專利名稱：鍍膜方法及裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及液晶面板技術領域，尤其涉及一種鍍膜方法和鍍膜裝置。
背景技術：
液晶面板包括陣列基板、彩色濾光片基板及設置在二者之間的液晶層。陣列基板是液晶面板的重要組成元件之一。在陣列基板上設置有若干信號線，如數據線、掃描線等。由于各種原因，陣列基板的信號線會存在斷線缺陷，即信號線存在斷路。為提高陣列基板的良率，需要利用鍍膜裝置在斷線缺陷的區域補鍍金屬鍍膜層，以修復斷開的信號線。在補鍍金屬鍍膜層時，由于鍍膜裝置向陣列基板上傳送的鍍膜氣流是高溫熔融的混合物，而陣列基板則是處于常溫下，因此陣列基板與鍍膜氣流的溫差很大，導致鍍膜氣流 中的混合物接觸陣列基板后會形成結晶物。當結晶物落在待鍍膜區域時，會使得鍍膜層與陣列基板之間被結晶物阻隔，鍍膜層不能緊密附著于陣列基板上，從而使鍍膜層不牢固，容易從陣列基板上剝離，導致鍍膜失敗，降低了陣列基板的良率。

發明內容
本發明的主要目的在于提供一種鍍膜方法及裝置，旨在提高鍍膜的成功率和穩定性。為達以上目的，本發明提出一種鍍膜方法，包括步驟對待鍍件的待鍍膜區加熱；在所述待鍍件加熱后的待鍍膜區鍍膜。優選地，所述對待鍍件的待鍍膜區加熱包括利用激光加熱裝置或電阻加熱裝置對待鍍件的待鍍膜區加熱。優選地，所述對待鍍件的待鍍膜區加熱包括發射激光并把該激光匯聚于待鍍件的待鍍膜區，以對該待鍍膜區加熱。優選地，所述對待鍍件的待鍍膜區加熱包括加熱氣體并把加熱后的氣體吹向待鍍件的待鍍膜區，以對該待鍍膜區加熱。本發明同時提出一種鍍膜裝置，包括加熱單元和鍍膜單元，所述加熱單元用于對待鍍件的待鍍膜區加熱，所述鍍膜單元用于在待鍍件加熱后的待鍍膜區鍍膜。優選地，所述加熱單元為激光加熱單元或電阻加熱單元。優選地，所述加熱單元為激光加熱單元，包括激光發射器和聚光件，所述激光發射器發射的激光經聚光件匯聚后照射于所述待鍍件的待鍍膜區。優選地，所述鍍膜單元包括一阻隔玻璃，所述激光加熱單元和鍍膜單元位于所述待鍍件的同一側，且所述阻隔玻璃采用聚光玻璃以充當所述激光加熱單元的聚光件。優選地，所述加熱單元為電阻加熱單元，包括導熱管、設于導熱管內的發熱電阻和鼓風件，所述鼓風件對所述導熱管內部吹風，吹入的氣體被發熱電阻加熱后經導熱管導向所述待鍍件的待鍍膜區。
優選地，所述加熱單元和鍍膜單元并列設置位于所述待鍍件的同一側或相對設置分置于所述待鍍件的兩側。本發明所提供的一種鍍膜方法，通過預先對待鍍件的待鍍膜區加熱，以提高該待鍍膜區的溫度，減小該待鍍膜區與鍍膜氣流之間的溫差，避免鍍膜氣流中的混合物于待鍍件的待鍍膜區結晶，從而鍍膜層與待鍍件之間沒有結晶物的阻隔，鍍膜層直接緊密附著于待鍍件的待鍍膜區上，提高了鍍膜的成功率和穩定性。


圖1是本發明的鍍膜方法第一實施例的流程圖；圖2是本發明的鍍膜方法第二實施例的流程圖；
