一個或多個方面整體上涉及用于各種部件的固定的方法，并且更具體地涉及用于這樣的固定的燒結材料和技術。背景燒結已作為傳統焊接的替代技術而浮現。燒結通常涉及用于固定組件的各個部件的高溫和高壓加工。概要根據一個或多個實施方案，組合物可包括具有約0.001至約10微米的d50范圍的金屬粉末、具有在約50和約170℃之間的軟化點的粘合劑、和量足以溶解至少該粘合劑的溶劑，該金屬粉末構成約30至約95重量％的膏，該粘合劑構成約0.1至約5重量％的膏。在一些實施方案中，該金屬粉末可包含金、鈀、銀、銅、鋁、銀鈀合金或金鈀合金。該金屬粉末可包含銀顆粒。在至少一些實施方案中，該金屬粉末可包含納米顆粒。該金屬粉末可包含涂覆的金屬顆粒。在一些實施方案中，該組合物還可包括一種或多種功能性添加劑。根據一個或多個實施方案，膜可包含組合物的層，該組合物包括具有約0.001至約10微米的d50范圍的金屬粉末、具有在約50和約170℃之間的軟化點的粘合劑、和量足以溶解至少該粘合劑的溶劑，該金屬粉末構成約30至約95重量％的膏，該粘合劑構成約0.1至約5重量％的膏。在一些實施方案中，該膜可具有約5至約300微米的干燥厚度。在一些實施方案中，該組合物的層在聚合物、玻璃、金屬或陶瓷基材上。聚合物基材可包含聚酯。聚合物基材可包含分離涂層(releasecoating)。根據一個或多個實施方案，用于生產金屬顆粒的膜的方法可包括在基材上施加包含具有約0.001至約10微米的d50范圍的金屬粉末的材料，并干燥該基材上的該材料以形成該膜。在一些實施方案中，該基材可包括聚合物基材。施加該材料的步驟可包括印刷或澆注該材料。在至少一些實施方案中，可以以連續的層印刷該材料。在其他實施方案中，可印刷該材料以形成離散形狀的陣列。在一些實施方案中，該方法可進一步包括制備該材料。根據一個或多個實施方案，用于向部件施加金屬顆粒的層的層合工藝可包括在聚合物基材上的包含金屬顆粒的層的膜上放置該部件以形成組件，在約50至約175℃的范圍內向該組件施加熱，在約0.05至約3MPa的范圍內向該組件施加壓力，和將該部件從該組件分離，由此該金屬顆粒的層保留在該部件上并與該聚合物基材分開。在一些實施方案中，該膜可為與該部件基本上相同的尺寸。根據一個或多個實施方案，用于固定的方法可包括向基材施加金屬顆粒的膜，在該膜上放置模片以形成組件，向該組件施加小于約40MPa的壓力，和在約175至約400℃的溫度下燒結該組件約0.25秒至約30分鐘。在一些實施方案中，可施加約0.5至約20MPa的壓力。在至少一些實施方案中，可施加約2.0至約10MPa的壓力。根據一個或多個實施方案，用于固定的方法可包括在晶片的背側上施加金屬顆粒的膜，將該晶片切片以形成多個模片，在基材上放置至少一個模片以形成組件，向該組件施加小于約40MPa的壓力，和在約175至約400℃的溫度下燒結該組件約0.25秒至約30分鐘。在一些實施方案中，可施加約2.0至約10MPa的壓力。根據一個或多個實施方案，用于固定的方法可包括在模片的背側上施加金屬顆粒的膜，在基材上放置該模片以形成組件，向該組件施加小于約40MPa的壓力，和在約175至約400℃的溫度下燒結該組件約0.25秒至約30分鐘。在一些實施方案中，可施加約2.0至約10MPa的壓力。根據一個或多個實施方案，用于生產金屬顆粒的膜的方法可包括在基材上施加包含具有約0.001至約10微米的d50范圍的金屬粉末的材料，和干燥該基材上的該材料以形成該膜。根據一個或多個實施方案，用于向部件施加金屬顆粒的層的層合工藝可包括在聚合物基材上的包含金屬顆粒的層的膜上放置該部件以形成組件，在約50至約200℃的范圍內向該組件施加熱，在約0.05至約10MPa的范圍內向該組件施加壓力，和將該部件從該組件分離，由此該金屬顆粒的層保留在該部件上并與該聚合物基材分開。根據一個或多個實施方案，用于固定的方法可包括向基材施加金屬顆粒的膜，在該膜上放置模片或晶片以形成組件，向該組件施加小于約40MPa的壓力，和在約160至約400℃的溫度下燒結該組件約0.25秒至約120分鐘。下文詳細討論這些示例性方面和實施方案的其它方面、實施方案和優點。本文所公開的實施方案可與其它實施方案以與本文所公開的原則中的至少一種一致的任何方式組合，且所提及的“實施方案”、“一些實施方案”、“替代性實施方案”、“各個實施方案”、“一個實施方案”或類似物未必互相排斥，且旨在表明所描述的特定特征、結構或特性可包括在至少一個實施方案中。本文中的這樣的術語的出現未必都意指相同實施方案。附圖簡要說明下面將參照附圖討論了至少一個實施方案的各個方面，所述附圖不預期按比例繪制。包括附圖以提供各個方面和實施方案的說明和進一步理解，并且其被并入并構成本申請文件的一部分，但并不意欲作為本發明的限制的定義。在附圖、詳細描述或任何權利要求中的技術特征之后接著附圖標記時，包括附圖標記的唯一目的是增加附圖和描述的可理解性。在附圖中，在不同的圖中說明的每個相同或幾乎相同的部件由相似的數字表示。出于清楚的目的，可能并未在每個圖中標記出每個部件。