專利名稱：多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁控濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
磁控濺射鍍膜技術(shù)是當(dāng)前廣泛應(yīng)用的真空鍍膜技術(shù)方法，被普遍應(yīng)用于光學(xué)、微電子、耐磨、耐蝕、裝飾等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，用以提供可靠而穩(wěn)定的薄膜鍍層，可為被鍍膜產(chǎn)品提供某方面特定性能。比如在玻璃表面鍍一層ITO薄膜，可以形成透明導(dǎo)電玻璃，用以生產(chǎn)LCD顯示器、觸摸屏等。磁控濺射技術(shù)主要通過在濺射靶上的電場(chǎng)在稀薄氣體狀態(tài)下激發(fā)等離子體，通過磁場(chǎng)和電場(chǎng)的聯(lián)合控制下使正離子轟擊安裝在祀上的被派射祀材，使祀材物質(zhì)以原子、分子狀態(tài)被濺射到襯底上，進(jìn)而形成需要的功能薄膜。連續(xù)式磁控濺射鍍膜設(shè)備是通過多個(gè)真空腔室串聯(lián)連接，分成大氣向粗真空過渡室，粗真空向高真空過渡室，鍍膜室等不同功能區(qū)，各個(gè)區(qū)真空系統(tǒng)獨(dú)立，之間可以進(jìn)行密封的傳送。通過這一設(shè)計(jì)可以有效的減少抽真空時(shí)間，可以一片接一片連續(xù)的進(jìn)行磁控濺射鍍膜。其主要應(yīng)用于大面積的平板基材表面鍍膜，如玻璃。當(dāng)前的連續(xù)式磁控濺射鍍膜設(shè)備按鍍膜基材擺放的角度主要分為三類:1、立式:立式設(shè)備與水平面垂直，鍍膜基材是垂直通過設(shè)備，鍍膜過程也是垂直的，例如，中國(guó)專利文獻(xiàn)CN 102181839A公開一種“同端進(jìn)出式連續(xù)濺射鍍膜設(shè)備”，其包括真空腔體和真空抽 氣裝置，所述真空抽氣裝置與真空腔體相連通，其特征在于所述真空腔體由相鄰且相通的預(yù)抽室和濺射室兩個(gè)真空室構(gòu)成，兩個(gè)真空室之間設(shè)有隔離閥，腔體的末端和前端分別設(shè)有盲法蘭和真空鎖閥，所述真空鎖閥外側(cè)設(shè)有一個(gè)裝卸片臺(tái)，在濺射室內(nèi)設(shè)置有工件架傳輸裝置，在預(yù)抽室內(nèi)裝有復(fù)合傳輸裝置，所述濺射室內(nèi)裝有至少三對(duì)相對(duì)布置的磁控濺射靶，所述工件架傳輸裝置能夠與工件架相配合，并能將工件架從裝卸片臺(tái)依次輸送到預(yù)抽室、濺射室，并從原路輸送回到裝卸片臺(tái)。對(duì)于此鍍膜設(shè)備，其鍍膜過程受真空腔體內(nèi)跌落的顆粒等污物的污染最小，最適宜于對(duì)潔凈度要求高的鍍膜產(chǎn)品，如ITO玻璃鍍膜等。但是此鍍膜方式具有以下缺陷:a、采用立式設(shè)備時(shí)，鍍膜基材的固定裝夾比較困難，采用夾具固定會(huì)在固定位置處留下夾具印，導(dǎo)致邊緣存在無(wú)效區(qū)，鍍膜工藝較難控制，同時(shí)也不便于鍍多種大小規(guī)格的基材；b、此鍍膜方式是采用同端進(jìn)出鍍膜室鍍膜，這樣的鍍膜輔助用時(shí)間較長(zhǎng)，生產(chǎn)效率不高，浪費(fèi)能源。2、臥式:臥式設(shè)備與水平面平行，鍍膜基材是水平通過設(shè)備，鍍膜過程也是水平的，對(duì)于臥式設(shè)備，其鍍膜過程不需要夾具，不存在無(wú)效區(qū)，也可以同時(shí)鍍各種大小規(guī)格基材，效率高，應(yīng)用方便。但是其主要的問題是，腔體跌落的顆粒等污物會(huì)掉在基材上，其只能應(yīng)用于對(duì)基材潔凈度要求不高的領(lǐng)域。3、傾斜式:傾斜式設(shè)備與水平面成一定角度斜立擺放，鍍膜基材是斜立著通過設(shè)備，鍍膜過程也是斜立的，對(duì)于傾斜式設(shè)備，綜合了兩種設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)，但由于設(shè)備整體傾斜，其安裝加工都較困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的，在于提供一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其既可立式也可傾斜安裝鍍膜基材，不僅能滿足不同基材鍍膜的需要，還能有效防止腔體內(nèi)跌落的顆粒等污物掉在基材上，保證基材不被污染，進(jìn)而提聞鍛I吳質(zhì)量。為達(dá)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，包括至少一個(gè)鍍膜室，其特征在于，所述鍍膜室內(nèi)壁上具有用于磁控濺射鍍膜的可交替使用的立式靶和傾斜靶，對(duì)應(yīng)所述立式靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動(dòng)式的立式基材承載架，對(duì)應(yīng)所述傾斜靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動(dòng)式的傾斜式基材承載架。