本發明涉及通過使用濺射靶用母合金，使原料粉末的組成和內部組織均勻，能夠形成均質的膜的濺射靶用母合金以及濺射靶的制造方法。
背景技術：
作為下一代阻擋金屬，要求兼具列舉作為與cu晶種層“成對”使用的阻擋膜的候選對象的合金膜的特性的合金元素的組合及其制造方法。
例如，將這樣的合金設為以x作為主要成分并含有y成分的合金時，通常以y成分為0.1～40原子％的范圍的合金(xy合金)的方式使用y成分。在這樣的合金的情況下，當x為高熔點(例如，ta：熔點3017℃)、y為低沸點(例如，mn：沸點2061℃)組合時，在熔煉x的條件下，y會揮發，因此，對于熔煉法而言，無法控制組成。
從公知文獻來看，在專利文獻1中記載了能夠形成組成均勻性高的反鐵磁性強化膜的濺射靶、反鐵磁性體膜、具備該膜的磁阻效應元件、磁頭和磁阻效應型隨機存取存儲器。
具體而言，記載了一種濺射靶，其特征在于，包含選自鎳、鈀、鉑、鈷、銠、銥、釩、鈮、鉭、銅、銀、金、釕、鋨、鉻、鉬、鎢和錸中的至少一種元素和錳，且將要進行濺射的表面每1cm2的缺陷數為10個以下。
而且，記載了使用上述濺射靶進行成膜而得到的反鐵磁性體膜、具備上述反鐵磁性體膜的磁阻效應元件、具備上述反鐵磁性體膜的隧道磁阻效應元件、具備上述磁阻效應元件的磁頭和具備上述隧道磁阻效應元件的磁阻效應型隨機存取存儲器。
另外，在專利文獻2中記載了一種濺射靶、以及使用所述濺射靶形成的反鐵磁性體膜和磁阻效應元件，所述濺射靶包含選自ni、pd、pt、co、rh、ir、v、nb、ta、cu、ag、au、ru、os、cr、mo、w和re中的至少一種r元素和mn，其特征在于，所述濺射靶具有選自所述r元素與mn的合金相和化合物相中的至少一種相作為靶組織的至少一部分。
另外，在專利文獻3中記載了：一種包含選自ni、pd、pt、co、rh、ir、v、nb、ta、cu、ag、au、ru、os、cr、mo、w和re中的至少一種r元素和mn的濺射靶，其中，將靶中的氧含量調節為1重量％以下(包含0)。反鐵磁性體膜3通過使用這樣的濺射靶進行濺射成膜而得到。反鐵磁性體膜3例如與鐵磁性體膜4層疊而作為交換耦合膜2使用，這樣的交換耦合膜2被用于磁阻效應元件等。
然而，在這些文獻中，在合金的成分中的一方的熔點高、成分中的另一方的沸點低的情況下，將它們熔煉時，由于一方的金屬成分揮發，因此目標的合金組成發生變動，存在無法進行控制的問題，但是沒有公開用于解決該問題的方法。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2003-64473號公報
專利文獻2：國際公開第98/22636號
專利文獻3：日本特開2000-160332號公報
技術實現要素：
發明所要解決的問題
以往，在合金的成分中的一方的熔點高、成分中的另一方的沸點低的情況下，當通過熔煉制造合金時，由于一方的金屬成分揮發，因此目標的合金組成發生變動，存在無法進行控制的問題。本發明的課題在于提供能夠解決這樣的問題的濺射靶和濺射靶的制造方法。本發明的課題在于，由此得到缺陷少、高密度且均勻的合金組成的靶，并且提供通過使用這樣的靶，能夠以高速進行均質且粉粒少的合金阻擋膜的成膜的燒結體濺射靶。
用于解決問題的手段
為了解決上述的課題，本發明人進行了深入研究，結果得到了以下新的發現：通過使用母合金，使原料粉末的組成和內部組織均勻，能夠形成均質的膜。基于這樣的發現，本發明提供下述的1)～8)的發明。
1)一種濺射靶用母合金，其為用于濺射靶的母合金，其特征在于，將構成母合金的元素設為以下的x1、x2、y1、y2、y3時，
x1：ta或w中的一種或兩種，
x2：ru、mo、nb或hf中的一種以上，
y1：cr或mn中的一種或兩種，
y2：co或ni中的一種或兩種，
y3：ti或v中的一種或兩種，
所述母合金包含上述構成元素的x1-y1、x1-y2、x1-y3、x2-y1、x2-y2中的任一種組合。
2)如上述1)所述的濺射靶用母合金，其特征在于，所述y1、y2、y3的組成比例在構成母合金的全部組成的50.0～80.0原子％的范圍內。
3)如上述1)～2)中任一項所述的濺射靶用母合金，其特征在于，作為構成母合金的構成金屬中的一方的x1或x2與作為構成母合金的構成金屬中的另一方的y1、y2、y3形成金屬間化合物或完全固溶(全率固溶)。
4)一種濺射靶的制造方法，其特征在于，將上述1)～3)中任一項所述的濺射靶用母合金粉碎，與由所述x1或x2構成的粉末混合，并進行燒結，從而制成阻擋金屬用的濺射靶材料。
5)如上述4)所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，以構成母合金的y1、y2、y3的組成達到0.1～40.0原子％的范圍的方式進行混合、燒結。
6)如上述1)～5)中任一項所述的濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的面內的y1、y2、y3的金屬組成的偏差為30％以下。
7)如上述1)～5)中任一項所述的濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的面內的y1、y2、y3的金屬組成的偏差為20％以下。
8)如上述1)～5)中任一項所述的濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的面內的y1、y2、y3的金屬組成的偏差為15％以下。
發明效果
本發明提供通過使用濺射靶用母合金，使原料粉末的組成和內部組織均勻，能夠形成均勻的膜的濺射靶用母合金以及濺射靶的制造方法，由此具有下述優良效果：能夠得到缺陷少、高密度且均勻的合金組成的靶，并且通過使用該靶，可以提供能夠以高速進行均質且粉粒少的合金阻擋膜的成膜的燒結體濺射靶。
具體實施方式
如上所述，本發明提供一種濺射靶用母合金，其為用于濺射靶的母合金，其特征在于，將構成母合金的元素設為以下的x1、x2、y1、y2、y3時，
x1：ta或w中的一種或兩種
x2：ru、mo、nb或hf中的一種以上
y1：cr或mn中的一種或兩種
y2：co或ni中的一種或兩種
y3：ti或v中的一種或兩種
所述母合金包含上述構成元素的x1-y1、x1-y2、x1-y3、x2-y1、x2-y2中的任一種組合。上述組成的母合金可以通過熔煉法來制作。
如果將所述x1、x2統稱為“x”，將y1、y2、y3統稱為“y”進行說明，則隨著所述y的組成變高，沸點變低，因此，對于含有高y組成的母合金而言，能夠在抑制y的揮發的條件下進行熔煉。
此外，熔煉而得到的母合金可以進行粉碎，為了控制組成，與x粉混合，調節為將燒結中的反應抑制到最低限度的組成范圍，通過不包含y單獨的組成，選擇能夠以金屬間化合物相的形式存在的50.0～80.0原子％y的范圍，能夠得到組成控制用的原料粉末。
然后，將粉碎后的母合金與金屬粉末混合，并進行燒結，從而能夠制作規定的組成且面內組成均勻的tg。
由此，可以得到缺陷少、高密度且均勻的合金組成的靶，并且通過使用該靶，能夠以高速進行均質且粉粒少的xy成分的合金阻擋膜的成膜。另外，也可以制作300mm用的尺寸的靶。
優選所述y1、y2、y3的組成比例在構成母合金的全部組成的50.0～80.0原子％的范圍內。這是因為，通常組成越接近x，熔點越高，由此發生y合金的揮發，當組成接近y時，產生y單相的區域。
優選作為構成母合金的構成金屬中的一方的x1或x2與作為構成母合金的構成金屬中的另一方的y1、y2、y3形成金屬間化合物或完全固溶。這對于使靶的組織均勻化是有效的且是重要的。
在制造濺射靶時，將濺射靶用母合金粉碎，與由所述x1或x2構成的粉末混合，并進行燒結，從而制成阻擋金屬用的濺射靶材料，并制造濺射靶。由此，能夠得到缺陷少、高密度且均勻的合金組成的靶。