在附圖中：圖1A-1D說明了根據一個或多個實施方案的施加至基材的制劑的非限制性實例；圖2說明了根據一個或多個實施方案的沖壓工藝；圖3說明了根據一個或多個實施方案的沖壓支撐體；圖4說明了根據一個或多個實施方案的沖壓箔的實例；圖5說明了根據一個或多個實施方案的模片層合工藝；圖6呈現了根據一個或多個實施方案的模片固定方法的示意圖；圖7A和7B說明了根據一個或多個實施方案的沉積技術的非限制性實例；圖8說明了根據一個或多個實施方案的在模片的背側上印刷的工藝；圖9說明了根據一個或多個實施方案的通過圖8的工藝固定的模片的實例；圖10說明了根據一個或多個實施方案的圖9的固定部的橫截面視圖；圖11說明了根據一個或多個實施方案的用于轉移膜的工藝；圖12A-12C呈現了根據一個或多個實施方案的膜的實例；圖13說明了根據在實施例1中討論的一個或多個實施方案的印刷有納米銀膏的引線框架；圖14呈現了根據在實施例1中討論的一個或多個實施方案的工藝溫度分布的示意圖；圖15說明了根據在實施例1中討論的一個或多個實施方案的具有固定模片的引線框架；圖16說明了根據在實施例1中討論的一個或多個實施方案的接頭橫截面；圖17說明了根據在實施例1中討論的一個或多個實施方案的聲學顯微鏡圖像數據；圖18和19說明了通過根據在實施例2中討論的一個或多個實施方案的工藝固定的模片；圖20A-20C說明了根據在實施例3中討論的一個或多個實施方案的層合工藝；圖21說明了根據在實施例4中討論的一個或多個實施方案的模片剪切測試數據；圖22A和22B呈現了根據在實施例6中討論的一個或多個實施方案的數據；圖23A和23B呈現了根據在實施例6中討論的一個或多個實施方案的數據；圖24和25呈現了根據一個或多個實施方案的包括倒裝芯片的方法的示意圖；圖26和27呈現了根據在實施例7中討論的一個或多個實施方案的數據；圖28-31呈現了根據一個或多個所附的實施例的數據；和圖32呈現了根據一個或多個實施方案的加工方法的示意圖。詳細描述根據一個或多個實施方案，第一部件可以可靠地固定至第二部件。一些實施方案可涉及在與傳統的燒結工藝相比相對低的壓力和相對低的溫度下燒結而實現基本上相同的結果。在一些實施方案中，可固定電子部件。在其他實施方案中，可固定非電子部件。可提供具有高可靠性和柔性結合線厚度的高導熱性和導電性結合。一個或多個實施方案可促進在燒結之后基本均勻的結合線厚度。孔隙率、熱和機械性質也可為基本上均勻的。在一些非限制性實施方案中，可實現具有約2微米至約100微米范圍內的厚度的結合線。可實現在大區域和小區域兩者內的結合線厚度的均勻性與控制。在一些實施方案中，在加工過程中材料的損失可減小，與傳統固定工藝相比，這可導致至少約15％至約20％的總成本節省。實施方案還可與較低的資本成本相關聯。有機殘余物還可有益地減小，使得后清潔可能不是必要的。在一些實施方案中，形成無鉛結合而沒有金屬間化合物。，根據一個或多個實施方案還可認識加工的容易，其使得高產率、高生產量的制造工藝成為可能。可使得用于壓力和熱的施加的各種工藝成為可能。根據一個或多個實施方案的燒結材料和技術可應用于各種行業，包括混合動力汽車，風能和太陽能發電(包括光伏電池)，運輸，工業應用，消費類電子產品和電信。根據一個或多個實施方案，燒結材料可用于促進各種部件的固定。可以以各種形式使用燒結材料。在一些實施方案中，燒結材料可直接作為例如油墨或膏使用。在其他實施方案中，燒結材料可用于燒結膜的形成。可使用燒結膜代替傳統燒結膏。在一些實施方案中，可通過施加流體燒結制劑至基材并且然后干燥該基材上的該制劑來生產燒結膜。隨后可經由層合工藝將該膜轉移以促進部件的固定。根據一個或多個實施方案，用于以任何形式使用的燒結材料通常可包括金屬粉末、粘合劑和溶劑。取決于預期應用，可使用各種金屬。待固定的一個或多個部件的性質或與所實施的固定工藝相關的一個或多個工藝條件例如溫度和壓力可影響用于制劑的金屬粉末的選擇。銀、金、銅、鈀和鋁是可使用的金屬粉末的一些非限制性實例。在一些實施方案中，還可以使用金屬的混合物，例如銀鈀合金和金鈀合金。在一些實施方案中，可使用金屬、合金或金屬與合金的混合物。根據一個或多個實施方案，金屬粉末的顆粒尺寸可基于用于預期應用的制劑的所需特性而變化。在一些實施方案中，可使用具有從約0.001至約100微米的d50范圍的金屬粉末。在某些實施方案中，可使用具有從約0.001至約10微米的d50范圍的金屬粉末。在一個或多個實施方案中，可使用具有從約0.001至約0.01微米的d50范圍的金屬粉末。在一些實施方案中，金屬粉末的顆粒尺寸可處于納米級。在一些實施方案中，顆粒尺寸可為約10至約100納米。又在其他實施方案中，顆粒尺寸可為約10至約60納米。在至少一個非限制性實施方案中，顆粒尺寸可為約20納米。在一些非限制性實施方案中，可使用納米銀顆粒。在某些實施方案中，顆粒可為高度工程化的。在一些實施方案中，金屬粉末的顆粒可為涂覆或封端的。涂層的一些非限制性實例包括脂肪酸、脂肪胺和淀粉。涂層的量可構成約0.1至約20重量％的制劑。在一些實施方案中，涂層可優選構成小于約1重量％的制劑。在至少一些非限制性實施方案中，涂層可構成約0.5至約0.8重量％的制劑。在其他實施方案中，金屬粉末的顆粒可為未涂覆或未封端的。可通過各種技術形成用于金屬粉末的金屬顆粒。在至少一個非限制性實施方案中，如在Parashar等人的美國專利號7968008中描述的可生產用于在制劑中使用的金屬粉末，出于所有目的通過引用將該文獻以其全文并入本文。在一些非限制性實施方案中，金屬粉末可構成約30至約95重量％的制劑。在至少一個特定的實施方案中，金屬粉末可構成約80重量％的制劑。根據一個或多個實施方案，粘合劑可在干燥之后向該膜提供強度和柔性。該粘合劑還可提供該制劑至基材(在其上沉積制劑以促進膜形成)的粘附性。該粘合劑還可提供膜至基材(經由層合工藝將膜轉移至基材)的粘附性。在一些實施方案中，可使用各種樹脂或松香用于粘合劑。與待使用的層合和固定工藝相關的條件和參數可影響粘合劑選擇。在一些非限制性實施方案中，該粘合劑可具有在約50℃和約170℃之間的軟化點。在一個非限制性實施方案中，可使用具有約90℃的軟化點的粘合劑，例如可商購自Eastman的ForalynTME部分氫化松香酯。在至少一個實施方案中，該粘合劑可構成約0.5至約5重量％的制劑。根據一個或多個實施方案，該制劑還可包括一種或多種功能性添加劑。