1.一種襯底托架，包括：
襯底支架；和
環繞所述襯底支架的臺階部，
其中，所述臺階部的側面和下部中的至少一個包括凹進區域。
2.根據權利要求1所述的襯底托架，其中，所述凹進區域被設置在所述臺階部的所述側面并包括延伸入所述側面中的凹槽。
3.根據權利要求2所述的襯底托架，其中，所述臺階部包括上臺階和具有與所述上臺階的高度不同的高度的下臺階，并且
所述凹槽具有比所述下臺階的寬度更大的寬度。
4.根據權利要求3所述的襯底托架，其中，所述下臺階的上表面在與所述凹槽延伸的方向平行的方向上延伸。
5.根據權利要求3所述的襯底托架，其中，所述下臺階的上表面在與所述凹槽延伸的方向不平行的方向上延伸。
6.根據權利要求5所述的襯底托架，其中，所述下臺階的所述上表面，從所述下臺階的所述上表面從所述上臺階下降的位置，在朝向所述上臺階的上表面的延伸表面的傾斜方向上延伸。
7.根據權利要求1所述的襯底托架，其中，所述凹進區域被設置在所述臺階部的所述下部中并沿所述臺階部的所述下部延伸。
8.根據權利要求7所述的襯底托架，其中，所述凹進區域具有比所述臺階部的寬度更大的寬度。
9.根據權利要求1所述的襯底托架，還包括在所述凹進區域的至少一部分中填充的彈性材料。
10.一種襯底托架，被配置成與反應器壁面密封接觸，所述襯底托架包括：
襯底容置區域；和
接觸區域，其環繞所述襯底容置區域并與所述反應器壁面密封接觸，
其中，當在所述面密封接觸期間向所述接觸區域施加壓力時，所述接觸區域具有彈性行為。
11.根據權利要求10的襯底托架，其中，所述接觸區域的側面和下部中的至少一個具有凹進形狀。
12.一種半導體制造設備，包括：
反應器壁；
襯底托架，被配置成與所述反應器壁面密封接觸并與所述反應器壁限定反應區域；和
氣體供應單元，被配置成向所述反應區域供應氣體，
其中，當在所述面密封接觸期間向所述襯底托架施加壓力時，所述襯底托架具有彈性行為。
13.根據權利要求12所述的半導體制造設備，其中，在所述面密封接觸期間，在所述襯底托架與所述反應器壁之間形成空間。
14.根據權利要求13所述的襯底托架，其中，所述襯底托架的至少一部分包括上臺階和具有與所述上臺階的高度不同的高度的下臺階，并且
在所述面密封接觸期間在所述上臺階和所述反應器壁之間形成所述空間。
15.根據權利要求12所述的半導體制造設備，還包括環繞所述反應器壁的外腔室，
其中，通過所述外腔室產生在所述面密封接觸期間向所述襯底托架施加的所述壓力。
16.根據權利要求12所述的半導體制造設備，其中，所述襯底托架包括延伸入所述襯底托架的側面中的凹槽。
17.根據權利要求16所述的半導體制造設備，其中，所述凹槽延伸入與所述反應區域交疊的區域中。
18.根據權利要求12所述的半導體制造設備，其中，所述襯底托架的下部具有臺階形狀。
19.根據權利要求18所述的半導體制造設備，其中，所述臺階形狀延伸入與所述反應區域交疊的區域中。
20.一種半導體制造設備，包括：
第一反應器壁；
第二反應器壁；
氣體供應單元，被配置成向所述第一反應器壁內的區域和所述第二反應器壁內的區域供應氣體；
外腔室，其環繞所述第一反應器壁和所述第二反應器壁；
第一襯底托架，被配置成垂直移動并與所述第一反應器壁面密封接觸；和第二襯底托架，被配置成垂直移動并與所述第二反應器壁面密封接觸，
其中，所述第一襯底托架和所述第二襯底托架中的至少一個包括臺階部，并且
所述臺階部的側面和下部中的至少一個包括凹進區域，當在所述面密封接觸期間通過所述外腔室向所述凹進區域施加壓力時所述凹進區域具有彈性行為。
21.根據權利要求1所述的襯底托架，還包括填充所述凹進區域的至少一部分的至少一個支撐件。
22.根據權利要求1所述的襯底托架，其中，所述支撐件具有比所述臺階部的熱膨脹系數更低的熱膨脹系數。
23.根據權利要求1所述的襯底托架，其中，所述至少一個支撐件包括多個支撐件，并且所述支撐件沿所述襯底托架的圓周不對稱地布置。