本發明實施例主要涉及一種研磨方法，特別涉及一種化學機械研磨方法。

背景技術：

于半導體集成電路(ic)工業中，于ic材料以及設計上的技術的進步產生了多許ic世代，其中每一世代相較于前一世代具有較小以及更為復雜的電路。于ic演進的課題中，當幾何尺寸(例如，可使用一工藝能制造的最小的元件(或是線))縮小，而功能密度(functionaldensity)(例如，每一晶片區域中互連裝置的數目)卻普遍地增加。這種縮小的過程普遍提供了增加生產效率以及降低相關成本等益處。這種縮小亦增加了ic工藝與制造的復雜度。

一種經常使用于半導體制造工業的工藝為一化學機械研磨(cmp)工藝。cmp工藝涉及當供應一泥漿溶液時于一研磨墊上研磨晶圓的表面。典型的泥漿溶液包括幫助破壞晶圓表面的化學品。典型的泥漿溶液亦包括懸浮于泥漿溶液中的磨料顆粒以提供幫助破壞晶圓的表面的機械力。cmp工藝的目的為使得晶圓的表面盡可能地平坦。因此，需要找到方法來改進cmp工藝以提供更為平坦的表面。

技術實現要素：

本發明實施例的主要目的在于提供一種化學機械研磨方法，以使晶圓的表面更為平坦。

本發明實施例提供了一種化學機械研磨方法，包括測量一晶圓的一輪廓，以及判定晶圓的一第一部分具有大于一特定的厚度的一較厚的厚度。上述方法還包括于測量晶圓之后，實施一化學機械研磨(cmp)工藝至晶圓的一第一側，以及于cmp工藝的過程中，實施一額外的壓力至晶圓的一區域，區域包括晶圓的一非對稱部分，區域涵蓋至少部分晶圓的第一部分。

本發明實施例提供了一種化學機械研磨方法，包括測量一晶圓的一輪廓，以及判定晶圓的一第一部分具有大于一特定的厚度的一較厚的厚度，將晶圓鄰近于一薄膜放置，以及當實施一化學機械研磨(cmp)工藝至晶圓的一第一側，利用薄膜來施加一額外的壓力至晶圓的一可選擇的區域，可選擇的區域對應于第一部分，區域對應于晶圓的一非對稱部分。

本發明實施例提供了一種用以實施一化學機械研磨(cmp)工藝的一系統包括一測量模塊，用以確定的一晶圓的一輪廓以及一cmp模塊，包括一研磨墊、一限位環以及一研磨頭，用以施加可變的壓力至被限位環固定的晶圓的不同的部分，不同的部分于一非圓形網格上為可個別選擇的。上述系統還包括一控制模塊，用以判定晶圓的多個部分具大于一特定的厚度的一較厚的厚度以及使研磨頭施加額外的壓力至晶圓的多個區域，其對應于具大于一特定的厚度的一較厚的厚度的晶圓的部分。

本發明實施例提供的化學機械研磨方法的優點和有益效果在于：本發明提供的化學機械研磨方法能夠使晶圓的表面更為平坦。

附圖說明

本發明實施例可經由下列的實施方式以及配合對應的附圖被良好的了解。需強調的是，相對于業界中的標準實施，很多的特征并未依據尺寸繪制，而只用于說明的目的。事實上，多種特征的尺寸為了清楚對其進行說明目的，而被增加或是減少。

圖1a為根據于此處所描述的原理的一例子的主要固持于一cmp設備內的一晶圓的側視圖，上述cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓的不同區域。

圖1b為根據于此處所描述的原理的一例子的一cmp設備的俯視圖，上述cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓的不同區域。

圖2a為根據于此處所描述的原理的一例子的使用于一cmp設備的一薄膜的剖視圖，上述cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓的不同區域。

圖2b為根據于此處所描述的原理的一例子的使用于cmp設備的薄膜的俯視圖，上述cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓的不同區域。