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述鍍膜室的第一側(cè)面開有靶位口，所述靶位口的一側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置第一靶位門板，所述靶位口的另一側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置第二靶位門板，以使所述第一靶位門板與所述第二靶位門板能交替的關(guān)閉在所述靶位口處。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述第一靶位門板上至少設(shè)置一個(gè)立式靶座，在所述立式靶座上拆卸式安裝有所述立式靶，所述第二靶位門板上至少設(shè)置一個(gè)傾斜靶座，在所述傾斜靶座上拆卸式安裝有所述傾斜靶。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述立式基材承載架的一端設(shè)置有第一滑行凹槽，另一端設(shè)置第一傳動(dòng)摩擦部，所述鍍膜室內(nèi)側(cè)頂部對(duì)應(yīng)所述第一滑行凹槽設(shè)置直立導(dǎo)向輪，所述鍍膜室內(nèi)側(cè)底部對(duì)應(yīng)所述第一傳動(dòng)摩擦部設(shè)置摩擦傳動(dòng)輪，所述摩擦傳動(dòng)輪通過傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室外部的動(dòng)力裝置連接，所述傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室接觸處設(shè)置用于密封的磁流體密封件；

在所述直立導(dǎo)向輪的一側(cè)設(shè)置傾斜導(dǎo)向輪，對(duì)應(yīng)所述傾斜導(dǎo)向輪在所述傾斜式基材承載架端部設(shè)置第二滑行凹槽，在所述傾斜式基材承載架遠(yuǎn)離所述第二滑行凹槽的一端設(shè)置與所述摩擦傳動(dòng)輪相匹配的第二傳動(dòng)摩擦部。優(yōu)選的，所述摩擦傳動(dòng)輪為圓形輪，其與傳動(dòng)摩擦部接觸處設(shè)置有容納所述傳動(dòng)摩擦部的環(huán)形凹槽，以使所述傳動(dòng)摩擦部能剛好嵌入到摩擦傳動(dòng)輪的環(huán)形凹槽內(nèi)，并能有效的實(shí)現(xiàn)導(dǎo)向，同時(shí)保證基材承載架在運(yùn)動(dòng)過程中不會(huì)左右搖擺甚至偏倒。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述立式靶座的座面與地面呈垂直設(shè)置，對(duì)應(yīng)的立式靶的靶面、直立基材承載架的架面也均與地面呈垂直設(shè)置，所述傾斜靶座的座面與地面呈夾角a設(shè)置，對(duì)應(yīng)的傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面也均與地面呈夾角a設(shè)置。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述第一靶位門板上平行設(shè)置兩個(gè)所述立式靶座，所述第二靶位門板上平行設(shè)置兩個(gè)所述傾斜靶座。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，還包括分別設(shè)置在所述鍍膜室兩側(cè)的第一鍍膜緩沖室和第二鍍膜緩沖室，所述第一鍍膜緩沖室遠(yuǎn)離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第一過渡室，所述第二鍍膜緩沖室遠(yuǎn)離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第二過渡室，所述第一過渡室遠(yuǎn)離第一鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置進(jìn)片室，所述第二過渡室遠(yuǎn)離第二鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置出片室，所述進(jìn)片室與第一過渡室之間、所述第一過渡室與第一鍍膜緩沖室之間、所述第二鍍膜緩沖室與第二過渡室之間、所述第二過渡室與出片室之間均設(shè)置用于隔絕各個(gè)腔室的隔離閥門，所述第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室之間呈貫通設(shè)置。