添加劑通常可改進至基材的粘附性和該材料的燒結行為。添加劑的非限制性實例包括有機酸，胺，氯化或溴化的二元醇，或有機金屬化合物(例如銀有機金屬化合物)。對于本領域技術人員來說可通常已知其他的。在一些非限制性實施方案中，功能性添加劑可構成約0.1至約2重量％的制劑。根據一個或多個實施方案，各種溶劑可用于溶解粘合劑和存在于制劑中的任何添加劑。可使用各種溶劑，例如但不限于：醇，二元醇，二醇或它們的組合。在一些實施方案中，萜品醇(terpineol)可為優選的溶劑。在其它非限制性實施方案中，可使用混合物萜品醇和丁基卡必醇。又在其它非限制性實施方案中，可使用萜品醇、丁基卡必醇和異丙醇的混合物。取決于所得制劑的所需性質例如粘度，溶劑的存在量可變化。所需的粘度可取決于預期用途，例如所選擇的沉積技術。例如，印刷方法可需要較低粘度，使得該制劑可表現出油墨的一個或多個典型特性。噴涂也可與較低粘度有關。其他沉積技術(例如澆鑄)通常可與較高粘度制劑有關。在一些實施方案中，較高粘度制劑可表現出膏的一個或多個典型特性。在其中需要由制劑形成燒結膜的實施方案中，可相應地調節粘度以促進該工藝。通常可調節金屬粉末、粘合劑和/或添加劑相對于該溶劑系統的裝載量以操縱粘度或另外的物理特性。在一些非限制性實施方案中，制劑的粘度可在約10至約200,000cP的范圍內。在至少一個特定的非限制性實施方案中，在25℃下粘度可為約800cP。根據一個或多個實施方案，可通過混合組分來制備該制劑。可實施對于本領域技術人員而言已知的各種混合裝置和技術，例如行星式混合器、軌道混合器或超聲混合器。在一些實施方案中還可進行研磨，例如以便確保所需的組織。在一些實施方案中，可直接在燒結工藝中使用該制劑。例如，可將該制劑直接施加至部件。在其他實施方案中，制劑可為燒結膜的前體。膜可用作用于在燒結組件工藝中的膏的替代品。根據一個或多個實施方案，可將該制劑施加至背襯層或基材并且然后干燥以形成膜。基材一般應對干燥的膜提供足夠的粘附性和支撐以用于方便和可靠的處理。基材可為剛性的或柔性的。基材的厚度可變化。在一些非限制性實施方案中，基材可為在約35微米和約75微米之間的厚度。基材還應該容易分離膜(例如在層合工藝過程中)。基材一般不應受到制劑中的溶劑的影響，并且在膜干燥和隨后的層合溫度下應為穩定的。在一些實施方案中，基材可為聚合物基材。在至少一個非限制性實施方案中，基材可為聚酯基材。在其它實施方案中，可使用玻璃、金屬、紙或陶瓷基材。在一些實施方案中，基材可具有分離層或涂層。在一些實施方案中，材料例如有機硅或鋁可用作基材或基材涂層。在至少一個非限制性實施方案中，基材可為可從Saint-Gobain商購的具有硅分離涂層的聚酯膜。在一些實施方案中，基材可旨在組裝操作過程中促進帶與卷筒分配。根據一個或多個實施方案，可使用本領域技術人員已知的各種技術將該制劑施加至用于膜形成的基材。在一些實施方案中，可使用印刷技術。印刷技術的非限制性實例包括噴墨、墊、絲網、雕版、帶式澆注機、凹版和膠版印刷。其他沉積方法可包括重澆注和噴涂技術。如上所討論的，可基于預期的沉積技術來調節該制劑的一種或多種物理性質。制劑的沉積在基材的基本上整個表面上可為連續的或者相對于基材表面可處于離散形狀。在一些非限制性實施方案中，可以以待使用所得的膜固定的部件例如模片的尺度對應的形狀和/或尺寸在基材上施加該制劑。可實施任何幾何形狀和任何尺度。在圖1A-1D中說明了施加至基材的制劑的一些非限制性實施方案。在一些非限制性實施方案中，可沉積具有約0.1至約500毫米的直徑的圓盤狀物。在其它非限制性實施方案中，可在基材上沉積具有約0.1至約500毫米的長度或寬度的矩形。在至少一些實施方案中，可在基材上以圖案施加該制劑。在一些非限制性實施方案中，施加至基材的形狀和尺寸可旨在便于在組裝操作過程中的帶與卷筒分配。沉積后，可在基材上干燥所施加的制劑(例如在間歇或連續爐中)。在一些非限制性實施方案中，可在約130℃的溫度下干燥所沉積的制劑約30分鐘。取決于沉積技術和預期應用，所得膜的干燥厚度可變化。根據一個或多個非限制性實施方案，干燥厚度可為從約5至約1000微米。在一些非限制性實施方案中，膜可具有約5至約300微米的干燥厚度。在一些實施方案中，膜可為獨立式的。例如，根據一個或多個實施方案可將具有從約100至約300微米的干燥厚度的膜從基材除去，并用作用于隨后層合和固定的獨立式膜。在其他實施方案中，并且在相對較薄的膜的情況下，基材可相對于膜保持完整，直到在層合工藝過程中除去。根據一個或多個實施方案，膜可用作用于在燒結組裝工藝中的膏的替代品。在一些實施方案中，使用膜可使得用于在組裝工藝中(例如在燒結工藝中)施加熱和壓力的不同工藝成為可能。在至少一些實施方案中，使用膜可除去在裝配操作中的至少一個工藝步驟。如下面所討論的，可向工作側或在基材側上施加燒結膜以便于組裝。相對于工作側，可將晶片層合并且然后切片以形成根據一個或多個實施方案的多個層合模片。在其他實施方案中，可首先將晶片切片隨后層合單個模片。根據一個或多個實施方案，固定工藝中的第一步驟可為膜至部件或基材的層合。在層合過程中，可將燒結膜施加至模片、器件、晶片、基材、直接結合銅(DBC)、引線框架、金屬盤狀物或其它元件。隨后可將層合部件固定至基材。層合基材可隨后接收一個或多個部件。可將膜粘合至如以上關于模形成所描述的背襯層以促進層合。在一些實施方案中，當與層合的元件對比時，膜可為尺度大得多的覆蓋膜(blanketfilm)。在其他實施方案中，通常可將膜圖案化以與層合的元件為基本相同的尺寸或小于層合的元件。在至少一些實施方案中，膜可包含位于用于在特定應用中使用的隨后經由層合而轉移的特定圖案中的一種或多種沉積物。通常可經由轉移或沖壓工藝來進行層合。