圖3是本發明的鍍膜裝置的結構示意圖；圖4是本發明的鍍膜裝置第一實施例的結構示意圖；圖5是本發明的鍍膜裝置第二實施例的結構示意圖。本發明目的的實現、功能特點及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施例方式應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。參見圖1，提出本發明的鍍膜方法一實施例，所述鍍膜方法包括步驟S101、對待鍍件的待鍍膜區加熱。在鍍膜之前，先對待鍍件的待鍍膜區加熱，以提高待鍍件的待鍍膜區的溫度，減小待鍍件的待鍍膜區與鍍膜氣流的溫差。可以利用激光加熱裝置、電阻加熱裝置等加熱裝置對待鍍件的待鍍膜區加熱，力口熱裝置可以與鍍膜裝置設為一體，也可以分體設置；加熱裝置與鍍膜裝置可以并列設置，位于待鍍件的同一側對該待鍍件加熱以及在該待鍍件上鍍膜；加熱裝置與鍍膜裝置也可以相對設置，分置于待鍍件的兩側。當用激光加熱裝置加熱時，激光加熱裝置的激光發射器發射的激光經聚光件匯聚后照射于待鍍件的待鍍膜區，匯聚后的激光就對該待鍍膜區加熱而提高該區域的溫度。當用電阻加熱裝置加熱時，將電阻加熱裝置的導熱管的出風口對準待鍍件的待鍍膜區，電阻加熱裝置的鼓風件如風機則對導熱管內部吹風，導熱管內部的發熱電阻對吹入的氣體加熱，加熱后的熱氣體吹到待鍍膜區使得該區域被加熱，溫度得以升高。步驟S102、在待鍍件加熱后的待鍍膜區鍍膜。對待鍍件的待鍍膜區加熱后，待鍍件的待鍍膜區的溫度得以升高，此時再在待鍍件的待鍍膜區鍍膜時，鍍膜裝置噴射的高溫熔融的鍍膜氣流與待鍍件的待鍍膜區的溫差較小，甚至待鍍件的的待鍍膜區與鍍膜氣流之間的溫差可以忽略，因此鍍膜氣流中的混合物不會在待鍍膜區域結晶而影響鍍膜氣流在待鍍膜區形成的鍍膜層的附著力，使得鍍膜層直接附著于待鍍件的待鍍膜區，與待鍍件緊密結合，提高了鍍膜的成功率和穩定性。參見圖2，提出本發明的鍍膜方法第二實施例。本發明的鍍膜方法可以應用于液晶面板技術領域，當液晶面板的陣列基板上的信號線存在斷路缺陷時，需要對斷線區域補鍍金屬鍍膜層，以修復該信號線。本實施例即以在陣列基板上補鍍金屬鍍膜層為例對本發明的鍍膜方法做詳細說明步驟S201、對陣列基板的待鍍膜區加熱。本實施例的待鍍件即為需要修復信號線的陣列基板，并只對陣列基板的待鍍膜區加熱，一方面減少高溫對陣列基板上其他部件的影響，另一方面可以減小能量不必要的損耗和浪費。此時待鍍膜區即為陣列基板上信號線因存在斷線而需要補鍍金屬鍍膜層的區域。當用激光加熱裝置加熱時，激光加熱裝置的激光發射器發射的激光經聚光件匯聚后照射于陣列基板的待鍍膜區，匯聚后的激光就對該待鍍膜區加熱而提高該區域的溫度。當用電阻加熱裝置加熱時，將電阻加熱裝置的導熱管的 出風口對準陣列基板的待鍍膜區，電阻加熱裝置的鼓風件如風機則對導熱管內部吹風，導熱管內部的發熱電阻對吹入的氣體加熱，加熱后的熱氣體吹到待鍍膜區使得該區域被加熱，溫度得以升高。步驟S202、將包含金屬粉末混合物的鍍膜氣流傳送到加熱后的待鍍膜區。鍍膜裝置將高溫熔融的鍍膜氣流噴射到陣列基板的待鍍膜區，由于該區域已預先加熱，其與高溫熔融的鍍膜氣流的溫差較小，甚至陣列基板的待鍍膜區與鍍膜氣流之間的溫差可以忽略，因此鍍膜氣流中的金屬粉末混合物就不會在該待鍍膜區結晶。步驟S203、分解出金屬粉末混合物中的金屬粒子，以使該金屬粒子附著于待鍍膜區上形成鍍膜層。鍍膜裝置發射激光對金屬粉末混合物進行分解，由于從金屬粉末混合物中分解出的金屬粒子處于高溫熔融狀態，因此馬上附著于陣列基板的待鍍膜區上形成金屬鍍膜層，從而將存在斷線缺陷的信號線修復。