通過在各個(gè)腔室之間設(shè)置隔離閥門，使得各個(gè)腔室在使用過程中保持獨(dú)立狀態(tài)，并且對(duì)應(yīng)各個(gè)腔室均設(shè)置真空泵機(jī)組，可以獨(dú)立的對(duì)各個(gè)腔室進(jìn)行抽取真空，這樣可以在連續(xù)送入和送出產(chǎn)品過程中不破壞鍍膜室內(nèi)的真空狀態(tài)，保證鍍膜工作的正常運(yùn)行。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述傾斜靶座的座面、傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面與地面的夾角α為銳角。優(yōu)選的，所述夾角α為83°。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述進(jìn)片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室、第二過渡室以及出片室上分別獨(dú)立設(shè)置真空泵機(jī)組，使各個(gè)腔室能獨(dú)立抽取真空。優(yōu)選的，所述進(jìn)片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室、第二鍍膜緩沖室、第二過渡室、出片室內(nèi)均設(shè)置有與鍍膜室內(nèi)部相同設(shè)置的直立導(dǎo)向輪、傾斜導(dǎo)向輪、摩擦傳動(dòng)輪、傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸、磁流體密封件，且均在各腔室外部對(duì)應(yīng)位置設(shè)置控制摩擦傳動(dòng)輪勻速轉(zhuǎn)動(dòng)的電機(jī)，使得基材承載架能連續(xù)的由進(jìn)片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室進(jìn)入鍍膜室鍍膜，鍍膜完成后由第二鍍膜緩沖室、第二過渡室、出片室送出，使得整個(gè)生產(chǎn)可連續(xù)性，提高生產(chǎn)效率，減少生產(chǎn)輔助工序。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案，所述第一靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位口密封連接的密封圈，所述第二靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位口密封連接的密封圈。優(yōu)選的，所述第一靶位門板周邊至少設(shè)置一圈密封圈，所述第二靶位門板周邊至少設(shè)置一圈密封圈。 更加優(yōu)選的，所述第一靶位門板周邊設(shè)置兩圈密封圈，所述第二靶位門板周邊設(shè)置兩圈密封圈。優(yōu)選的，在所述靶位口處對(duì)應(yīng)第一靶位門板或第二靶位門板至少開設(shè)有一圈環(huán)形的密封用凹槽，在所述凹槽內(nèi)設(shè)置密封圈。更加優(yōu)選的，所述靶位口處開設(shè)有兩圈環(huán)形的密封用凹槽，在每個(gè)所述凹槽內(nèi)均設(shè)置密封圈。對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果為:通過在鍍膜室的靶位口處設(shè)置可交替使用的立式靶和傾斜靶，并對(duì)應(yīng)立式靶和傾斜靶在鍍膜室內(nèi)設(shè)置立式基材承載架和傾斜式基材承載架，使得產(chǎn)品在鍍膜要求不高時(shí)可以使用立式靶進(jìn)行鍍膜，當(dāng)產(chǎn)品鍍膜要求高時(shí)可以使用傾斜靶進(jìn)行鍍膜，并利用傾斜式基材承載架裝配產(chǎn)品，可以有效的避免裝夾時(shí)的夾痕，防止出現(xiàn)無(wú)效區(qū)，并且立式靶和傾斜靶的可交替使用，使得鍍膜室能適應(yīng)更多規(guī)格的產(chǎn)品鍍膜，提高鍍膜裝置的通用性。


圖1為發(fā)明所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中鍍膜室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中鍍膜室使用立式靶時(shí)的剖視示意圖4為圖2中鍍膜室使用傾斜靶時(shí)的剖視示意圖。圖中:1、鍍膜室；101、連接口 ;102、靶位口 ;103、第一靶位門板；104、第二靶位門板;105、立式靶;106、傾斜革巴;107、立式靶座;108、傾斜靶座;109、直立導(dǎo)向輪;110、傾斜導(dǎo)向輪；111、立式基材承載架；112、傾斜基材承載架；113、第一傳動(dòng)摩擦部；114、第二傳動(dòng)摩擦部；115、第一滑行凹槽；116、第二滑行凹槽；117、摩擦傳動(dòng)輪；118、傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸；119、磁流體S封件；2、進(jìn)片室；3、第一過渡室；4、第一鍍膜緩沖室；5、第二鍍膜緩沖室；6、第二過渡室；7、出片室；8、隔離閥門；9、上料工位；10、下料工位；11、真空泵機(jī)組。