通常需要避免在層合過程中膜的燒結。在轉移方法中，可將膜層合到隨后將接收一個或多個部件的基材。在轉移方法過程中，可將膜放置在基材例如直接結合銅(DBC)基材、硅晶片基材、散熱片或壓電基材上。可使用輥或其他適當的設備例如壓制層合機來壓制該膜以形成組件。隨后可施加熱和壓力。可同時或順序地施加熱和壓力。在一些非限制性實施方案中，組件可經受約50℃至約175℃的溫度。在至少一個非限制性實施方案中，可使用約130℃的溫度。可使用各種已知的技術(包括紅外、感應、傳導、對流、輻射和超聲波)施加熱。在一些非限制性實施方案中，可使用加熱的放置工具或加熱的壓板。在一些非限制性實施方案中，組件可經受約0.05至約3MPa的壓力。在至少一個實施方案中，可使用約0.2至約1MPa的壓力。通常可施加熱和壓力持續相對短的時間段，例如小于約一分鐘。在一些特定的實施方案中，可施加熱和壓力約10至約60秒。在沖壓方法中，可將膜被施加至部件，例如各種尺寸的模片或晶片。在圖2中說明了沖壓工藝。本領域技術人員已知的設備例如模片放置機器可用于促進層合。在至少一些非限制性實施方案中，可將膜可固定到該部件的背側。隨后可施加處于上述范圍內的熱和壓力持續相對短的時間段。在一個非限制性的實施方案中，可將第一和第二壓板加熱至約130℃。可施加約1MPa的壓力。模片尺寸可影響施加的所需力。停留時間可取決于一般加熱透組件所需要的持續時間。在一些非限制性實施方案中，停留時間可為約3分鐘。在一些非限制性實施方案中，停留時間可為約20至約100毫秒。支撐體可用于在沖壓工藝過程中促進層合。橡膠墊、蝕刻箔、具有腔體的結構或其它材料可用于支撐體。在一些實施方案中，支撐結構可產生切削作用以從背襯層沖掉該膜的一部分。在一些非限制性實施方案中，不銹鋼腔蝕刻箔可用作沖壓支撐體。該箔可具有任何所需的厚度和腔體之間的可保證良好的可重復性和殘留膜的強度的任何所需的空間。圖3表示使用沖壓箔作為實例的沖壓支撐體的概念。圖4呈現分別具有1mm和2mm間隔的腔體的箔的實例。在其他實施方案中，橡膠墊，例如硅橡膠墊可用作沖壓支撐體。墊的厚度可變化，并且在一些非限制性實施方案中可為約3mm厚。又在其他實施方案中，硬基材例如環氧樹脂或塑料或金屬板可用于支撐體。該支撐體還可起到在加工過程中避免對設備的粘附性和/或保護組件。優化的工具可取決于模片面積和其他因素。例如，橡膠或箔支撐體對于一種應用可比另一種應用更好。在沖壓過程中保持該膜向下的系統可用于方便操作并可有助于在操作過程中保護膜。在圖5中說明了使用Datacon2200EVO模片結合機的用于模片層合的沖壓工藝的非限制性實例。該結合機從模片保持器或切片帶拾取模片。將模片保持工具加熱到約130℃。然后采用約50N的力將該模片放置在銀膜上。結果是，將具有與模片基本上相同的尺度的膜的一部分層合在模片的背側上。然后將層合模片收集到用于進一步固定(例如經由燒結)至DBC基材或引線框的格柵結構包裝(wafflepack)。在一些實施方案中，可烘烤層合部件以完成層合工藝。在一些非限制性實施方案中，可在約130℃下烘烤層合部件約1小時。在層合工藝例如轉移或沖壓工藝完成時，可去除該膜粘附的背襯層。層合基材或部件現在可包括金屬顆粒的沉積膜。在一些特定的實施方案中，膜可為納米金屬顆粒的膜。在至少一個非限制性的實施方案中，膜可為納米銀顆粒的膜。如上所述，根據一個或多個實施方案可替代地除去背襯層以在層合之前產生獨立式膜，例如包括相對較厚的膜的那些。根據一個或多個實施方案，可將燒結材料的層例如膜或膏沉積在模片側上。在其他實施方案中，可將燒結材料的層沉積在基材側上。在一些非限制性實施方案中，燒結膜或膏可包括銀顆粒，例如銀納米顆粒。納米銀材料，例如，可在高于約130℃的溫度下開始燒結。燒結材料可起到例如在基材和元件例如模片、器件或其他物體之間建立高度可靠的結合的作用。壓力或者可與熱同時施加，或者在加熱至燒結溫度之前施加。如果在加熱后施加壓力，燒結材料的一個或多個益處，例如低壓力燒結、快速燒結時間、或者形成可靠結合的能力，可能會喪失。在至少一些實施方案中，對于多芯片器件，可在兩個不同的工藝步驟中來進行芯片放置和燒結。將燒結材料施加至基材可對單一模片封裝和多芯片封裝的工藝強加限制。例如，在施加壓力和熱之前基材應保持低于燒結溫度。對于高速生產而言，基材的快速加熱可為所需的。考慮到基材可通常是最大的熱質量，這可降低工藝周期時間。根據一個或多個實施方案，將燒結材料施加至組件的模片側可能夠將基材加熱至燒結溫度，并且可減少工藝周期時間。當基材在燒結溫度下時，放置和燒結可在一個工藝步驟中進行。根據一個或多個實施方案可固定電子和非電子部件。根據一個或多個實施方案，層合組件可結合或固定到基材。層合部件例如可為模片、器件、晶片或其他元件。基材可為例如DBC、引線框架、金屬盤狀物或其它元件。在結合過程中，一般可使層合部件接觸基材以形成組件。可將熱和壓力施加至該組件足夠的持續時間以在該部件和基材之間形成結合。該結合一般應具有一個或多個所需的特性，例如與強度、均勻性和結合線厚度相關的那些。在一些非限制性實施方案中，施加的熱和壓力可保持約0.25秒至約30分鐘。這樣的持續時間在一些實施方案中可與比傳統的燒結工藝的4倍還快的工藝或周期時間有關。在一個或多個非限制性實施方案中可施加在約0.5MPa和20MPa之間的壓力。在一些非限制性實施方案中，可使用約5至約10MPa的燒結壓力。這樣的壓力可低至傳統燒結技術的1/25，并且可有益地減輕部件、基材和工藝設備上的應力。在一個或多個非限制性實施方案中可施加在約175℃和400℃之間的溫度。在一些非限制性實施方案中，可使用約230℃至約260℃的燒結溫度。