由于此時陣列基板的待鍍膜區已經被加熱，其與金屬粒子之間的溫差較小或者溫差可以忽略，因此附著在陣列基板的待鍍膜區的金屬離子不會發生結晶，從而使形成在陣列基板的待鍍膜區的金屬鍍膜層在待鍍膜區的附著力強，而不會脫落。據此，本實施例通過預先對陣列基板的待鍍膜區加熱，以提高陣列基板的待鍍膜區的溫度，減小陣列基板的待鍍膜區與鍍膜氣流之間的溫差，避免鍍膜氣流中的混合物于陣列基板的待鍍膜區結晶，使得鍍膜層與陣列基板之間沒有結晶物的阻隔，鍍膜層直接緊密附著于陣列基板上，因此附著力強不會脫落，提高了鍍膜的成功率和穩定性。如圖3-圖5，本發明還提出一種鍍膜裝置，所述鍍膜裝置100包括加熱單元120和鍍膜單元110，其中加熱單元120用于對待鍍件的待鍍膜區加熱，鍍膜單元110用于在待鍍件200加熱后的待鍍膜區鍍膜。加熱單元120可以是激光加熱單元121、電阻加熱單元122
坐寸ο結合參見圖4，提出本發明的鍍膜裝置第一實施例，所述鍍膜裝置100包括激光加熱單元121和鍍膜單元110，其中激光加熱單元121包括激光發射器1211和聚光件1212，激光發射器1211發射的激光經聚光件1212匯聚后照射于待鍍件200的待鍍膜區。鍍膜單元110包括鍍膜腔體111、阻隔玻璃112、和激光器113，其中該鍍膜腔體111開設有鍍膜通道，阻隔玻璃112設置在鍍膜通道的上方。鍍膜腔體111具有第一出口 1111、第二出口1112、第三出口 1113及排出口 1114。用于形成鍍膜的粉末狀鍍膜材料由該第一出口 1111吹出，該第一出口 1111設置在待鍍膜區的上方。第二出口 1112設置在第一出口 1111的上方，該第二出口 1112用于吹出不與鍍膜材料發生反應的氣體，如惰性氣體等，并且該第二出口 1112吹出的惰性氣體與第一出口 1111吹出的鍍膜材料混合。第三出口 1113設置在第一出口 1111的一側，由第三出口 1113吹出的惰性氣體用于阻擋由第二出口 1112吹出的惰性氣體與鍍膜材料的混合物擴散到非待鍍膜區，即由第三出口 1113吹出的氣體用于將鍍膜材料限定在待鍍膜區。排出口 1114位于第一出口 1111與第三出口 1113之間，用于排出鍍膜材料和惰性氣體的混合物。激光器113透過阻隔玻璃112向待鍍件200的待鍍膜區發射激光，分解出粉末狀鍍膜材料混合物中的金屬粒子，以使該金屬粒子附著于待鍍件200上形成鍍膜層；阻隔玻璃112阻擋粉末狀鍍膜材料與惰性氣體形成的混合氣流上浮。優選的，該鍍膜腔體111還具有第二排出口 1115，該第二排出口 1115與排出口 1114分別設置在第三出口 1113的兩側，用于將從第三出口 1113吹出的氣體排出。激光加熱單元121和鍍膜單元110可以并列設置，于待鍍件200的同一側對該待鍍件200加熱和在待鍍件200上鍍膜，從而可以將激光加熱單元121的激光發射器1211和鍍膜單元110的激光器113并列設置，均透過阻隔玻璃112向待鍍件發射激光，此時的阻隔玻璃112可以采用聚光玻璃以充當激光加熱單元121的聚光件1212。