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，此實(shí)施例中所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，包括依次設(shè)置的進(jìn)片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室1、第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7,在進(jìn)片室2遠(yuǎn)離第一過渡室3的一側(cè)設(shè)置上料工位9,在出片室7遠(yuǎn)離第二過渡室6的一側(cè)設(shè)置下料工位10，進(jìn)片室2和第一過渡室3之間設(shè)置隔離閥門8，第一過渡室3和第一鍍膜緩沖室4之間設(shè)置隔離閥門8，第二鍍膜緩沖室5與第二過渡室6之間設(shè)置隔離閥門8，第二過渡室6和出片室7之間設(shè)置隔離閥門8，且第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室1、第二鍍膜緩沖室5呈連通設(shè)置，其內(nèi)部的真空狀態(tài)一致。在進(jìn)片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室1、第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7上均設(shè)置一套獨(dú)立的真空泵機(jī)組，用于進(jìn)行獨(dú)立的抽取真空工作，這樣可以在連續(xù)送入和送出產(chǎn)品過程中不破壞鍍膜室I內(nèi)的真空狀態(tài)，保證鍍膜工作的正常運(yùn)行。如圖2 4所示，鍍膜室I為長(zhǎng)方體箱體，其包括四個(gè)與地面垂直的側(cè)面，分別為第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面和第四側(cè)面，在第一側(cè)面上設(shè)置靶位口 102，在靶位口 102的左側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置第一靶位門板103，在靶位口 102的右側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置第二靶位門板104，第一靶位門板103和第二靶位門板104的外形尺寸均與靶位口 102的尺寸相匹配，使得第一靶位門板103和第二靶位門板104均能交替的關(guān)閉在靶位口 102處。第一靶位門板103外圍設(shè)置兩圈環(huán)形密封圈，使其在關(guān)閉到靶位口 102處時(shí)能與靶位口 102密封連接，第二靶位門板104外圍設(shè)置兩圈環(huán)形密封圈，使其在關(guān)閉到靶位口102處時(shí)能與靶位口 102密封連接。在第一靶位門板103上平行設(shè)置兩塊矩形立式靶座107，每個(gè)立式靶座107上拆卸式設(shè)置一塊立式靶105，在第二靶位門板104上平行設(shè)置兩塊矩形傾斜靶座108，每個(gè)傾斜靶座108上拆卸式設(shè)置一塊傾斜靶106，立式靶座107的座面與地面呈垂直狀態(tài)，安裝在立式靶座107座面的立式靶105為長(zhǎng)方體形狀，因此立式靶105的靶面與地面也呈垂直狀態(tài)，而傾斜靶座108的座面與地面呈83°夾角設(shè)置，安裝在傾斜靶座108座面的傾斜靶106為長(zhǎng)方體形狀，因此傾斜靶106的靶面與地面也呈83°夾角設(shè)置。在鍍膜室I內(nèi)部頂端平行設(shè)置兩排導(dǎo)向輪，分別為直立導(dǎo)向輪109和傾斜導(dǎo)向輪110，在直立導(dǎo)向輪109正下方、鍍膜室I內(nèi)設(shè)置摩擦傳動(dòng)輪117，此摩擦傳動(dòng)輪117通過傳 動(dòng)轉(zhuǎn)軸118與鍍膜室I外部設(shè)置的電機(jī) 連接，使得電機(jī)能帶動(dòng)摩擦傳動(dòng)輪117勻速的轉(zhuǎn)動(dòng)，在傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸118與鍍膜室I接觸處設(shè)置用于對(duì)傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸118進(jìn)行真空密封的磁流體密封件119，以實(shí)現(xiàn)可靠的動(dòng)態(tài)密封。在直立導(dǎo)向輪109與摩擦傳動(dòng)輪117之間可以安放立式基材承載架111，此立式基材承載架111的外表面與立式靶105的靶面呈平行狀態(tài)，這樣可以使得安放在立式基材承載架111表面的鍍膜基材與立式靶105平行，進(jìn)一步使得鍍膜基材表面鍍膜均勻，保證膜層