在一些實施方案中，可通過加熱放置工具，重物，彈簧，或用于放置、保持的塊，或放置并保持該部件來施加熱。在其他實施方案中，可經由連續或間歇爐，或通過加熱位于基材之下或部件之上的壓板來施加熱。在一些實施方案中，可加熱放置工具和位于組件上方和/或下方的一個壓板或多個壓板兩者。可經由紅外線、感應、傳導、對流、輻射、超聲波或其它技術來施加熱。可以以串行或并行的方式將多個層合部件結合至單一基材或多個基材。在至少一個非限制性的實施方案中，可在約200℃下的溫度下進行燒結約15分鐘。根據一個或多個實施方案，可將部件結合或固定至層合基材。該部件可為例如模片、器件、晶片或其他元件。層合基材可為例如DBC、引線框架、金屬盤狀物或其它元件。在結合過程中，通常可使該部件接觸層合基材以形成組件。可將熱和壓力施加至該組件足夠的持續時間以在該部件和基材之間形成結合。該結合一般應具有一個或多個所需的特性，例如與強度、均勻性和結合線厚度相關的那些。在一些非限制性實施方案中，施加的熱和壓力可保持約0.25秒至約30分鐘。在一個或多個非限制性實施方案中可施加在約0.5MPa和20MPa之間的壓力。在一些非限制性實施方案中，可使用約5至約10MPa的燒結壓力。這樣的壓力可低至傳統燒結技術的1/25，并且可有益地減輕部件、基材和工藝設備上的壓力。在一個或多個非限制性實施方案中可施加在約175℃和400℃之間的燒結溫度。在一些非限制性實施方案中，可使用約230℃至約260℃的燒結溫度。在一些實施方案中，可通過加熱放置工具，重物，彈簧，或用于放置、保持的塊或放置并保持該部件來施加熱。在其他實施方案中，可經由連續或間歇爐，或通過加熱位于基材之下或部件之上的壓板來施加熱。在一些實施方案中，可加熱放置工具和位于組件上方和/或下方的一個壓板或多個壓板兩者。可經由紅外線、感應、傳導、對流、輻射、超聲波或其它技術來施加熱。可以以串行或并行的方式將多個部件結合至單一層合基材或多個層合基材。在至少一個非限制性的實施方案中，可在約200℃下的溫度下進行燒結約15分鐘。在一些實施方案中，用于多個部件的固定的設備可為液壓或氣動壓機，例如由CarverInc.制造的壓機。典型的壓機可具有大的加熱壓板，以容納大量的基材。壓板可提供約200至約300℃的熱并且壓機可以能夠提供足以在固定的部件上產生約1至約20MPa壓力的力。一種這樣的壓機的實例是CarverMH3891壓機。對于單一模片或部件的固定，可使用設備例如ESEC軟焊料模片結合機SSI2009。該結合機可以能夠施加約100N的結合力和最高至約400℃的熱。根據一個或多個實施方案，燒結工藝可將燒結材料中的金屬顆粒轉化為塊體金屬。不希望受任何特定理論的束縛，在燒結工藝的開始，納米顆粒可轉化為微米顆粒，并且然后隨著溫度和時間的增加通過晶粒生長和致密化而轉化為塊體金屬，即使沒有施加壓力。可形成具有與塊體金屬可比的強度的致密金屬膜。根據一個或多個實施方案，在任何上述燒結工藝之后，可在爐中例如在約300℃下后處理組裝的零件約5到10分鐘。這樣的后燒結可導致組裝接頭的改進強度。后燒結的使用還可使總體工藝燒結時間最少化并且增加燒結壓機的生產量。根據一個或多個實施方案，所得的結合可與高導熱性和導電性有關。銀結合線的非限制性實例可具有在大約250W/m°K范圍內的熱導率。銀結合線的一些非限制性實例可具有塊體銀的約85至約95％的密度。該結合還可與高耐熱沖擊性有關，這可導致延長的模片結合壽命。在一些實施方案中，結合在220℃下的超過2000次循環內可表現出大于40MPa的結合強度(模片剪切)。在至少一些實施方案中，甚至在220℃下的800次熱沖擊循環之后也可不發生分層。根據一個或多個實施方案，由于銀的高導電性和導熱性、對氧化的低敏感性和足以承受高的工作溫度的熔點，銀對于高溫包裝應用可為合適的。在一些實施方案中，銀結合可比焊料可靠五倍以上。根據一個或多個實施方案，燒結材料和技術在Si、SiC、GaN或其他半導體器件的固定中可為有用的。根據一個或多個非限制性實施方案，可使用金屬膏而不是膜來將部件例如半導體器件固定至基材。圖6呈現了使用低溫和低壓的模片固定的一種非限制性方法的示意圖。在這個工藝中，可在基材上印刷金屬膏。可使用各種膏。在一些非限制性實施方案中，金屬膏可為納米金屬膏例如納米銀膏。在一個非限制性實例中，可使用可從AlphaMetalsInc.商購的銀膏，例如含銀納米粉末和有機載體的銀膏。可使用各種基材，例如裸銅引線框架，或包括銀或金涂層的銅引線框架。還可使用陶瓷基材和DBC。可使用各種模片，例如包括硅、碳化硅或任何其他芯片或器件的那些。根據一個或多個實施方案，模片固定工藝可包括在基材上(例如在引線框架上)印刷。在這樣的實施方案中，可通過各種技術(包括雕版/絲網印刷)或通過分配來實現在基材上印刷膏。基材可為任何所需的材料，例如銅基材料或金屬化陶瓷(例如DBC)。圖6中說明的固定工藝可包括以下非限制性步驟：在基材上印刷膏、例如在130℃下干燥該膏、在印刷的膏上放置模片、在加熱臺上放置模片－基材組件、施加壓力、將溫度升高到約250℃至約300℃并保持壓力和溫度約30至約90秒。根據一個或多個實施方案，模片固定工藝可使用標準的軟焊料模片結合機設備。拾取工具可從切片帶拾取模片，并采用力將其放置到加熱的基材上。可將膏(例如銀膏)要么印刷在基材上或印刷在單個的模片、整個晶片的背側上，要么作為膜施加。該沉積可通過印刷來進行或經由層合作為膜施加。在圖7A和7B中示意性顯示了根據一個或多個實施方案的非限制性工藝的實例。圖7A說明了在基材上印刷，而圖7B說明了在部件的背側上印刷。根據一個或多個實施方案，模片固定工藝可包括經由分配印刷來在基材上印刷。可將銀膏(例如納米銀膏)分配在引線框架上，然后可以以類似于上面描述的方式來進行固定。