一種晶片研磨裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶片研磨裝置，包括研磨上盤(pán)和晶片夾持裝置，晶片夾持裝置包括圓盤(pán)本體、齒部、圓形通孔及片孔，研磨上盤(pán)上鑲嵌有晶片頻率探頭，晶片頻率探頭對(duì)準(zhǔn)圓形通孔的中心，圓形通孔中放置有與晶片厚度相同的石英晶體片。晶片頻率探頭會(huì)自動(dòng)檢測(cè)石英晶體片的頻率，當(dāng)探得的頻率達(dá)到系統(tǒng)設(shè)定值時(shí)，停止研磨，實(shí)現(xiàn)了邊研磨邊控制厚度的目的，不僅防止了晶片刮傷，提高了合格率，又提高了研磨速度。
【專利說(shuō)明】—種晶片研磨裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及晶片加工機(jī)械行業(yè)，特別涉及一種晶片研磨裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在800萬(wàn)像素以上的智能手機(jī)中，以超薄紅外吸收藍(lán)玻璃為主流，藍(lán)玻璃是一種晶片，其主要成分為磷酸鹽，材料本身非常脆，其硬度只有莫氏4.20左右，比一般玻璃軟近2/3。因藍(lán)玻璃在研磨加工過(guò)程中無(wú)固定參數(shù)可循，因此，無(wú)法準(zhǔn)確計(jì)算出研磨到成品厚度所需要的圈數(shù)、壓力及時(shí)間，從而需要反復(fù)多次升起研磨盤(pán)進(jìn)行測(cè)量厚度后，再重新進(jìn)行研磨加工，容易造成晶片的多次損傷，導(dǎo)致晶片產(chǎn)生驚裂，刮傷，表面清洗不干凈等品質(zhì)問(wèn)題，大幅降低了合格率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種晶片研磨裝置，以實(shí)現(xiàn)邊研磨邊控制厚度的目的，有效地提高研磨速度和研磨合格率。
[0004]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0005]一種晶片研磨裝置，包括研磨上盤(pán)和晶片夾持裝置，所述晶片夾持裝置包括圓盤(pán)本體、設(shè)置在圓盤(pán)本體邊緣的一圈齒部、位于圓盤(pán)本體幾何中心處的圓形通孔，及設(shè)置在圓盤(pán)本體上并環(huán)形陣列于至少一個(gè)同心圓上的片孔，所述同心圓與所述圓形通孔的圓心相同，所述研磨上盤(pán)上鑲嵌有晶片頻率探頭，所述晶片頻率探頭對(duì)準(zhǔn)所述圓形通孔的中心，所述圓形通孔中放置有與所述晶片厚度相同的石英晶體片。
[0006]優(yōu)選的，所述同心圓設(shè)置有兩個(gè)，位于每個(gè)所述同心圓上的片孔等距設(shè)置。
[0007]優(yōu)選的，所述片孔為方形，所述片孔的四個(gè)角上設(shè)置有工藝孔。
[0008]通過(guò)上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型提供的晶片研磨裝置，石英晶體片的厚度根據(jù)成品晶片的厚度決定，并將該厚度對(duì)應(yīng)的頻率值輸入系統(tǒng)，研磨上盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)，晶片頻率探頭會(huì)自動(dòng)檢測(cè)石英晶體片的頻率，當(dāng)探得的頻率達(dá)到系統(tǒng)設(shè)定值時(shí)，停止研磨，晶片研磨完成，無(wú)需反復(fù)多次升起研磨盤(pán)進(jìn)行測(cè)量，實(shí)現(xiàn)了邊研磨邊控制厚度的目的，不僅防止了晶片刮傷，提高了合格率，又提高了研磨速度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。
[0010]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的一種晶片研磨裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的晶片夾持裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所公開(kāi)的方孔的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0013]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0014]本實(shí)用新型提供了一種晶片研磨裝置，如圖1和2所示，包括研磨上盤(pán)10和晶片夾持裝置，晶片夾持裝置包括圓盤(pán)本體11、設(shè)置在圓盤(pán)本體11邊緣的一圈齒部12、位于圓盤(pán)本體11幾何中心處的圓形通孔13，及設(shè)置在圓盤(pán)本體11上并環(huán)形陣列于至少一個(gè)同心圓上的片孔14,同心圓與圓形通孔13的圓心相同。
[0015]其中，齒部12為標(biāo)準(zhǔn)齒，與研磨機(jī)上相對(duì)應(yīng)的齒嚙合，實(shí)現(xiàn)旋轉(zhuǎn)。同心圓設(shè)置有兩個(gè)，位于每個(gè)同心圓上的片孔14等距設(shè)置。片孔14為方形，片孔14的四個(gè)角上設(shè)置有工藝孔141 (參見(jiàn)圖3)。研磨上盤(pán)10上鑲嵌有晶片頻率探頭15，晶片頻率探頭15對(duì)準(zhǔn)圓形通孔13的中心，圓形通孔13中放置有與晶片厚度相同的石英晶體片16。
[0016]石英晶體片16的厚度根據(jù)成品晶片的厚度決定，并將該厚度對(duì)應(yīng)的頻率值輸入系統(tǒng)，研磨上盤(pán)10旋轉(zhuǎn)時(shí)，晶片頻率探頭15會(huì)自動(dòng)檢測(cè)石英晶體片16的頻率，當(dāng)探得的頻率達(dá)到系統(tǒng)設(shè)定值時(shí)，停止研磨，晶片研磨完成，無(wú)需反復(fù)多次升起研磨盤(pán)進(jìn)行測(cè)量，實(shí)現(xiàn)了邊研磨邊控制厚度的目的，不僅防止了晶片刮傷，提高了合格率，又提高了研磨速度。
[0017]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片研磨裝置，包括研磨上盤(pán)和晶片夾持裝置，所述晶片夾持裝置包括圓盤(pán)本體、設(shè)置在圓盤(pán)本體邊緣的一圈齒部、位于圓盤(pán)本體幾何中心處的圓形通孔，及設(shè)置在圓盤(pán)本體上并環(huán)形陣列于至少一個(gè)同心圓上的片孔，所述同心圓與所述圓形通孔的圓心相同，其特征在于，所述研磨上盤(pán)上鑲嵌有晶片頻率探頭，所述晶片頻率探頭對(duì)準(zhǔn)所述圓形通孔的中心，所述圓形通孔中放置有與所述晶片厚度相同的石英晶體片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片研磨裝置，其特征在于，所述同心圓設(shè)置有兩個(gè)，位于每個(gè)所述同心圓上的片孔等距設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種晶片研磨裝置，其特征在于，所述片孔為方形，所述片孔的四個(gè)角上設(shè)置有工藝孔。
【文檔編號(hào)】B24B37/27GK203390714SQ201320377410
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】叢海濤 申請(qǐng)人:蘇州奇盟晶體材料制品有限公司