圖3a為根據于此處所描述的原理的一例子的使用于cmp設備的一薄膜的剖視圖，上述cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓的不同區域。

圖3b為根據于此處所描述的原理的一例子的使用于cmp設備的薄膜的俯視圖，上述cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓的不同區域。

圖4a為根據于此處所描述的原理的一例子的一晶圓的俯視圖，其中顯示了于實施cmp工藝之前的晶圓的多種輪廓。

圖4b為根據于此處所描述的原理的一例子的晶圓的俯視圖，其中網格線表示了可選擇施加額外的壓力的不同區域。

圖5a為根據于此處所描述的原理的一例子的一晶圓的俯視圖，其中顯示了于實施cmp工藝之前的晶圓的多種輪廓。

圖5b為根據于此處所描述的原理的一例子的晶圓的俯視圖，其中網格線表示了可選擇施加額外的壓力的不同區域。

圖6為根據于此處所描述的原理的一例子的對其進行說明系統的系統圖，其中上述系統可于一cmp工藝中用于選擇性和非對稱性地施加不同量的壓力至一晶圓。

圖7為根據于此處所描述的原理的一例子的對其進行說明系統的流程圖，其中上述系統可于一cmp工藝中用于選擇性和非對稱性地施加不同量的壓力至一晶圓。

附圖標記說明：

100～cmp設備

102～研磨墊

103～研磨頭

104～晶圓

106～限位環

108～薄膜

110～組

112～噴氣頭

202～薄膜

204～堅固部

206～多孔區域

208、208-1、208-2、208-3、208-4、208-5、208-6～噴氣頭

210～氣體

211～頂側(上表面、第一側)

212～區域

213～底側(下表面、第二側)

214～區域

302～薄膜

304～氣體

306～區域

308～多孔區域

310～堅固部

402～晶圓

404、406～部分

502～晶圓

504、506～部分

600～cmp系統

602～控制模塊

604～測量模塊

606～測量晶圓臺

608～晶圓

610～cmp模塊

700～方法

702、704、706、708～步驟

具體實施方式

下述的說明提供了許多不同的實施例或是例子，用來實施本發明實施例的不同特征。以下特定例子所描述的元件和排列方式，僅用來精簡的表達本發明實施例，其僅作為例子，而并非用以限制本發明實施例。例如，第一特征在一第二特征上或上方的結構的描述包括了第一和第二特征之間直接接觸，或是以另一特征設置于第一和第二特征之間，以致于第一和第二特征并不是直接接觸。此外，本發明實施例于不同的例子中沿用了相同的元件標號及/或文字。前述的沿用僅為了簡化以及明確，并不表示于不同的實施例以及設定之間必定有關聯。

再者，使用于此的空間上相關的詞匯，例如向下(beneath)、下方(below)、較低(lower)、上方(above)或較高(upper)等，用以簡易描述附圖上的一元件或一特征相對于另一元件或特征的關系。空間上相關的詞匯意指除了附圖上描述的方位外，包括于不同的方位于使用或是操作的裝置。上述裝置可以其他方式定向(旋轉90度或是于其他方位)以及使用于此的空間上的相關描述來解釋。

如上所述，cmp工藝的目的是使晶圓的表面盡可能的平坦。因此，需要發現一些方法來改進cmp工藝以提供更平坦的表面。一些現有的cmp設備(cmptools)經由多個圓形區域(radialzones)施加不同的壓力至一晶圓。特別地是，施加于一特定的半徑范圍(specificradius)的額外的壓力(additionalpressure)于上述半徑范圍(radius)中施加于整個晶圓。

根據此處描述的原理，額外的壓力可于一非對稱方式實施。換句話說，于晶圓內的多種區域并不會分割為被施加額外的壓力的多個圓形區域。舉例而言，判定晶圓具有大于平均厚度的一特定部分應于cmp工藝中被較少。額外的厚度(additionalthickness)可通過于對應于具有較大厚度的部分的一特定區域施加額外的壓力被消除。然而，不應于并不具有額外厚度的區域中施加額外的壓力。于一例子中，cmp設備可施加額外的壓力至根據一非對稱網格所分隔的一特定的區域。于一些例子中，非對稱網格可為非圓形網格，例如一矩形網格。