與通過雕版或絲網印刷所制備的相比，分配技術可不產生基本平坦的表面。各種類型的分配設備可用于工業和實驗室用途。根據一個或多個實施方案，模片固定工藝可包括在模片(例如晶片)的背側上印刷。根據一個或多個實施方案，可以以各種方式將膏(例如納米銀膏)施加晶片的背側。在一些實施方案中，可將納米銀膏施加至整個晶片的背側并且然后可將該晶片切片成單個的芯片。在其他實施方案中，可首先將晶片切片并且然后可將膏施加至單個芯片的背側。根據一個或多個實施方案，可在整個晶片的背側上施加膏。可在施加后干燥該膏。在一些非限制性實施方案中，可在約130℃下干燥該膏約30至90分鐘。可施加增強溶液，例如通過噴涂或旋涂。然后可將晶片放置在切片帶上并可將晶片切片。可將帶上的切片晶片引入軟焊料模片結合機。可拾取單個的模片并采用力將其放置在基材上，例如足以產生約5至10MPa壓力的力。可施加例如在約250至400℃的溫度下的熱。可保持壓力，例如對于燒結，持續約0.5至1秒。還可進行后燒結，例如在約250至300℃的溫度下持續約10至30分鐘。根據一個或多個實施方案，固定工藝中的一個重要因素是印刷的膏層經受切片和拾取工藝而無損壞的能力。未經燒結，印刷的銀層可為稍微強的并且其與晶片的背側的粘附可為弱的。在沒有適當強度的情況下，通過切片和/或在模片拾取步驟過程中銀層可被破壞。為了加強印刷及干燥后的銀層，可在銀層上方噴涂或旋涂含有聚合物或樹脂的溶液。干燥后，此外涂層可確保銀層強度和與晶片的粘附性。所需的是聚合物和/或樹脂將在隨后的燒結步驟過程中分解以便使任何殘余物對燒結銀層的性質的影響最小化。可使用的聚合物和樹脂的非限制性實例包括PMMA、PVP、Joncryl682和氫化松香。在一些實施方案中，某些樹脂，例如氫化松香或類似材料，可納入銀膏的組成中。不論是否將這樣的材料納入膏制劑中，增強溶液的施加可為任選的。根據一個或多個實施方案，可以以凸塊的形式而不是作為連續膜來印刷銀。凸塊化常規與各種器件例如半導體芯片(包括存儲器或處理器)一起使用。施加的凸塊通常處于直徑約80-150微米的范圍內并且由焊料制成。根據一個或多個實施方案，可用銀替代焊料用于高導熱性和散熱。根據一個或多個實施方案，可在單個模片的背側上印刷膏。在圖8中示意性地顯示了這種工藝的非限制性實施方案。可從切片帶拾取模片并放置在雕版保持器中。雕版保持器的厚度通常可等于模片的厚度加上印刷厚度。可將保持器翻轉以露出模片的背側。然后可在背側上印刷納米銀膏。可干燥該膏，例如在130℃下持續約30分鐘。然后可將雕版保持器翻轉以露出模片的頂側。隨后可單獨地拾取模片并放置在基材上。可預熱基材，例如最高達約400℃的溫度。在一些實施方案中，可采用足以產生約5至20MPa壓力的力來放置模片。在至少一個實施方案中，壓力可保持約0.5-2秒。圖9呈現了通過圖8的工藝固定的模片的實例。圖10呈現了固定部的橫截面視圖，示出與模片和金屬性基材的金屬化連接的充分燒結的銀層。根據一個或多個實施方案，可制作膜并將其轉移至晶片、模片或基材。可使用特別配制的納米銀墨、膏或分散體來制作納米銀膜。這樣的制劑可包括納米銀粉末、溶劑和粘合劑。可通過在基材上沉積該制劑并在室溫或升高的溫度下干燥該制劑來制備膜。典型的基材可包括聚合物、聚酯薄膜、紙和鋁箔。可使用印刷、刮刀或噴涂在基材上沉積該膜。該膜可為連續的和/或圖案化至所需的幾何形狀。可將該膜沉積在柔性或剛性載體上。通常可在爐中干燥所印刷的膜，例如在約70℃至130℃下持續約10至40分鐘。然后可除去該載體并且可產生獨立式膜。可使用轉移工藝通過施加熱和壓力來將制作的膜轉移至晶片、模片或基材。施加的壓力通常可在約0至2MPa或更高的范圍內，并施加的溫度可在室溫至約150℃的范圍內。然后可使用任何已知的燒結技術(包括上述固定工藝)來固定晶片、模片或基材。在圖11中示意性地顯示了用于將膜轉移到晶片上的工藝的非限制性實例。圖12A和12B呈現了印刷的膜的實例并且圖12C說明了獨立式納米膜。可在上述的工藝條件下將膜轉移到單個模片、部件或散熱器。可經由共同的拾取和放置工具將部件引入至連續或圖案化的膜。該膜可粘附到該部件的背側，然后可將其引入最終的燒結工藝。在連續膜的情況下，將轉移的膜的部分一般將等于該部件的尺度。對于同時燒結多個模片，可將含有施加的膜的部件或模片臨時附加至基材并且然后通過以上所述的任何方法進行燒結。可使用任何納米金屬粉末來形成納米膜。納米膜可包括各種功能性添加劑以改進所需的物理和/或機械性質，并且可被認為是“復合”納米膜。根據一個或多個實施方案，納米銀和/或其它金屬可用于模片固定。可雕版或絲網印刷膏的連續膜。還可使用旋涂、噴涂、刮刀或澆注。在一些實施方案中，可以以凸塊的形式印刷銀，例如尺寸為50-200微米。可轉移該膜或凸塊。可在切片之前將納米銀膏的膜施加至整個晶片。可作為切片中的步驟來施加膜，或在完成晶片制作之后施加膜。可配制具有特定的組成和性質的膏和顆粒，從而促進與晶片的粘附、與切片膜的粘附、和顆粒之間的內聚。制劑還可促進干燥和儲存，以及不抑制對于應用所需的燒結工藝和結合工藝。為了便于切片，可向印刷的納米銀層施加壓力以增強與晶片的粘附性和內聚力。可使用雕版以產生用于鋸片的切片切口以及通過在切片過程中與切片帶的模片粘附的增強來使切片可行。可使用任何形式的熱來使燒結成為可能，包括對流、輻射、感應和微波。可使快速燒結成為可能，例如少于一分鐘。還可使用緩慢燒結，以及與擴散組合的燒結。在模片側上施加銀膏可提供來自橡膠側很少的溫度限制或沒有溫度限制，以及來自基材側很少的溫度限制或沒有溫度限制。銀膏在模片側上的施加還可使通過硬工具進行的固定成為可能，并且通常可提供較廣闊的工藝窗口。