穩(wěn)定可靠。在傾斜導(dǎo)向輪110與摩擦傳動(dòng)輪117之間可以安放傾斜式基材承載架112，此傾斜式基材承載架112的外表面與傾斜靶106的靶面呈平行狀態(tài)，且均與地面呈83°夾角設(shè)置，這樣可以使得安放在傾斜式基材承載架112表面的鍍膜基材與傾斜靶106平行，進(jìn)而保證安放在傾斜式基材承載架112表面的鍍膜基材與傾斜靶106平行，使得鍍膜基材表面鍍膜均勻，保證膜層穩(wěn)定可靠，并且當(dāng)鍍膜基材對(duì)膜層質(zhì)量要求較高時(shí)，可以使用此傾斜式基材承載架112，因?yàn)閮A斜式基材承載架112與地面呈83度夾角設(shè)置，因此在安放鍍膜基材時(shí)可以不適用夾具，這樣就可以避免鍍膜無(wú)效區(qū)。立式基材承載架111的上端設(shè)置有與直立導(dǎo)向輪109相匹配的第一滑行凹槽115，立式基材承載架111的下端設(shè)置有與摩擦傳動(dòng)輪117相匹配的第一傳動(dòng)摩擦部113，使得立式基材承載架111能在鍍膜室I內(nèi)均勻的移動(dòng)。傾斜式基材承載架112的上端設(shè)置有與傾斜導(dǎo)向輪110相匹配的第二滑行凹槽116，傾斜式基材承載架112的下端設(shè)置有與摩擦傳動(dòng)輪117相匹配的第二傳動(dòng)摩擦部114，使得傾斜式基材承載架112能在鍍膜室I內(nèi)均勻的移動(dòng)。摩擦傳動(dòng)輪117為圓形輪，其與傳動(dòng)摩擦部接觸處設(shè)置有容納傳動(dòng)摩擦部的環(huán)形凹槽，以使傳動(dòng)摩擦部能剛好嵌入到摩擦傳動(dòng)輪117的環(huán)形凹槽內(nèi)，并能有效的實(shí)現(xiàn)導(dǎo)向，同時(shí)保證基材承載架在運(yùn)動(dòng)過程中不會(huì)左右搖擺甚至偏倒。在與鍍膜室I的第一側(cè)面連接的第二側(cè)面、第三側(cè)面分別設(shè)置與第一鍍膜緩沖室
4、第二鍍膜緩沖室5連通的連接口 101，在進(jìn)片室2上正對(duì)連接口 101設(shè)置進(jìn)片門，在出片室7上正對(duì)連接口 101設(shè)置出片門，進(jìn)片門和出片門處均設(shè)置密封結(jié)構(gòu)，使得進(jìn)片室2和出片室7內(nèi)能保持真空密封狀態(tài)。進(jìn)片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4、第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7內(nèi)部均設(shè)置與鍍膜室I內(nèi)部相同設(shè)置的直立導(dǎo)向輪109、傾斜導(dǎo)向輪110、摩擦傳動(dòng)輪117、傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸118、磁流體密封件119，且均在各腔室外部對(duì)應(yīng)位置設(shè)置控制摩擦傳動(dòng)輪117勻速轉(zhuǎn)動(dòng)的電機(jī)，使得基材承載架能連續(xù)的由進(jìn)片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4進(jìn)入鍍膜室I鍍膜，鍍膜完成后由第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7送出，使得整個(gè)生產(chǎn)可連續(xù)性,提高生產(chǎn)效率,減少生產(chǎn)輔助工序。如圖2所示，選擇采用立式基材承載架111裝載鍍膜基材:第一步、將鍍膜室I上的靶位口 102處的第一靶位門板103關(guān)閉并密封，然后將各個(gè)隔離閥門8關(guān)閉；第二步、由于第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室I以及第二鍍膜緩沖室5是呈貫通設(shè)置的，因此第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室 I以及第二鍍膜緩沖室5統(tǒng)稱為鍍膜室組，開啟鍍膜室組上的真空泵機(jī)組11，對(duì)鍍膜室組內(nèi)抽取真空，直至鍍膜室組內(nèi)的氣壓為鍍膜時(shí)需要的氣壓，開啟第一過渡室3和第二過渡室6上的真空泵機(jī)組，分別對(duì)第一過渡室3和第二過渡室6內(nèi)部抽取真空，直至其內(nèi)部的氣壓為1/2鍍膜室組內(nèi)的氣壓，進(jìn)片室2和出片室7暫不抽取真空；第三步、在上料工位9處將鍍膜基材固定在立式基材承載架111上，開啟進(jìn)片室2的進(jìn)片門，將帶有鍍膜基材的立式基材承載架111放入到進(jìn)片室2內(nèi)的直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動(dòng)輪之間，然后關(guān)閉進(jìn)片門，并通過進(jìn)片室2上設(shè)置真空泵機(jī)11組對(duì)進(jìn)片室2抽取真空，使其內(nèi)部的真空壓力與第一過渡室3內(nèi)的真空壓力值一致；第四步、通過外部控制裝置打開進(jìn)片室2與第一過渡室3之間的隔離閥門8，并利用直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動(dòng)輪將立式基材承載架111送入到第一過渡室3內(nèi)，關(guān)閉進(jìn)片室2與第一過渡室3之間的隔離閥門8 ；第五步、利用第一過渡室3上設(shè)置的真空泵機(jī)組11對(duì)第一過渡室3抽取真空，使其內(nèi)部的氣壓值與鍍膜室組內(nèi)的氣壓值一致，然后通過外部控制裝置打開第一過渡室3與鍍膜室組之間的隔離閥門8，并利用直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動(dòng)輪將立式基材承載架111送入到鍍膜室組內(nèi)的直立導(dǎo)向輪與摩擦傳動(dòng)輪之間，關(guān)閉隔離閥門8，待立式基材承載架111從第一鍍膜緩沖室4進(jìn)入到鍍膜室I內(nèi)后，再進(jìn)行磁控濺射鍍膜；第六步、鍍膜完成后，開啟第二過渡室6上的真空泵機(jī)組，對(duì)第二過渡室6內(nèi)進(jìn)行抽取真空，使第二過渡室6內(nèi)的壓力值與鍍膜室組的保持一致，然后將鍍膜室組與第二過渡室6之間的隔離閥門8開啟，將立式基材承載架111送入到第二過渡室6內(nèi)的直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動(dòng)輪上；第七步、開啟第二過渡室6與出片室7之間的隔離閥門8，將立式基材承載架111送入到出片室7內(nèi)，并關(guān)閉第二過渡室6與出片室7之間的隔離閥門8 ；第八步、開啟出片室7上的大氣閥門，使空氣進(jìn)入出片室7內(nèi)，待出片室7內(nèi)的氣壓值與大氣壓一致，開啟出片室7的出門口，將立式基材承載架111從出片室7送出至下料工位10處，然后進(jìn)行卸料；第九步、重復(fù)第一步至第八步，進(jìn)行連續(xù)的重復(fù)的鍍膜工序。如圖3所示，選擇采用傾斜式基材承載架112裝載鍍膜基材時(shí)，操作步驟與上述步驟完全一致，只需要將傾斜式基材承載架112安放到傾斜式導(dǎo)向輪和摩擦傳動(dòng)輪117之間，并且將靶位口 102處的第二靶位門板104關(guān)閉即可。以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本發(fā)明的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它具體實(shí)施方式
， 這些方式都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，包括至少一個(gè)鍍膜室，其特征在于，所述鍍膜室內(nèi)壁上具有用于磁控濺射鍍膜的可交替使用的立式靶和傾斜靶，對(duì)應(yīng)所述立式靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動(dòng)式的立式基材承載架，對(duì)應(yīng)所述傾斜靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動(dòng)式的傾斜式基材承載架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜室的第一側(cè)面開有靶位口，所述靶位口的一側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置第一靶位門板，所述靶位口的另一側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置第二靶位門板，以使所述第一靶位門板與所述第二靶位門板能交替的關(guān)閉在所述靶位口處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述第一靶位門板上至少設(shè)置一個(gè)立式靶座，在所述立式靶座上拆卸式安裝有所述立式靶，所述第二靶位門板上至少設(shè)置一個(gè)傾斜靶座，在所述傾斜靶座上拆卸式安裝有所述傾斜靶。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述立式基材承載架的一端設(shè)置有第一滑行凹槽，另一端設(shè)置第一傳動(dòng)摩擦部，所述鍍膜室內(nèi)側(cè)頂部對(duì)應(yīng)所述第一滑行凹槽設(shè)置直立導(dǎo)向輪，所述鍍膜室內(nèi)側(cè)底部對(duì)應(yīng)所述第一傳動(dòng)摩擦部設(shè)置摩擦傳動(dòng)輪，所述摩擦傳動(dòng)輪通過傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室外部的動(dòng)力裝置連接，所述傳動(dòng)轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室接觸處設(shè)置用于密封的磁流體密封件； 