圖1為一晶圓104被固持于一cmp設備100內的側視圖，cmp設備100用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓104的不同區域。根據本例子，cmp設備100包括一研磨墊102以及一研磨頭103。研磨頭103包括一限位環106以及一組110的噴氣頭(gashead)112。

研磨墊102一般為平的，且具有圓形表面。晶圓壓至于上述圓形表面上以實施一cmp工藝。研磨墊102一般大于晶圓104的表面。于一些例子中，研磨墊102被一旋轉平臺所支撐。于cmp工藝中，當研磨墊102旋轉時，晶圓104被壓至研磨墊102。此外，于cmp工藝中，cmp泥漿供應于研磨墊102。

于cmp工藝中，研磨頭103用以將一晶圓104壓至研磨墊102。于本例子中，研磨頭103包括一限位環106，用以固定晶圓104。此外，研磨頭103包括一組110的噴氣頭112，其可通過一薄膜108供應氣體至晶圓104的不同區域。薄膜108被放置于鄰近于晶圓104的位置，并位于相反于晶圓104下壓于研磨墊102的一側。

圖1b為cmp設備的俯視圖，上述cmp設備用以選擇性地將額外的壓力施加至晶圓的不同區域。俯視圖顯示了薄膜108以及位于一矩形網格圖案內的多個噴氣頭112。此外，亦可使用其他的圖案。舉例而言，噴氣頭112可經由排列，以使噴氣頭112的每一列或行與相鄰的列或行相互間隔。此外，可具有多種數目的噴氣頭112。本例子繪制了六列以及六行的噴氣頭112。于一些例子中，可具有不同數目的列以及行。為了討論的目的，噴氣頭112的列的數目可以被表示為字母x，且噴氣頭112的行的數目可以被表示為字母y。于一些例子中，x可相等于y。于一些例子中，x可小于或大于y。特別的是，于一些例子中，x可為3，且y可為4。于一些例子中，x可為4，且y可為3。此外，其他的例子可同樣地被考慮。

一般而言，cmp設備100具有較多的噴氣頭112，以選擇性地供應額外的壓力至晶圓的較小且較多的區域。舉例而言，假使x等于2且y等于2，因此cmp設備100將具有四個噴氣頭112。因此，可施加額外的壓力至四個不同的區域。于另一例子中，假使噴氣頭112的總數為100，因此cmp設備100可選擇性地施加額外的壓力至晶圓的100個不同、個別的區域上。

圖2a為使用于cmp設備的薄膜202的剖視圖，cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓104的不同區域。根據本例子，薄膜202包括多個堅固部204，環繞于薄膜202的周圍且沿著網格線延伸。網格線之間的空間包括可讓氣體210通過的多個多孔區域(porousregion)206。堅固部204用以防止氣體210流入鄰近的多孔區域206。

于本例子中，具有六個沿著圖2a所示的剖面排列的噴氣頭208-1、208-2、208-3、208-4、208-5、208-6。每一噴氣頭208-1、208-2、208-3、208-4、208-5、208-6對應于單獨的多孔區域206。于本例子中，為了施加額外的壓力至晶圓104的區域212，噴氣頭208-5通過區域212上的多孔區域206噴出氣體210。晶圓104的區域212上環繞多孔區域206的堅固部204可防止氣體210提供壓力至非區域212的區域。

通過供應氣體210至晶圓104的一頂側211，于氣體210供應的區域造成晶圓104的底側213所對應的區域212更大的壓至研磨墊(例如圖1的研磨墊102)。其造成cmp工藝施加額外的力至區域212。因此，假使區域212被判定具有較大的厚度，可通過噴氣頭208-5施加額外的壓力至區域212。因此，cmp工藝可產生更為平坦的表面。