當然，激光加熱單元121和鍍膜單元110也可以相對設置，分置于待鍍件200兩偵牝從而激光加熱單元121在一側對待鍍件200加熱，鍍膜單元110在待鍍件200另一側對加熱后的待鍍膜區域鍍膜。現以鍍膜裝置100為修復液晶面板的陣列基板上的信號線而在信號線斷線的區域補鍍金屬鍍膜層為例，詳細說明本實施例的鍍膜裝置100的鍍膜過程激光加熱單元121的激光發射器1211發射的激光經聚光件1212匯聚后照射于待鍍件200的待鍍膜區域(即陣列基板的信號線斷線區域)，得以預先對該區域加熱而提高了該區域的溫度。粉末狀鍍膜材料由該第一出口 1111吹出并與惰性氣體混合形成鍍膜氣流，由于該待鍍膜區域已被加熱而與鍍膜氣流的溫差減小，因此鍍膜氣流中的金屬粉末混合物不會在該待鍍膜區域結晶；同時激光器113向該待鍍膜區發射激光，分解出鍍膜氣流的金屬粒子，以使該金屬粒子附著于待鍍膜件200上形成金屬鍍膜層。由于金屬鍍膜層與待鍍件200之間沒有結晶物的阻隔，使得金屬鍍膜層得以直接附著于待鍍件200，與待鍍件200
糸迅彡口口。據此，本實施例通過激光加熱單元121預先對待鍍件200的待鍍膜區加熱，以提高待鍍件200的待鍍膜區域的溫度，減小待鍍件200的待鍍膜區與鍍膜氣流之間的溫差，避免鍍膜氣流中的混合物于待鍍件200的待鍍膜區結晶，使得金屬鍍膜層與待鍍件200的待鍍膜區之間沒有結晶物的阻隔，金屬鍍膜層直接緊密附著于待鍍件200的待鍍膜區上，提高了鍍膜的成功率和穩定性。結合參見圖5，提出本發明的鍍膜裝置第二實施例，本實施例與上述實施例的區別在于加熱單元120不同，本實施例的加熱單元為電阻加熱單元122，所述電阻加熱單元122包括鼓風件1221、導熱管1222以及設于導熱管1222內的發熱電阻1223，鼓風件1221可以設于導熱管1222內，也可以設于導熱管1222外但對準導熱管1222入口。電源(圖中未示出)對發熱電阻1223通電使發熱電阻1223發熱，所述鼓風件1221對導熱管1222內部吹風，吹入的氣體被發熱電阻1223加熱后經導熱管1222導向待鍍件200的待鍍膜區。如圖5所示，電阻加熱單元122可以和鍍膜單元110相對設置，分置于待鍍件200兩側，電阻加熱單元122的導熱管1222的出口對準待鍍膜區，從而電阻加熱單元122在一側對待鍍件200的待鍍膜區加熱，鍍膜單元110在待鍍件200另一側對加熱后的待鍍膜區域鍍膜。電阻加熱單元122和鍍膜單元110也可以并列設置，位于待鍍件200的同一側。可以將電阻加熱單元122設置于鍍膜單元110的周圍，也即將導熱管1222設置為圓環形管道，將鍍膜單元110套設于該導熱管1222的圓環內，使得電阻加熱單元122和鍍膜單元110對準待鍍件200的同一位置，于同一側對待鍍件200加熱和在待鍍件200上鍍膜。本實施例的鍍膜裝置100的鍍膜過程如下將電阻加熱單元122的導熱管1222的出風口對準待鍍件200的待鍍膜區，電阻加熱單元122的鼓風件1221如風機對導熱管1222內部吹風，導熱管1222內部的發熱電阻1223對吹入的氣體加熱，加熱后的熱氣體吹到待鍍膜區使得該區域被加熱，溫度得以升高。粉末狀鍍膜材料由該第一出口 1111吹出并與惰性氣體混合形成鍍膜氣流，由于該待鍍膜區域已被加熱而與鍍膜氣流的溫差減小，因此鍍膜氣流中的金屬粉末混合物不會在該待鍍膜區域結晶；同時激光器113向該待鍍膜區發射激 光，分解出鍍膜氣流的金屬粒子，以使該金屬粒子附著于待鍍膜件200上形成金屬鍍膜層。由于金屬鍍膜層與待鍍件200之間沒有結晶物的阻隔，使得金屬鍍膜層得以直接附著于待鍍件200上，提高了鍍膜的成功率和穩定性。應當理解的是，以上僅為本發明的優選實施例，不能因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
