用如下技術方案
磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，包括有靶頭和靶材，靶頭設有可相對轉動的靶芯和中空筒狀的外殼，靶芯穿設于外殼中空部并延伸到靶材內中部，于靶芯之穿入靶材的部分外周分布有磁塊，靶材的一端通過法蘭與靶頭的外殼軸向銜接在一起。上述方案進一步是所述靶芯相對中空筒狀的外殼轉動，所述靶材的一端通過法蘭與革巴頭的外殼軸向銜接在一起，恰使革巴材內腔與革巴頭的外殼內腔形成連通的密封腔，革巴芯位于密封腔中；所述靶芯的內部還設有冷卻通道，冷卻通道的入口連通到靶頭外接冷卻液；而冷卻通道的出口位于靶芯之穿入靶材的一端端頭，冷卻通道的出口連通密封腔，密封腔設有出口。所述密封腔設有出口設置在靶頭的外殼上。所述靶芯上的磁塊按靶芯外周均勻分布，且采用高磁和低磁相互間隔的分布。上述方案還可進一步采用如下技術方案所述靶頭的外殼相對靶芯轉動，所述靶材的一端通過法蘭與靶頭的外殼軸向銜接在一起，靶材與靶頭的外殼銜接后恰使靶材內腔與靶頭的外殼內腔形成連通的密封腔，靶芯位于密封腔中；所述靶芯的內部還設有冷卻通道，冷卻通道的入口外接冷卻液；而冷卻通道的出口位于靶芯之穿入靶材的一端端頭，冷卻通道的出口連通密封腔，密封腔設有出口。所述密封腔的出口設置在靶芯之固定座上，固定座設有端口軸向對接外殼的一端□。所述靶芯之穿入靶材的部分外周還套設有輔助環，輔助環的外徑小于處于靶材內的密封腔之內徑。所述靶芯上的磁塊按靶芯外周的半圓周均勻分布。本發明設計靶頭設有可相對轉動的靶芯和中空筒狀的外殼，利用靶芯或中空筒狀的外殼的轉動來實現靶材與靶芯的相對轉動，且設有冷卻降溫結構，從而使濺射更均勻，及時給靶降溫，提升鍍膜效果，獲得更優產品。本發明再一優點是結構簡單，科學合理，投資成本低，維護檢修十分方便，安裝、使用方便，大大提高了設備的運行率和可操作性。


附圖I為本發明其一實施例結構示意 附圖2為圖I之實施例結構靶材部分斷面結構示意 附圖3為本發明其二實施例結構示意 附圖4為圖3之實施例結構靶材部分斷面結構示意圖。
具體實施例方式 以下結合附圖對本發明進一步說明
參閱圖f 4所示，本發明所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，包括有靶頭I和靶材2，靶頭I設有可相對轉動的靶芯11和中空筒狀的外殼12，靶芯11穿設于外殼12中空部并延伸到靶材2內中部，于靶芯11之穿入靶材2的部分外周分布有磁塊3，靶材2的一端通過法蘭4與靶頭的外殼12軸向銜接在一起。利用靶芯11或中空筒狀的外殼12的轉動來實現靶材2與靶芯11的相對轉動，靶芯11之穿入靶材2的部分外周分布有磁塊3，滿足磁場作用之要求，從而使磁控濺射更均勻，提升鍍膜效果，獲得更優產品。實施例I :
參閱圖I、2所示，本實施例中，本發明包括有靶頭I和靶材2，靶頭I設有可轉動的靶芯11，靶芯11 一端伸出靶頭I而穿入靶材2內中部，并于靶芯11之穿入靶材2的部分外周分布有磁塊3，靶芯11的穿入端頭定位在靶材2端部的絕緣座上；圖2所示，磁塊3按靶芯11外周均勻分布，且采用高磁和低磁的所述靶材2的一端通過法蘭4與靶頭I的外殼12軸向銜接在一起，恰使靶材2內腔與靶頭的外殼12內腔形成連通的密封腔5，靶芯11位于密封腔5中；所述靶芯11的內部還設有冷卻通道111，冷卻通道111的入口 1111連通到靶頭I外接冷卻液，冷卻液為冷卻水；而冷卻通道111的出口 1112位于靶芯11之穿入靶材2的一端端頭，冷卻通道111的出口 1112連通密封腔5 ;密封腔5設有出口 51 ;密封腔的出口 51設置在靶頭的外殼12上。實施時，通過電機驅動靶芯11旋轉，磁塊3跟隨旋轉，使靶材2上的磁場更均勻，由此使磁控濺射鍍膜更均勻。