圖2b為使用于cmp設備的薄膜202的俯視圖，cmp設備用以選擇性地施加額外的壓力至晶圓104的不同區域。于本例子中，薄膜202包括六列以及六行。為了討論的目的，薄膜202中列的數目被表示為字母n，且行的數目被表示為字母m。此處，n等于6，且m等于6。因此具有總共32個的區域214，可選擇性地施加額外的壓力。為了討論的目的，這些區域214可視為網格區域(gridregion)214。于其他例子中，n和m可具有不同的數值。于一些例子中，n和m可相同。于一些例子中，n和m可不同。

于本例子中，n和m對應于x和y。換句話說，噴氣頭208的數目等于位于薄膜202的網格內的區域的數目。于一些例子中，薄膜202內的網格區域214對應超過一個噴氣頭208。舉例而言，每一網格區域214對應兩個或更多的噴氣頭208。

于一些例子中，多個薄膜202中的一者可于cmp工藝中插入cmp設備100中使用。不同的薄膜可具有不同的網格尺寸。舉例而言，可插入具有簡單的2x2網格的薄膜。因此，有一些噴氣頭對應于四個網格區域中的一個。通過這樣的薄膜施加額外的壓力，對應于一單獨的網格區域的任何數目的噴氣頭均可用于施加壓力至適當的網格區域。

于本例子中說明了具有矩形網格的薄膜，但亦可使用其他非圓形網格。舉例而言，于每一網格區域中的一網格可為三角形。于一些例子中，于每一網格區域中的一網格可為六邊形或是八邊形。

圖3a為使用于cmp設備的一薄膜的剖視圖，上述cmp設備用以選擇性施加額外的壓力至晶圓的不同區域。于本例子中，薄膜302并不包括沿網格線延伸的堅固部。取而代之的是，薄膜302包括單獨的多孔區域308，所有的噴氣頭208所噴出的氣體通過。根據本例子，施加額外的壓力至區域306，噴氣頭208-5于區域306上通過單獨的多孔區域308供應氣體304至晶圓104的上表面211。因此，晶圓104的下表面213可經由額外的施力壓至研磨墊(例如圖1中的102)。因此，假使區域306被判定具有較厚的厚度，可經由噴氣頭208-5施加額外的壓力至區域306。因此，cmp工藝可產生更為平坦的表面。

圖3b為使用于cmp設備的薄膜302的俯視圖，上述cmp設備用以選擇性施加額外的壓力至晶圓的不同區域。根據本例子，薄膜302包括環繞于薄膜302的一堅固部310。于堅固部(剛性周圍)310內為單獨的多孔區域308。多孔區域308可用以允許氣體通過以施加壓力至晶圓。

圖4a為晶圓402的俯視圖，顯示了于實施一cmp工藝之前的晶圓402的多種輪廓。根據本例子，于實施cmp工藝之前，可測量晶圓402的輪廓。進一步來說，測量要被cmp工藝平面化的表面的輪廓。多種測量工具可用來測量輪廓。這些工具可包括，但不限制于，光學干涉顯微鏡。

于本例子中，有兩個部分404、406被判定為其厚度大于一特定的厚度。特定的厚度可為晶圓402的平均厚度。舉例而言，除了部分404、406以外，晶圓402的所有區域于特定的厚度的一些誤差范圍內。部分404、406因為多種原因而具有較厚的厚度。于一例子中，由于部分404、406之內具有額外的特征(additionalfeatures)，而導致了較厚的厚度。于cmp工藝之后，應使晶圓402的上表面大致平坦。換句話說，應沒有部分像部分404、406一樣具有較厚的厚度。若不使用此處描述的原理，cmp工藝可能無法完全地平坦化部分404、406。換句話說，于cmp工藝之后的相關輪廓可能會相似于cmp工藝之前的相關輪廓。