優選以構成母合金的y1、y2、y3的組成達到0.1～40.0原子％的范圍的方式進行混合、燒結。
所述濺射靶的面內的y1、y2、y3的金屬組成的偏差優選為30％以下，更優選為20％以下，進一步優選為15％以下。
需要說明的是，在測定偏差時，可以測定靶面內的任意點(例如，靶面內十字的9個部位)的組成，將“(最大值-最小值)/最大值×100％的值”定義為偏差。
實施例
接著，對實施例和比較例進行說明。需要說明的是，這些實施例和比較例是為了易于理解本申請發明，應當理解發明的內容并不限制于此。
(實施例1)
關于本實施例1，熔煉w-75原子％v的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加w粉末，調節使得v的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含w-26原子％v的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(v成分)的偏差為2.6％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。將該結果示于表1。
表1
(實施例2)
關于本實施例2，熔煉w-66原子％ti的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加w粉末，調節使得ti的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作w-10.1原子％ti的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(ti成分)的偏差為2.4％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例3)
關于本實施例3，熔煉w-57原子％co的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加w粉末，調節使得co的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含w-1.4原子％co的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1350℃。母合金的組成(co成分)的偏差為4.9％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例4)
關于本實施例4，熔煉w-58原子％ni的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加w粉末，調節使得ni的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含w-19.2原子％ni的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1350℃。母合金的組成(ni成分)的偏差為8.5％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例5)
關于本實施例5，熔煉w-73原子％cr的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加w粉末，調節使得cr的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含w-21.4原子％cr的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(cr成分)的偏差為3.1％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例6)
關于本實施例6，熔煉w-50原子％mn的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加w粉末，調節使得mn的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含w-27.5原子％mn的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1150℃。母合金的組成(mn成分)的偏差為1.5％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例7)
關于本實施例7，熔煉ta-71原子％v的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ta粉末，調節使得v的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ta-6.3原子％v的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(v成分)的偏差為1.0％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例8)
關于本實施例8，熔煉ta-55原子％ti的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ta粉末，調節使得ti的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ta-32.8原子％ti的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(v成分)的偏差為8.8％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例9)
關于本實施例9，熔煉ta-60原子％co的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ta粉末，調節使得co的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ta-37.4原子％co的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1200℃。母合金的組成(co成分)的偏差為1.7％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例10)
關于本實施例10，熔煉ta-52原子％ni的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ta粉末，調節使得ni的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ta-10.5原子％ni的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1250℃。母合金的組成(ni成分)的偏差為7.6％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例11)
關于本實施例11，熔煉ta-63原子％cr的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ta粉末，調節使得cr的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ta-2.9原子％cr的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(cr成分)的偏差為9.7％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例12)