冷卻通道111的入口 1111通過接頭接冷卻水，使冷卻水進入靶芯11內部流動，再從冷卻通道111的出口 1112流向密封腔5，再從密封腔的出口 51輸出循環，由此實現冷卻水及時把磁控濺射過程中會產生的熱量帶走，達到給靶降溫，提升鍍膜效果，獲得更優產品。本實施例中，靶芯11之穿入靶材2的部分外周還套設有輔助環6，輔助環6的外徑小于處于靶材2內的密封腔5之內徑，輔助環6具有輔助定位，防止靶芯11旋轉晃動，確保磁塊3與靶材2之間的間距，獲得穩定的磁控效果。本發明的靶材2通過法蘭4與靶頭的外殼12軸向銜接在一起，具有拆換性，可方便的更換靶材料，滿足生產需要；結構簡單，科學合理，投資成本低，維護檢修十分方便，安裝、使用方便，大大提高了設備的運行率和可操作性。圖2所示，本實施例中，磁塊3按靶芯11外周均勻分布，且采用高磁和低磁相互間隔的分布，成本低。實施例2
參閱圖1、2所示，本實施例中，本發明包括有靶頭I和靶材2，靶頭I具有可轉動的中空筒狀的外殼12及靶芯11，靶芯11 一端固定在固定座112上，另一端穿過外殼12并伸出穿入靶材2內中部，并于靶芯11之穿入靶材2的部分外周分布有磁塊3 ;靶芯11之穿入靶材2的部分的端頭定位在靶材2端部的絕緣座上；外殼12由電機7驅動；所述靶材2的一端通過法蘭4與靶頭的外殼12軸向銜接在一起。所述靶材2與靶頭的外殼12銜接后恰使靶材2內腔與靶頭的外殼12內腔形成連通的密封腔5，靶芯11位于密封腔5中；所述靶芯11的內部還設有冷卻通道111，冷卻通道111的入口 1111外接冷卻液；而冷卻通道111的 出口 1112位于靶芯11之穿入靶材2的一端端頭，冷卻通道111的出口 1112連通密封腔5，密封腔5設有出口 51 ;密封腔的出口 51設置在靶芯11之固定座112上，固定座112設有端口軸向對接外殼12的一端口，實現連通。實施時，通過電機7驅動靶頭I的外殼12旋轉，可通過齒輪傳動實現，外殼12旋轉時帶動靶材2，使圍繞靶芯11上的磁塊3，由此使磁控濺射鍍膜更均勻。而冷卻通道111的入口 1111通過接頭接冷卻水，使冷卻水進入靶芯11內部流動，再從冷卻通道111的出口1112流向密封腔5，再從密封腔的出口 51輸出循環，由此實現冷卻水及時把磁控濺射過程中會產生的熱量帶走，達到給靶降溫，提升鍍膜效果，獲得更優產品。本實施例中，靶芯11之穿入靶材2的部分外周還套設有輔助環6，輔助環6的外徑小于處于靶材2內的密封腔5之內徑，輔助環6具有輔助定位，防止靶材2旋轉晃動，確保磁塊3與靶材2之間的間距，獲得穩定的磁控效果。本發明的靶材2通過法蘭4與靶頭的外殼12軸向銜接在一起，具有拆換性，可方便的更換靶材料，滿足生產需要；結構簡單，科學合理，投資成本低，維護檢修十分方便，安裝、使用方便，大大提高了設備的運行率和可操作性。圖2所示，本實施例中，磁塊3按靶芯11外周的半圓周均勻分布，且可采用高磁和低磁相互間隔的分布，成本低。該結構可使本發明適合安裝在靠近真空室壁的位置，因只有半圓周設置磁塊3，所以安裝的時候將沒有磁塊的一邊向著真空室壁，而有磁塊的一邊向著工作區即可，極大的節約成本，滿足生產需要。當然，以上圖示僅為本發明的較佳實施例，并非以此限定本發明的實施范圍，故，凡是依照本發明之原理做等效變化或修飾，均應涵蓋于本發明的保護范圍內。
權利要求
1.磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，包括有靶頭(I)和靶材(2)，其特征在于靶頭(I)設有可相對轉動的靶芯(11)和中空筒狀的外殼(12)，靶芯(11)穿設于外殼(12)中空部井延伸到靶材(2)內中部，于靶芯(11)之穿入靶材(2)的部分外周分布有磁塊(3)，靶材(2)的一端通過法蘭(4)與靶頭的外殼(12)軸向銜接在一起。