在一些實施方案中，可進行晶片至晶片結合，以及其它結合應用，包括線結合、帶結合、氣密密封、蓋密封、金屬至金屬結合，金屬至玻璃結合，一般結合和與各種聚合物材料的結合。根據一個或多個實施方案，可將燒結膏(例如銀膏)與所有類型的倒裝芯片器件和組件結合使用。所涉及的材料(包括粉末和膏)可經專門設計和配制以用于倒裝芯片應用。在一些實施方案中，可印刷精細特征的可燒結膏可包括例如Ag、AgCu、AgMo、AgNi和AgSn的納米或微米級顆粒(具有或沒有一種或多種金屬有機化合物和流變改進劑)。根據一個或多個實施方案，可將銀膜施加至倒裝芯片器件。這些技術一般可涉及包括在載體片上的精細特征圖案。載體片可為例如由材料例如聚酯薄膜或聚酯制成。可將圖案化的膜轉移至模片的背側。或者，可將圖案直接雕版印刷在切片晶片的背側上。這兩種工藝一般可包括可印刷精細特征的燒結膏。根據一個或多個實施方案，對于燒結可不需要壓力。相反，可僅在放置過程中施加壓力。有益地，對于用于限定所施加的膜或膏圖案的模片或墊的尖銳邊緣沒有需要。根據圖24中所說明的一個或多個特定的實施方案，一種方法可包括以下步驟：·使用適當的雕版印刷該膏以在載體片上形成膜·干燥該膜以蒸發所有溶劑·在厚的有機硅墊上放置該膜·從晶片拾取模片·將模片墊與載體片上印刷和干燥的膏沉積物對準·向下壓模片并將其提起使得膏沉積物轉移到模片墊·在選定的溫度下并且使用適當的放置力將模片放置在基材上·持續預定的時間并在預定的溫度下在爐中燒結該組件。根據圖25中所說明的一個或多個特定的實施方案，一種方法可包括以下步驟：·使用適當的雕版印刷該膏以在載體片上形成膜·干燥該膜以蒸發所有溶劑·在厚的有機硅墊上放置該膜·在圖案化的膜上放置切片晶片和將模片墊對準至膏沉積物·按壓并加熱以將膏沉積物從該膜轉移到切片晶片在電子工業中，與基材的半導體器件互連是器件封裝的一個重要部分。目前用于模片固定和互連的大多數材料特別地是低熔點焊料，由于低的工作溫度這是不適合的。銀膏由于它們高的電和熱性能而通常用于微電子封裝中。然而，銀的高成本限制了它們的使用。根據一個或多個實施方案，芯殼結構的納米顆粒打開了對于互連材料在印刷電子產品中的新的可能性。因此，芯-殼結構或復合物的形式的納入有銀的銅/鎳/鉬納米顆粒預期會是在成本和實用性方面潛在的傳導導電材料。下表提供了根據一個或多個實施方案可用于印刷應用的不同芯殼結構的納米顆粒的一些實例的非限制性列表：芯金屬/非金屬殼金屬/非金屬(單層/多層)封端劑(單層或多層)銅銀胺鎳金醇錫鈀脂肪酸鉬鉑硫醇鎢鎳表面活性劑鋁錫碳氮化硼碳化硼Al氮化物絲網/雕版印刷是用于印刷電子產品和太陽能電池的金屬化的廣泛使用的技術。該技術通常依賴于從雕版至基材的圖案轉移。根據一個或多個實施方案，不同組成的Ag殼Cu芯、Ag殼Mo芯和Ag殼Ni芯膏可用于這些類型的應用。Ag殼與芯金屬(Cu、Mo、Ni等)的百分比組成的一些非限制性實例在下面列出：(10至90)重量％Ag殼和(90至10)重量％Cu/Ni芯(10至90)重量％金屬殼和(90至10)重量％金屬芯由以下實施例將更全面地理解這些及其它實施方案的功能及優點。所述實施例旨在為說明性屬性且并不視為對本文所討論的實施方案的范圍的限制。實施例1圖13說明了使用100微米厚的雕版印刷有納米銀膏的引線框架的實例。雕版厚度一般可決定結合線厚度。在印刷后，在爐中于130℃下干燥該引線框架30分鐘。用于展示該工藝的設備是可從ESEC(瑞士)商購的軟焊料模片結合機。對標準設備進行修改以在拾取臂上提供加熱選項。圖14呈現了在各個區域中使用的溫度設置，其中引線框架的溫度保持低于150℃。將加熱區域1至6中的溫度設定為低于150℃，以便不過熱和預燒結該膏。將區域7(其中發生固定工藝)中的溫度設定為約300℃至約400℃，并且將區域8設定為相同的溫度。采用用于提供0.5和1秒之間的結合時間的速度將印刷的引線框架裝入機器中，該機器引導它們穿過熱區域。圖15說明了具有固定的模片的引線框架。在軟焊料結合機中固定模片后，在爐中在300℃下熱處理(后燒結)一些引線框架約10分鐘，以增加與引線框架的模片粘附性。典型的模片剪切力為20MPa。圖16說明了所產生的接頭的典型橫截面。在液至液熱沖擊測試中測試接頭的可靠性。溫度設置為-50℃至+125℃，具有6分鐘循環時間。聲學顯微鏡圖像示出在接頭的形態中沒有變化或僅有極少變化，這表明如在圖17中說明的模片與引線框架的良好可靠的連接。實施例2根據一個或多個實施方案，取決于模片尺寸和設備，用于在分配之后的模片固定的工藝可變化。在第一工藝中，可分配膏并且然后使用不黏表面例如墊整平。然后可將該膏干燥，例如在約130℃下持續約30分鐘。然后可放置該模片并燒結，例如在約250℃至300℃的溫度下。在第二工藝中，可分配膏并且可采用最小的力將模片放置在濕表面上。然后可將該膏干燥，例如在約130℃下持續約20至30分鐘。然后可放置該模片并在約250℃至300℃下燒結。圖18說明了通過該第二工藝固定的模片。在第三工藝中，可分配膏并且然后將其部分干燥以保持膏為軟的。在一些非限制性實施方案中，部分干燥可在約70℃下持續約5分鐘。在部分干燥之后隨后可放置模片并在約250℃至300℃下燒結。圖19呈現了通過該第三工藝固定的模片。實施例3展示了晶片層合工藝。具有銀背側金屬化的圓形硅晶片放置在鋁板上。將燒結膜的片材放置在晶片上并且將硅橡膠墊放置在燒結膜上。然后用Teflon箔覆蓋該硅橡膠墊。將所得的組件放置在預熱的壓板(130℃)之間并且施加約1MPa壓力持續約3分鐘。在圖20A中說明了層合后的晶片和膜。如圖20B所示，然后從晶片去除燒結膜的片材。將該膜的圓形部分層合到硅晶片，從而在片材上露出背層的一部分，并在燒結膜的其余部分保留在背襯層上。在圖20C中說明了層合晶片。然后將層合晶片在約130℃下烘烤約一小時。