在所述直立導(dǎo)向輪的一側(cè)設(shè)置傾斜導(dǎo)向輪，對(duì)應(yīng)所述傾斜導(dǎo)向輪在所述傾斜式基材承載架端部設(shè)置第二滑行凹槽，在所述傾斜式基材承載架遠(yuǎn)離所述第二滑行凹槽的一端設(shè)置與所述摩擦傳動(dòng)輪相匹配的第二傳動(dòng)摩擦部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述立式靶座的座面與地面呈垂直設(shè)置，對(duì)應(yīng)的立式靶的靶面、直立基材承載架的架面也均與地面呈垂直設(shè)置，所述傾斜靶座的座面與地面呈夾角a設(shè)置，對(duì)應(yīng)的傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面也均與地面呈夾角a設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述第一靶位門板上平行設(shè)置兩個(gè)所述立式靶`座，所述第二靶位門板上平行設(shè)置兩個(gè)所述傾斜靶座。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，還包括分別設(shè)置在所述鍍膜室兩側(cè)的第一鍍膜緩沖室和第二鍍膜緩沖室，所述第一鍍膜緩沖室遠(yuǎn)離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第一過渡室，所述第二鍍膜緩沖室遠(yuǎn)離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第二過渡室，所述第一過渡室遠(yuǎn)離第一鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置進(jìn)片室，所述第二過渡室遠(yuǎn)離第二鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置出片室，所述進(jìn)片室與第一過渡室之間、所述第一過渡室與第一鍍膜緩沖室之間、所述第二鍍膜緩沖室與第二過渡室之間、所述第二過渡室與出片室之間均設(shè)置用于隔絕各個(gè)腔室的隔離閥門，所述第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室之間呈貫通設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述傾斜靶座的座面、傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面與地面的夾角a為銳角。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8任一所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述進(jìn)片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室、第二過渡室以及出片室上分別獨(dú)立設(shè)置真空泵機(jī)組，使各個(gè)腔室能獨(dú)立抽取真空。
10.根據(jù)權(quán)利要求2 8任一所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述第一靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位口密封連接的密封圈，所述第二靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位 口密封連接的密封圈。
全文摘要
本發(fā)明公開一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置，包括至少一個(gè)鍍膜室，鍍膜室內(nèi)壁上具有用于磁控濺射鍍膜的可交替使用的立式靶和傾斜靶，對(duì)應(yīng)立式靶在鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動(dòng)式的立式基材承載架，對(duì)應(yīng)傾斜靶在鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動(dòng)式的傾斜式基材承載架。通過在鍍膜室的靶位口處設(shè)置可交替使用的立式靶和傾斜靶，并對(duì)應(yīng)設(shè)置立式基材承載架和傾斜式基材承載架，使得鍍膜基材在不同要求時(shí)可以選用不同的靶材進(jìn)行鍍膜，并且立式靶和傾斜靶的可交替使用，還可以使得鍍膜室能適應(yīng)更多規(guī)格的產(chǎn)品鍍膜，提高鍍膜裝置的通用性。
文檔編號(hào)C23C14/35GK103147053SQ20121054391
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者陳宇 申請(qǐng)人:廣東志成冠軍集團(tuán)有限公司