專利名稱：一種cmp研磨墊修整結構的制作方法
技術領域：
本發明半導體機械制造領域，涉及一種研磨結構，尤其涉及一種CMP研磨墊修整結構。
背景技術：
化學機械研磨(CMP)是一個通過化學反應過程和機械研磨過程共同作用的工藝。研磨過程中研磨頭施加一定的壓力在晶圓背面使晶圓正面緊貼研磨墊。同時研磨頭帶動晶圓和研磨墊同方向旋轉，使晶圓正面與研磨墊產生機械摩擦。在研磨過程中通過一系列復雜的機械和化學作用去除晶圓表面的一層薄膜，從而達到晶圓平坦化的目的。為了增加晶圓與研磨墊的摩擦力以及提高研磨液的分布均勻性，如圖I所示，目前主流的研磨墊I表面都帶有成同心圓分布的溝槽。在研磨過程中由于晶圓與研磨墊有機 械摩擦，研磨墊的表面物質不可避免的有損耗。隨著研磨時間的增加，損耗也增加，研磨墊的溝槽會逐漸變淺。同時研磨過程中研磨液中的微小研磨顆粒會填充溝槽，使研磨墊表面變得更加平滑。這些都不利于晶圓與研磨墊的摩擦以及提高研磨液的分布均勻性，因此必須使用研磨墊修整器對研磨墊進行修復，保持研磨墊表面的粗糙度。目前主流的修整器成圓形，其修整面一般用金剛石鑲嵌。一般情況下，在研磨晶圓的過程中修整器同時在研磨墊表面滑動，利用金剛石修整面和研磨墊的摩擦使研磨墊保持一定的粗糙度。由于金剛石的硬度非常高，在和研磨墊摩擦過程中會對研磨墊表面有較高的損耗。因此會縮短研磨墊的使用壽命。因此，本領域的技術人員致力于開發一種提高研磨墊修整效率并且延長研磨墊的使用壽命的CMP研磨墊修整結構。

發明內容
鑒于上述的現有技術中的問題，本發明所要解決的技術問題是現有的技術修整效率較低且縮短了研磨墊的使用壽命。本發明提供的一種CMP研磨墊修整結構，包括修整器和研磨墊，所述修整器包括修整面，所述修整面置于所述研磨墊的上表面的上方，所述研磨墊上表面的形狀為圓形，所述研磨墊的上表面上設有若干條圓形溝槽，所述修整器的修整面上設有若干條的條狀研磨帶，所述條狀研磨帶的寬度小于或等于所述研磨墊上表面的圓形溝槽的寬度，所述若干條的條狀研磨帶間的間距等于所述研磨墊上表面的若干條圓形溝槽間的間距。在本發明的一個較佳實施方式中，所述修整器的修整面的形狀為長方形。在本發明的另一較佳實施方式中，所述修整面的長度小于或等于研磨墊的上表面的半徑。在本發明的另一較佳實施方式中，所述修整面上的條狀修整帶的形狀為長方形或圓弧形。在本發明的另一較佳實施方式中，所述修整面上的條狀修整帶由高硬度材料制成。在本發明的另一較佳實施方式中，所述高硬度材料為金剛石。在本發明的另一較佳實施方式中，還包括轉軸和研磨臺，所述研磨墊設于所述研磨臺上，所述研磨臺與所述轉軸連接，并可繞所述轉軸旋轉。在本發明的另一較佳實施方式中，還包括升降桿，所述升降桿與所述修整器連接，所述修整器置于所述研磨墊的上方，并可隨升降桿的升降上下移動。在本發明的另一較佳實施方式中，還包括壓力感應器，所述壓力感應器設于所述修整器中，并與所述修整面連接。本發明的研磨墊修整結構具有結構簡單，制作方便的優點。能夠很好的提高研磨墊修整效率并且延長研磨墊的使用壽命。


圖I是現有和本發明的實施例的研磨墊的結構示意 圖2是本發明的實施例的結構示意 圖3是本發明的實施例的修整面的結構示意圖。
具體實施例方式以下將結合附圖對本發明做具體闡釋。如圖2中所示的本發明的實施例的一種CMP研磨墊修整結構，包括研磨墊I和修整器2。修整器2包括修整面21，修整面21置于研磨墊I的上表面11的上方。利用修整面21可修整研磨墊I的上表面。如圖2中所示,研磨墊I上表面11的形狀為圓形,研磨墊I的上表面11上設有若干條圓形溝槽12。如圖3中所示，修整器2的修整面21上設有若干條的條狀研磨帶22。并結合圖I和圖2，條狀研磨帶22的寬度小于或等于研磨墊I上表面11的圓形溝槽12的寬度。若干條的條狀研磨帶22間的間距等于研磨墊I上表面11的若干條圓形溝槽12間的間距。如此，通過條狀研磨帶22可在研磨墊I的上表面11上修整出圓形溝槽12，避免了研磨墊不必要的磨損。能夠很好的提高研磨墊修整效率并且延長研磨墊的使用壽命。如圖3中所示，在本發明的實施例中，修整器2的修整面21的形狀為長方形。當然，也可為其他形狀，本實施例對此不作限制。并結合圖I和圖2，修整面21的長度小于或等于研磨墊I的上表面11的半徑。