2.根據權利要求I所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于所述靶芯(11)相對中空筒狀的外殼(12)轉動，所述靶材(2)的一端通過法蘭(4)與靶頭的外殼(12)軸向銜接在一起，恰使靶材(2)內腔與靶頭的外殼(12)內腔形成連通的密封腔(5)，靶芯(11)位于密封腔(5)中；所述靶芯(11)的內部還設有冷卻通道(111)，冷卻通道(111)的入口(1111)連通到靶頭(I)外接冷卻液；而冷卻通道(111)的出口(1112)位于靶芯(11)之穿入靶材(2 )的一端端頭，冷卻通道(111)的出口( 1112 )連通密封腔(5 )，密封腔(5 )設有出ロ(51)。
3.根據權利要求2所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于所述密封腔(5)設有出ロ(51)設置在靶頭的外殼(12)上。
4.根據權利要求2所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于所述靶芯(11)上的磁塊(3)按靶芯(11)外周均勻分布，且采用高磁和低磁相互間隔的分布。
5.根據權利要求I所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于所述靶頭的外殼(12 )相對靶芯(11)轉動，所述靶材(2 )的一端通過法蘭(4 )與靶頭的外殼(12 )軸向銜接在一起，靶材(2)與靶頭的外殼(12)銜接后恰使靶材(2)內腔與靶頭的外殼(12)內腔形成連通的密封腔(5)，靶芯(11)位于密封腔(5)中；所述靶芯(11)的內部還設有冷卻通道(111)，冷卻通道(111)的入口(1111)外接冷卻液；而冷卻通道(111)的出口(1112)位于靶芯(11)之穿入靶材(2 )的一端端頭，冷卻通道(111)的出口( 1112 )連通密封腔(5 )，密封腔(5)設有出口(51)。
6.根據權利要求5所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于所述密封腔(5)的出口(51)設置在靶芯(11)之固定座(112)上，固定座(112)設有端ロ軸向對接外殼(12)的一端ロ。
7.根據權利要求2或5所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于靶芯(11)之穿入靶材(2)的部分外周還套設有輔助環(6)，輔助環(6)的外徑小于處于靶材(2)內的密封腔(5)之內徑。
8.根據權利要求5所述的磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，其特征在于所述靶芯(11)上的磁塊(3)按靶芯(11)外周的半圓周均勻分布。
全文摘要
本發明涉及真空鍍膜技術領域，尤其是磁控濺射鍍膜機的磁控濺射靶，包括有靶頭和靶材，靶頭設有可相對轉動的靶芯和中空筒狀的外殼，靶芯穿設于外殼中空部并延伸到靶材內中部，于靶芯之穿入靶材的部分外周分布有磁塊，靶材的一端通過法蘭與靶頭的外殼軸向銜接在一起。本發明設計靶頭設有可相對轉動的靶芯和中空筒狀的外殼，利用靶芯或中空筒狀的外殼的轉動來實現靶材與靶芯的相對轉動，且設有冷卻降溫結構，從而使濺射更均勻，及時給靶降溫，提升鍍膜效果，獲得更優產品，結構簡單，科學合理，投資成本低，安裝、使用方便，大大提高了設備的運行率和可操作性。
文檔編號C23C14/35GK102703872SQ20121016355
公開日2012年10月3日 申請日期2012年5月24日 優先權日2012年5月24日
發明者趙銘 申請人:廣東友通工業有限公司