一種高透薄膜的制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種高透薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：A、直流電源濺射Nb平面靶，在透明耐熱玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；B、交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在Nb2O5層上磁控濺射TiO2層；C、交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶旋轉靶，在TiO2層上磁控濺射AZO層；D、直流電源濺射銀平面靶，在AZO層上磁控濺射Ag層；E、直流電源濺射NiCr合金平面靶，在Ag層上磁控濺射NiCr層；F、交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在NiCr層上磁控濺射TiO2層。本發明的目的是為了克服現有技術中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產成本相對較低的高透薄膜的制備方法。
【專利說明】一種高透薄膜的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種高透薄膜的制備方法。
【背景技術】
[0002]低輻射玻璃是指對紅外輻射具有高反射率，對可見光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。
[0003]目前市場上較常見的低輻射玻璃有單銀低輻射玻璃、雙銀低輻射玻璃、熱控低輻射玻璃及鈦基低輻射玻璃等。現有的這四種低輻射玻璃在380~780納米的可見光波長范圍內透射率不夠高，僅為50%左右；在紅外輻射波長范圍內透射率較高，尤其是在900~1100納米的波長范圍內透射率為10~20%之間。另外，這些玻璃的耐磨性通常不夠優良。
[0004]故此，現有的透明玻璃基材有待于進步完善。

【發明內容】

[0005]本發明的目的是為了克服現有技術中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產成本相對較低的高透薄膜的制備方法。
[0006]為了達到上述目的，本發明采用以下方案:
[0007]一種高透薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟:
[0008]A、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在透明耐熱玻璃基板上磁控濺射Nb2O`5層；
[0009]B、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射TiO2層；
[0010]C、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶旋轉靶，在步驟B中的TiO2層上磁控濺射AZO層；
[0011 ] D、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中的AZO層上磁控濺射Ag層；
[0012]E、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射NiCr層；
[0013]F、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射TiO2層。
[0014]如上所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述Nb2O5層的厚度為20~30nm，氬氣與氧氣的體積比為1:3，濺射壓力2.5*10 — 3mbar，所述直流電源的濺射功率為30~45KW。
[0015]如上所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述TiO2層的厚度為8~15nm，所述交流電源的濺射功率40~75KW。
[0016]如上所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述AZO層的厚度為20~25nm，所述的交流電源的濺射功率20~25KW。
[0017]如上所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
[0018]如上所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述NiCr層的厚度為2~3nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩爾比21: 79,所述直流電源的派射功率2~3KW。
[0019]如上所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于F中所述TiO2層的厚度為20~30nm，所述交流電源的濺射功率為100~150KW，其中包括兩個陰極濺射，每個陰極50~75KW。
[0020]綜上所述，本發明的有益效果:
[0021]本發明工藝方法簡單，操作方便，生產成本相對較低。產品透過率高達到85%以上，接近基底透過率；生產過程中對基板潔凈程度要求不高，機械性能優異。
【具體實施方式】
[0022]下面結合【具體實施方式】對本發明做進一步描述:
[0023]實施例1
[0024]本發明一種高透薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0025]A、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在透明耐熱玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；所述Nb2O5層的厚度為20nm，氬氣與氧氣的體積比為1:3，即氬氣:氧氣=300sccm:900sccm，濺射壓力2.5*10 — 3mbar，所述直流電源的濺射功率為30KW。
[0026]B、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為800sccm，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射TiO2層；所述TiO2層的厚度為8nm，所述交流電源的濺射功率40KW。
[0027]C、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶旋轉靶，其中氧化鋅陶瓷靶旋轉靶摻鋁2%，在步驟B中的TiO2層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為20nm，所述的交流電源的濺射功率20KW。
[0028]D、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為8nm，所述直流電源的濺射功率3KW。所述NiCr層的厚度為2nm，所述NiCr合金中N1: Cr的摩爾比21:79，所述直流電源的濺射功率2KW。
[0029]E、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射NiCr層；
[0030]F、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為800sccm，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射TiO2層。所述TiO2層的厚度為20nm，所述交流電源的濺射功率為100KW，其中包括兩個陰極濺射，每個陰極50KW。
[0031]實施例2
