專利名稱：一種射頻法制備SiO₂薄膜的方法
技術領域：
本發明涉及一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，屬于SiO2薄膜制備和應用領域。
背景技術：
SiO2薄膜在工業、建筑、交通運輸、醫學、光學、宇航、能源等領域都有廣泛的應用。在硼硅玻璃上涂覆SiO2減反射涂層可以提高太陽能轉為熱能的效率，例如槽式太陽能熱發電系統是槽式拋物面聚光鏡將太陽能聚焦在一條線上，在這條聚焦線上安裝有管狀熱量吸收器(集熱管)，用來吸收聚焦后的太陽輻射能。管內的流體被轉化來的太陽能加熱后，流經換熱器加熱工質，轉化為高溫高壓的熱蒸汽，在借助于蒸汽循環動力來發電。在這個系統中核心的部件是太陽能集熱管，其罩管材料為高硼硅3. 3玻璃，通常，在太陽光穿過罩管的同時，會有近8%的光能被罩管反射掉，這部分太陽光不能被集熱器利用。薄膜增透原理來源于光的干涉理論，如圖I所示，對于正入射的光波，則在空氣一膜和膜一元件兩個界面上的反射光反相，因而反射光干涉相消，從而達到增透的效果。想要達到反射光干涉相消，則需要滿足條件
權利要求
1.一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，為射頻磁控濺射方法，包括射頻濺射的步驟，其特征在于所述射頻磁控派射步驟中采用下述エ藝參數射頻功率I. 8KW,派射時間lOmin。
2.根據權利要求I所述的方法，其特征在于所述方法包括真空室抽真空的步驟，將真空室的真空度抽至6X 10_3Pa。
3.根據權利要求I所述的方法，其特征在于所述方法包括下述エ藝步驟 ①真空室抽真空將真空室的真空度抽至6X KT3Pa ； ②按照操作規則，加熱，開轉架； ③按照エ藝流程，送Ar氣； ④采用射頻濺射SiO2靶材在基體上沉積制備SiO2薄膜，エ藝參數為射頻功率I.8KW，派射時間IOmin ； ⑤關閉射頻電源功率輸出開關，冷卻。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述步驟①真空室抽真空步驟按下述方法進行打開水閥開關，并檢查各個管路通水是否順暢；打開機械泵；打開預抽閥，抽氣抽至80Pa，打開羅茨泵，再抽氣至5Pa，在抽氣的過程中將分子泵的電源打開4飛分鐘；關閉預抽閥，打開前級閥I分鐘后，開高閥，開分子泵抽高至真空，抽至6X10_3Pa。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述SiO2薄膜厚度為14(Tl60nm。
6.根據權利要求Γ5所述的方法，其特征在于在射頻磁控濺射步驟中采用的SiO2靶材包括進水ロ(23)，出水ロ(24)，固定螺栓(25)，磁鐵(26)，壓緊斜拉(27)，石英玻璃靶材(28),法蘭盤(29)、石墨板(30)和水冷銅板(31)組成,石墨板(30)覆蓋在水冷銅板(31)上面并與石英玻璃靶材(28 )相連接。
7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述基體為太陽能集熱管玻璃罩管。
8.一種由權利要求7所述方法制備的太陽能集熱管玻璃罩管。
9.根據權利要求8所述的太陽能集熱管玻璃罩管，其特征在于所述太陽能集熱管玻璃罩管上SiO2薄膜的厚度為14(Tl60nm。
全文摘要
本發明涉及一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，屬于SiO2薄膜制備和應用領域。一種射頻法制備SiO2薄膜的方法，為射頻磁控濺射方法，包括射頻濺射的步驟，所述射頻磁控濺射步驟中采用下述工藝參數射頻功率1.8KW，濺射時間10min。所得產品的反射率介于0.917-0.941之間，相比于普通玻璃基體反射率平均提高3%，是進一步提高太陽能真空集熱器光熱轉換效率的一個有效途徑。
文檔編號C23C14/35GK102839349SQ20121033645
公開日2012年12月26日 申請日期2012年9月12日 優先權日2012年9月12日
發明者李劍鋒 申請人:大連交通大學