實施例4根據一個或多個實施方案使用膏和膜兩種形式的相同燒結材料將模片燒結至基材。采用膏和膜兩者的燒結的工藝條件為約250℃，在10MPa下，在空氣中。對于約40秒、60秒和80秒的燒結時間，收集數據。對于使用膏和膜兩者形成的所得的結合，進行模片剪切測試。在圖21中說明了結果并且其反映了這兩種形式的可比較的結果。實施例5對于使用下列設備參數的各種組合的小模片和大模片兩者，展示了根據一個或多個實施方案使用燒結膜的拾取和沖壓工藝：設備變量采用從約10N至約50N的施加力進行測試。由噴嘴所致的壓力施加之間的延遲為從50ms至1000ms。采用從約130℃至約160℃的施加溫度進行測試。對于小模片，采用薄背襯箔和使用PCB基材作為沖壓支撐體獲得了最好的結果。對于大模片，采用厚背襯箔和使用120微米厚的不銹鋼腔體箔作為沖壓支撐體獲得了最好的結果。對于小模片而言的優化操作參數為約2500克的力、約500ms的延遲和約145℃的噴嘴溫度。對于兩個大模片而言的優化操作參數為約2500克的力、約1000ms的延遲和約150℃的噴嘴溫度。對小模片和大模片兩者實現了兩個模片之間的1mm最小距離。實施例6根據一個或多個實施方案采用燒結膜將模片固定到金和DBC基材。在圖22A中說明了彎曲測試之前的圖像并且在圖22B中說明了彎曲測試之后的圖像。彎曲測試顯示了模片沒有從金和DBC表面脫離。圖23A呈現了熱沖擊之前的CSAM圖像。圖23B呈現了在從-50℃至165℃的液體至液體熱沖擊的500次循環之后的聲學顯微鏡圖像。展示了沒有分層或結合劣化，這表明了結合完整性。實施例7采用1密耳雕版在硅涂覆的聚酯膜/聚酯薄膜上印刷膏。印刷圖案是如圖26所示的兩墊設計，其具有360微米乘以60微米的尺度，具有不同范圍的間距(60um至150um)。然后通過在60℃下加熱3分鐘來干燥聚酯/聚酯薄膜片上的印刷圖案。通過在60℃下(工具加熱)在壓力10MPa下沖壓來將充分干燥的印刷圖案轉移至模片側(具有Au/Ni面層的硅)。在模片側觀察圖案的充分轉移，如圖27所示。通過在10MPa的壓力下分別在160℃和60℃下加熱基材(Au/Ag)和工具250毫秒來進行模片至Au/Ag涂覆的硅晶片的固定。然后在箱式爐中在160℃下將該組件燒結30分鐘。采用上述工藝，達到了約35-50MPa的接頭強度。剪切的樣品顯示塊體失效。實施例8進行根據圖32的工藝。在硅涂覆的聚酯膜/聚酯薄膜上印刷膏。然后通過在60℃下加熱3分鐘來干燥聚酯/聚酯薄膜片上的印刷圖案。通過在85℃下(工具加熱)在壓力500gms下沖壓來將充分干燥的印刷圖案轉移至模片側(具有Au/Ni面層的硅)上。通過在1000gms的結合壓力下并且以200ms的結合時間分別在200℃和85℃下加熱基材(Ag/Au)和工具來進行模片至基材(Au/Ag)的固定。然后在箱式爐中在200℃下將該組件燒結90分鐘。如可在圖29中看到的，由這種工藝達到了約50-70MPa的剪切強度。如可在圖30中看到的，剪切的樣品顯示塊體失效。采用1s的結合時間重復該工藝。如在圖29中可看出的，由這種工藝達到了約50-85MPa的模片剪切強度。如可在圖30中看到的，剪切的樣品顯示塊體失效。在圖31中說明了相對結合強度。實施例9進行根據圖32的工藝。在硅涂覆的聚酯膜/聚酯薄膜上印刷膏。然后通過在60℃下加熱3分鐘來干燥聚酯/聚酯薄膜片上的印刷圖案。通過在120℃下(工具加熱)在壓力500gms下沖壓來將充分干燥的印刷圖案轉移至模片側(具有Au/Ni面層的硅)上。通過在1000gms的結合壓力下并且以200ms的結合時間分別在200℃和120℃下加熱基材(Ag/Au)和工具來進行模片至基材(Au/Ag)的固定。然后在箱式爐中在200℃下將該組件燒結90分鐘。如可在圖28中看到的，由這種工藝達到了約50-65MPa的剪切強度。如可在圖30中看到的，剪切的樣品顯示塊體失效。采用500gms的結合壓力和1s的結合時間重復該工藝。如在圖28中可看出的，由這種工藝達到了約45-65MPa的模片剪切強度。如可在圖30中看到的，剪切的樣品顯示塊體失效。采用1000gms的結合壓力和200ms的結合時間再次重復該工藝。如可在圖28中看出的，由這種工藝達到了約40-60MPa的模片剪切強度。如可在圖30中看到的，剪切的樣品顯示塊體失效。應了解，本文所討論的方法和裝置的實施方案在應用中并不限于在下列描述中闡述或在附圖中說明的部件的構造和配置的細節。所述方法和裝置能夠在其它實施方案中實施且能夠以各種方式實踐或進行。具體實施的實施例在本文中僅出于說明性目的而提供且并不意欲為限制性的。特別地，與任何一個或多個實施方案相關而討論的行為、要素和特征不旨在從任何其它實施方案中的類似作用排除。另外，本文所使用的措辭和術語是為了說明的目的且不應視為限制。對以單數提到的本文的系統和方法的實施方案或要素或行為的任何提及也可涵蓋包括多個這些要素的實施方案，并且任何以復數提到本文的任何實施方案或要素或行為也可涵蓋僅包括單一要素的實施方案。本文中使用“包括”，“包含”，“具有”，“含有”，“包括有”及其變體是指包含其后列出的項目及其等同物以及另外的項目。提到“或”可以解釋為包含式的，因此使用“或”描述的任何術語可表示任何單一、大于一個、和所有所描述的術語。對前與后、左與右、頂部與底部、上與下以及豎直與水平的任何提及旨在方便描述，而不是將本發明的系統和方法或它們的部件限制到任何一個位置或空間取向。以上描述了至少一個實施方案的若干方面，應了解的是，本領域技術人員將易于做出各種變化、改變和改進。這樣的變化、改變和改進旨在作為本公開內容的一部分且旨在處于本發明的范圍內。因此，前述描述和附圖僅是舉例。當前第1頁1 2 3