圖4b為晶圓的俯視圖，其中網格線標示了不同區域，其可選擇性地施加額外的壓力。于本例子中，cmp設備用以選擇性地施加壓力至晶圓402上的一4x4網格。進一步來說，具有16個不同的區域可供cmp設備施加額外的壓力。于本例子中，額外的壓力可施加于區域a2、c3、c4。通過施加額外的壓力至這些區域，于cmp工藝的呈現的輪廓可大致為平坦的。

圖5a為一晶圓502的俯視圖，顯示了于實施cmp工藝之前的晶圓502的多種輪廓。于本例子中，有兩個部分504、506被判定為其厚度大于一特定的厚度。同理，于cmp工藝之后，應使晶圓502的上表面大致為平坦的。換句話說，應不具有如同部分504、506一般具有較厚的厚度的部分。若不使用于此描述的原理，cmp工藝可能無法平坦化部分504、506。換句話說，若不使用于此描述的原理，于cmp工藝之后的相關輪廓可能會相似于cmp工藝之前的相關輪廓。

圖5b為晶圓的俯視圖，其中網格線標示了不同區域，其可選擇性地施加額外的壓力。于本例子中，cmp設備用以選擇性地施加壓力至晶圓502上的一6x6網格。進一步來說，具有32個不同的區域可供cmp設備施加額外的壓力(四個角落的區域a1、a6、f1、f6并不計算在內)。于本例子中，額外的壓力可施加于區域a4、a5、b4、b5、d2。通過施加額外的壓力至這些區域，于cmp工藝之后所呈現的輪廓可大致為平坦的。

圖6顯示了于一cmp工藝中用于選擇性和非對稱性地施加不同量的壓力至一晶圓的cmp系統600。根據本例子，cmp系統600包括一控制模塊602、一測量模塊604、一測量晶圓臺606、以及一cmp模塊610。

控制模塊602包括用以管理cmp系統600的硬件與軟件。控制模塊602可包括一或多個處理器與存儲器。存儲器可儲存機械可讀的指令(instruction)，其可被一個或多個處理器所執行，以使得cmp系統600實施多種工作。舉例而言，控制模塊602可操作多個硬件的部件以通過所描述的cmp系統600移動晶圓608。于一例子中，控制模塊602控制機械手臂或是其他機構去接收一晶圓608，并放置于測量晶圓臺606。

測量晶圓臺606被設計為于測量模塊604測量晶圓608的輪廓的地方固持晶圓608。晶圓608通過于控制模塊602控制下的機械機構放置于測量晶圓臺606上。

于晶圓608被適當的放置于測量晶圓臺606上，測量模塊604測量晶圓608的輪廓。測量模塊604可包括一測量工具。于一例子中，測量模塊604利用光學測量技術。舉例而言，測量模塊604可為一干涉顯微鏡。呈現晶圓608的輪廓的數據可以被提供至控制模塊602。于一些例子中，控制模塊602可實施分析至被測量模塊604所獲得的測量數據。這些分析可用以判定晶圓608的那些部分具有比晶圓608的其他部分具有較厚的厚度。

控制模塊602可由cmp模塊610接收數據以指示施加于晶圓608上的額外的壓力的區域的數目。這些數據可包括選擇性施加額外的壓力的每一個別的區域的位置。如同測量數據一般使用這些數據，控制模塊602可選擇某些區域施加額外的壓力。于一些例子中，測量模塊604的測量數據可指示如圖4a所示，具有大于平均厚度的部分404、406。此外，控制模塊602可由cmp模塊610接收關于如圖4b所示的網格樣式(layout)的信息。控制模塊602可決定區域a2、c3、c4(例如，對應于部分404、406的區域)應施加額外的壓力。再于一例子中，由測量模塊604來的測量數據可指示如圖5a所示的部分504、506具有大于平均厚度的厚度。此外，控制模塊602可由cmp模塊610接收關于如圖5b所示的網格樣式的信息。因此，控制模塊602可決定區域a4、a5、b4、b5、d2(例如，對應于部分504、506的區域)應施加額外的壓力。