關于本實施例12，熔煉ta-61原子％mn的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ta粉末，調節使得mn的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ta-14.7原子％mn的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1100℃。母合金的組成(mn成分)的偏差為9.9％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例13)
關于本實施例13，熔煉mo-59原子％co的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加mo粉末，調節使得co的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含mo-38.1原子％co的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1250℃。母合金的組成(co成分)的偏差為5.5％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例14)
關于本實施例14，熔煉mo-72原子％ni的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加mo粉末，調節使得ni的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含mo-30.2原子％ni的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1250℃。母合金的組成(ni成分)的偏差為1.1％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例15)
關于本實施例15，熔煉mo-66原子％cr的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加mo粉末，調節使得cr的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含mo-5.4原子％cr的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(cr成分)的偏差為4.0％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例16)
關于本實施例16，熔煉mo-75原子％mn的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加mo粉末，調節使得mn的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含mo-21.2原子％mn的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1100℃。母合金的組成(mn成分)的偏差為4.9％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例17)
關于本實施例17，熔煉nb-67原子％co的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加nb粉末，調節使得co的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含nb-17.5原子％co的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1150℃。母合金的組成(co成分)的偏差為5.8％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例18)
關于本實施例18，熔煉nb-57原子％ni的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加nb粉末，調節使得ni的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含nb-3.2原子％ni的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1100℃。母合金的組成(ni成分)的偏差為10.0％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例19)
關于本實施例19，熔煉nb-71原子％cr的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加nb粉末，調節使得cr的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含nb-20.5原子％cr的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(ni成分)的偏差為7.9％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例20)
關于本實施例20，熔煉nb-75原子％mn的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加nb粉末，調節使得mn的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含nb-17.8原子％mn的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1100℃。母合金的組成(mn成分)的偏差為2.2％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例21)
關于本實施例21，熔煉ru-65原子％cr的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ru粉末，調節使得cr的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ru-12.6原子％cr的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1550℃。母合金的組成(cr成分)的偏差為3.1％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例22)
關于本實施例22，熔煉ru-50原子％mn的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加ru粉末，調節使得mn的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含ru-11.2原子％mn的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1200℃。母合金的組成(mn成分)的偏差為4.4％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例23)