權利要求
1.一種鍍膜方法，其特征在于，包括步驟 對待鍍件的待鍍膜區加熱； 在所述待鍍件加熱后的待鍍膜區鍍膜。
2.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述對待鍍件的待鍍膜區加熱包括 利用激光加熱裝置或電阻加熱裝置對待鍍件的待鍍膜區加熱。
3.根據權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述對待鍍件的待鍍膜區加熱包括 發射激光并把該激光匯聚于待鍍件的待鍍膜區，以對該待鍍膜區加熱。
4.根據權利要求1所述的待鍍膜方法，其特征在于，所述對待鍍件的待鍍膜區加熱包括 加熱氣體并把加熱后的氣體吹向待鍍件的待鍍膜區，以對該待鍍膜區加熱。
5.一種鍍膜裝置，其特征在于，包括加熱單元和鍍膜單元，所述加熱單元用于對待鍍件的待鍍膜區加熱，所述鍍膜單元用于在待鍍件加熱后的待鍍膜區鍍膜。
6.根據權利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱單元為激光加熱單元或電阻加熱單元。
7.根據權利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱單元為激光加熱單元，包括激光發射器和聚光件，所述激光發射器發射的激光經聚光件匯聚后照射于所述待鍍件的待鍍膜區。
8.根據權利要求7所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜單元包括一阻隔玻璃，所述激光加熱單元和鍍膜單元位于所述待鍍件的同一側，且所述阻隔玻璃采用聚光玻璃以充當所述激光加熱單元的聚光件。
9.根據權利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱單元為電阻加熱單元，包括導熱管、設于導熱管內的發熱電阻和鼓風件，所述鼓風件對所述導熱管內部吹風，吹入的氣體被發熱電阻加熱后經導熱管導向所述待鍍件的待鍍膜區。
10.根據權利要求5項所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱單元和鍍膜單元并列設置位于所述待鍍件的同一側或相對設置分置于所述待鍍件的兩側。
全文摘要
本發明公開了一種鍍膜方法及裝置，所述鍍膜方法包括步驟對待鍍件的待鍍膜區加熱；在所述待鍍件加熱后的待鍍膜區鍍膜。從而，通過預先對待鍍件的待鍍膜區加熱，以提高該待鍍膜區的溫度，減小該待鍍膜區與鍍膜氣流之間的溫差，避免鍍膜氣流中的混合物于待鍍件的待鍍膜區結晶，從而鍍膜層與待鍍件之間沒有結晶物的阻隔，鍍膜層直接緊密附著于待鍍膜區上，提高了鍍膜的成功率和穩定性。
文檔編號C23C16/458GK103014672SQ20121056293
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月21日 優先權日2012年12月21日
發明者鄭文達, 吳礎任 申請人:深圳市華星光電技術有限公司