于晶圓608的輪廓被測量模塊604測量后，控制模塊602可使晶圓608移動至cmp模塊610內。舉例而言，控制模塊602可控制多種機械機構來移動晶圓608進入一位置，以被cmp模塊610的限位環(例如圖1所示的106)所固持。

cmp模塊610可包括多種元件來實施cmp工藝至固定于限位環內的一晶圓608。cmp模塊610可包括對應于圖1a以及圖1b所描述的多種特征。舉例而言，cmp模塊610可包括一研磨墊(例如圖1a所示的102)以及一研磨頭(例如圖1a所示的103)。研磨頭(例如圖1a所示的103)包括一限位環(例如圖1a所示的106)以及一組噴氣頭(例如圖1a所示的112)。

如前所述，cmp工藝涉及到放置一cmp泥漿溶液至研磨墊上且使用研磨頭將晶圓608壓至研磨墊。cmp泥漿溶液中的化學品就如同將晶圓608壓至研磨墊的機械力是設計來使晶圓的表面大致平坦，且移除不需要的材料。再者，如前所述，cmp模塊610設計為選擇性地施加額外的壓力至晶圓608的不同的區域。進一步來說，cmp模塊610被設計為選擇性地施加額外的壓力至晶圓608的不同的非對稱地設定的區域。

cmp模塊610可接收控制模塊602傳來的控制模塊602的關于哪些區域需施加額外的壓力的指令。cmp模塊610可通過這些區域的噴氣頭所噴射的氣體來施加額外的壓力至這些區域。施加額外的壓力至具有較厚的厚度的這些區域，于cmp工藝之后晶圓608的輪廓可大致上更為平坦。

圖7為于一cmp工藝中，選擇性和非對稱地施加不同量的壓力至一晶圓的用于說明的系統(illustrativesystem)的流程圖。根據本例子，方法700包括一步驟702，用以測量晶圓的輪廓。如前所述，其可通過測量模塊(例如，圖6所示的604)來完成。通過測量晶圓的輪廓，可判定晶圓的一些區域具有大于一特定的厚度的一厚度。上述特定的厚度可為晶圓的一平均厚度。于一些例子中，特定的厚度可為一預定工藝的特定的厚度。舉例而言，特定的厚度可基于形成于晶圓內的裝置的設計的一特定的數值。

方法700還包括一步驟704，用以決定于一cmp工藝中針對一個或多個區域施加額外的壓力。舉例而言，假使晶圓的一確定的區域的厚度超過對應于特定的厚度的一誤差范圍的界線，然后這樣的區域可被判定為于cmp工藝中需施加額外的壓力的區域。

方法700還包括步驟706，用以基于一個或多個區域選擇薄膜。如前所述的多種尺寸的薄膜，每一種具有不同數目的區域，其可根據于此描述的原理來使用。一般而言，需要選擇具有適當尺寸的網格區域的薄膜來覆蓋晶圓的具有大于平均厚度的厚度的區域，可對晶圓不需要覆蓋的區域進行最小化的覆蓋。換句話說，應可避免施加額外的壓力至晶圓相對于特定的厚度不具有較厚的厚度的區域。

方法700還包括步驟708，用以利用薄膜于cmp工藝中來施加額外的壓力至一個或多個區域。換句話說，當實施cmp工藝時，噴氣頭可施加額外的壓力至薄膜的適當的網格區域，以使額外的壓力可被施加于晶圓的適當的區域。因此，具有大于特定厚度的較厚的厚度的部分可于cmp工藝中被平整。導致于cmp工藝之后的晶圓有更平坦的表面。

根據一例子，一方法包括測量一晶圓的一輪廓，以及判定晶圓的一第一部分具有大于一特定的厚度的一較厚的厚度。上述方法還包括于測量晶圓之后，實施一化學機械研磨(cmp)工藝至晶圓的一第一側，以及于cmp工藝的過程中，實施一額外的壓力至晶圓的一區域，區域包括晶圓的一非對稱部分，區域涵蓋至少部分晶圓的第一部分。