關于本實施例23，熔煉hf-53原子％cr的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加hf粉末，調節使得cr的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含hf-13.8原子％cr的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1500℃。母合金的組成(cr成分)的偏差為9.3％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(實施例24)
關于本實施例24，熔煉hf-56原子％mn的組成的材料而制作母合金，將該母合金粉碎而制成粉末。接著，在其中進一步添加hf粉末，調節使得mn的合計量達到0.1～40.0原子％的范圍，對粉末進行真空燒結，從而制作包含hf-8.2原子％mn的組成的材料的靶。
將燒結時的壓機溫度設定為1100℃。母合金的組成(mn成分)的偏差為1.6％，組成變動小。另外，容易進行母合金的粉碎。同樣將該結果示于表1。
(比較例1)
關于比較例1，在w中添加26原子％的v，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例2)
關于比較例2，在w中添加10原子％的ti，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例3)
關于比較例3，在w中添加1原子％的co，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例4)
關于比較例4，在w中添加19原子％的ni，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例5)
關于比較例5，在w中添加21原子％的cr，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例6)
關于比較例6，在w中添加28原子％的mn，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例7)
關于比較例7，在ta中添加6原子％的v，在3100℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至42.5％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例8)
關于比較例8，在ta中添加33原子％的ti，在3100℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至39.7％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例9)
關于比較例9，在ta中添加37原子％的co，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例10)
關于比較例10，在ta中添加11原子％的ni，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例11)
關于比較例11，在ta中添加3原子％的cr，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例12)
關于比較例12，在ta中添加15原子％的mn，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例13)
關于比較例13，在mo中添加38原子％的co，在2700℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至16.2％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例14)
關于比較例14，在mo中添加30原子％的ni，在2700℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至26.8％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例15)
關于比較例15，在mo中添加5原子％的cr，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例16)
關于比較例16，在mo中添加21原子％的mn，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例17)
關于比較例17，在nb中添加18原子％的co，在2550℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至32.0％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例18)
關于比較例18，在nb中添加3原子％的ni，在2550℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至41.5％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例19)
關于比較例19，在nb中添加21原子％的cr，在2550℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至31.6％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例20)
關于比較例20，在nb中添加18原子％的mn，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例21)
關于比較例21，在ru中添加13原子％的cr，在2400℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至28.3％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
(比較例22)
關于比較例22，在ru中添加11原子％的mn，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
(比較例23)
關于比較例23，在hf中添加14原子％的cr，在2300℃對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。此時，組成的偏差增大至29.6％，不適合實際生產。同樣將該結果示于表1。
比較例24
關于比較例24，在hf中添加8原子％的mn，想要對其進行熔煉而制作相同成分組成的合金。然而，無法通過熔煉制造該合金的材料。同樣將該結果示于表1。
關于以上的比較例1～比較例24，想要在作為高熔點金屬的w、ta、mo、nb、ru、hf各自中添加表1所示的元素，并通過熔煉制作合金，但是可知均無法制作或組成的偏差增大，不適合實際生產。
產業實用性
本發明提供通過使用濺射靶用母合金，使原料粉末的組成和內部組織均勻，能夠形成均質的膜的濺射靶用母合金以及濺射靶的制造方法。由此具有下述優良效果：能夠得到缺陷少、高密度且均勻的合金組成的靶，并且通過使用該靶，可以提供能夠以高速進行均質且粉粒少的合金阻擋膜的成膜的燒結體濺射靶，對于制造半導體裝置中的柵極膜這樣的需要抑制組成變動的膜是特別有用的。