[0032]本發明一種高透薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0033]A、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在透明耐熱玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；所述Nb2O5層的厚度為25nm，氬氣與氧氣的體積比為1:3，即氬氣:氧氣=300sccm:900sccm，濺射壓力2.5*10 — 3mbar，所述直流電源的濺射功率為40KW。
[0034]B、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為SOOsccm，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射TiO2層；所述TiO2層的厚度為10nm，所述交流電源的濺射功率58KW。
[0035]C、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶旋轉靶，其中氧化鋅陶瓷靶旋轉靶摻鋁2%，在步驟B中的TiO2層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為22nm，所述的交流電源的濺射功率23KW。
[0036]D、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為9nm，所述直流電源的濺射功率3~6KW。所述NiCr層的厚度為2.5nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩爾比21:79，所述直流電源的濺射功率22.5KW。
[0037]E、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射NiCr層；
[0038]F、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為800sccm，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射TiO2層。所述TiO2層的厚度為20~30nm，所述交流電源的濺射功率為120KW，其中包括兩個陰極濺射，每個陰極60KW。
[0039]實施例3
[0040]本發明一種高透薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0041]A、采用氧氣作為反應 氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在透明耐熱玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層；所述Nb2O5層的厚度為30nm，氬氣與氧氣的體積比為1:3，即氬氣:氧氣=300sccm:900sccm，濺射壓力2.5*10 — 3mbar，所述直流電源的濺射功率為45KW。
[0042]B、采用気氣作為反應氣體,気氣的體積流量為800sccm,交流電源派射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射TiO2層；所述TiO2層的厚度為15nm，所述交流電源的濺射功率75KW。
[0043]C、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶旋轉靶，其中氧化鋅陶瓷靶旋轉靶摻鋁2%，在步驟B中的TiO2層上磁控濺射AZO層；所述AZO層的厚度為25nm，所述的交流電源的濺射功率25KW。
[0044]D、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中的AZO層上磁控濺射Ag層；所述Ag層的厚度為10nm，所述直流電源的濺射功率6KW。所述NiCr層的厚度為3nm,所述NiCr合金中N1: Cr的摩爾比21:79,所述直流電源的濺射功率3KW。
[0045]E、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為lOOOsccm，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射NiCr層；
[0046]F、采用氬氣作為反應氣體，氬氣的體積流量為800sccm，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射TiO2層。所述TiO2層的厚度為30nm，所述交流電源的濺射功率為150KW，其中包括兩個陰極濺射，每個陰極75KW。
[0047]以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下， 本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【權利要求】
1.一種高透薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟: A、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射Nb平面靶，在透明耐熱玻璃基板上磁控濺射Nb2O5層； B、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟A中Nb2O5層上磁控濺射TiO2層； C、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷靶旋轉靶，在步驟B中的TiO2層上磁控濺射AZO層； D、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中的AZO層上磁控濺射Ag層； E、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射NiCr合金平面靶，在步驟D中的Ag層上磁控濺射NiCr層； F、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射氧化鈦陶瓷旋轉靶，在步驟E中的NiCr層上磁控濺射TiO2層。
2.根據權利要求1所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述Nb2O5層的厚度為20~30nm，氬氣與氧氣的體積比為1:3，濺射壓力2.5*10 — 3mbar，所述直流電源的濺射功率為30~45KW。
3.根據權利要求1所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述TiO2層的厚度為8~15nm，所述交流電源的濺射功率40~75KW。
4.根據權利要求1所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述AZO層的厚度為20~25nm，所述的交流電源的濺射功率20~25KW。
5.根據權利要求1所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Ag層的厚度為8~10nm，所述直流電源的濺射功率3~6KW。
6.根據權利要求1所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述NiCr層的厚度為2~3nm，所述NiCr合金中N1: Cr的摩爾比21:79，所述直流電源的濺射功率2~3KW。
7.根據權利要求1所述的一種高透薄膜的制備方法，其特征在于F中所述TiO2層的厚度為20~30nm，所述交流電源的濺射功率為100~150KW，其中包括兩個陰極濺射，每個陰極 50 ~75KW。
【文檔編號】C23C14/35GK103643208SQ201310548946
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月7日 優先權日:2013年11月7日
【發明者】陳路玉 申請人:中山市創科科研技術服務有限公司