于一些實施例中，施加額外的壓力至區域的步驟還包括通過使用放置鄰近于晶圓的一薄膜來施加額外的壓力。

于一些實施例中，薄膜被分隔為一非圓形網格的多個區域。

于一些實施例中，非圓形網格包括一矩形網格。

于一些實施例中，薄膜包括沿著多個網格線延伸的多個堅固部以及網格線之間于區域內的多個多孔區域。

于一些實施例中，施加額外的壓力至薄膜的步驟中包括于薄膜的一特定區域供應一氣體至薄膜，以使氣體滲透薄膜且施加壓力至晶圓。

于一些實施例中，薄膜包括跨越多個網格區域的一單獨的多孔區域。

于一些實施例中，特定的厚度為晶圓的一平均厚度。

于一些實施例中，特定的厚度為一預定工藝的特定的厚度。

于一些實施例中，測量晶圓的輪廓的步驟是經由整合于實施cmp工藝的一cmp設備的一測量工具來實施。

根據一例子，一方法包括測量一晶圓的一輪廓，以及判定晶圓的一第一部分具有大于一特定的厚度的一較厚的厚度，將晶圓鄰近于一薄膜放置，以及當實施一化學機械研磨(cmp)工藝至晶圓的一第一側，利用薄膜來施加一額外的壓力至晶圓的一可選擇的區域，可選擇的區域對應于第一部分，區域對應于晶圓的一非對稱部分。

于一些實施例中，薄膜為具有不同尺寸的網格的多個薄膜中的一個。

于一些實施例中，薄膜包括對應于多個網格線的多個堅固部，以及位于網格線之間的多孔區域。

于一些實施例中，利用薄膜施加額外的壓力的步驟中包括通過對應于晶圓的第一部分的多孔區域中的一者供應氣體至晶圓的一第二側。

于一些實施例中，薄膜包括跨越每一多個噴氣頭的一單獨的多孔區域，且噴氣頭可被實施cmp工藝的一cmp設備所選擇。

于一些實施例中，區域可被一非圓形網格上的一cmp設備所選擇。

于一些實施例中，非圓形網格包括一矩形網格。

根據一例子，一種用以實施一化學機械研磨(cmp)工藝的一系統包括一測量模塊，用以確定的一晶圓的一輪廓以及一cmp模塊，包括一研磨墊、一限位環以及一研磨頭，用以施加可變的壓力至被限位環固定的晶圓的不同的部分，不同的部分于一非圓形網格上為可個別選擇的。上述系統還包括一控制模塊，用以判定晶圓的多個部分具有大于一特定的厚度的一較厚的厚度以及使研磨頭施加額外的壓力至晶圓的多個區域，其對應于具有大于一特定的厚度的一較厚的厚度的晶圓的部分。

于一些實施例中，測量模塊與cmp模塊整合于一單一的設備。

于一些實施例中，非圓形網格包括一矩形網格。

于前述多種實施例所提出的特征，可讓本領域技術人員能更加的了解本發明實施例的實施方式。本領域技術人員可了解到，他們可輕易的以本發明實施例為一基礎設計或是修正其他工藝以及結構，以實現本發明實施例相同的目的及/或達到前述實施例的一些技術效果。可了解的是，本領域技術人員可以相等的組件(equivalentconstruction)針對本發明實施例進行改變、替代與修改，并不超出本發明實施例的精神和范圍。

本發明實施例雖以各種實施例公開如上，然而其僅為范例參考而非用以限定本發明實施例的范圍，本領域技術人員在不脫離本發明實施例的精神和范圍內，可以適當做些許的變動與潤飾。因此上述實施例并非用以限定本發明實施例的保護范圍，本發明實施例的保護范圍應當根據后附的權利要求書所界定者為準。