由于在一般的工作情況下，需在研磨墊研磨晶圓的同時進行修整，因此，修整面的產度一般不選擇超出研磨墊的半徑范圍之外。如圖3中所示，在本發明的實施例中，修整面21上的條狀修整帶22的形狀為長方形或圓弧形。只要能在研磨墊上研磨出圓形的若干條溝槽即可，本實施例對此不作限制。此外，在本發明的實施例中，修整面上的條狀修整帶由高硬度材料制成。優選高硬度材料為金剛石。便于研磨修整。如圖2中所示，在本發明的實施例中，還包括研磨臺3、轉軸4和升降桿5。研磨墊I設于研磨臺3上,研磨臺3與轉軸4連接,并可繞轉軸4旋轉。以提供研磨墊I旋轉的動力，便于研磨晶圓和修整研磨墊。升降桿5與修整器2連接，修整器2置于研磨墊I的上方，并可隨升降桿5的升降上下移動。以利于上下修整研磨的壓力的調整。此外，在本發明的實施例中，還包括壓力感應器，壓力感應器設于修整器中，并與修整面連接。修整器作用于研磨墊的壓力可以通過內置的壓力傳感器檢測，并且可以通過修整器高度來調節壓力大小。以上對本發明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領域技術人員而言，任何對本發明進行的等同修改和替代也都在本發明的范疇之中。因此，在不脫離本發明的精神和范圍下所作的均等變換和 修改，都應涵蓋在本發明的范圍內。
權利要求
1.一種CMP研磨墊修整結構，包括修整器和研磨墊，所述修整器包括修整面，所述修整面置于所述研磨墊的上表面的上方，所述研磨墊上表面的形狀為圓形，所述研磨墊的上表面上設有若干條圓形溝槽，其特征在于，所述修整器的修整面上設有若干條的條狀研磨帶，所述條狀研磨帶的寬度小于或等于所述研磨墊上表面的圓形溝槽的寬度，所述若干條的條狀研磨帶間的間距等于所述研磨墊上表面的若干條圓形溝槽間的間距。
2.如權利要求I所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，所述修整器的修整面的形狀為長方形。
3.如權利要求2所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，所述修整面的長度小于或等于研磨墊的上表面的半徑。
4.如權利要求I所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，所述修整面上的條狀修整帶的形狀為長方形或圓弧形。
5.如權利要求I所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，所述修整面上的條狀修整帶由高硬度材料制成。
6.如權利要求5所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，所述高硬度材料為金剛石。
7.如權利要求I所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，還包括轉軸和研磨臺，所述研磨墊設于所述研磨臺上，所述研磨臺與所述轉軸連接，并可繞所述轉軸旋轉。
8.如權利要求7所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，還包括升降桿，所述升降桿與所述修整器連接，所述修整器置于所述研磨墊的上方，并可隨升降桿的升降上下移動。
9.如權利要求I所述的CMP研磨墊修整結構，其特征在于，還包括壓力感應器，所述壓力感應器設于所述修整器中，并與所述修整面連接。
全文摘要
本發明提供的一種CMP研磨墊修整結構，包括修整器和研磨墊，所述修整器包括修整面，所述修整面置于所述研磨墊的上表面的上方，所述研磨墊上表面的形狀為圓形，所述研磨墊的上表面上設有若干條圓形溝槽，所述修整器的修整面上設有若干條的條狀研磨帶，所述條狀研磨帶的寬度小于或等于所述研磨墊上表面的圓形溝槽的寬度，所述若干條的條狀研磨帶間的間距等于所述研磨墊上表面的若干條圓形溝槽間的間距。本發明的研磨墊修整結構具有結構簡單，制作方便的優點。能夠很好的提高研磨墊修整效率并且延長研磨墊的使用壽命。
文檔編號B24B53/017GK102862121SQ20121034352
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月17日 優先權日2012年9月17日
發明者鄧鐳 申請人:上海華力微電子有限公司