本發(fā)明至少一實施例涉及一種蒸鍍掩模板及蒸鍍方法。

背景技術：

有機發(fā)光二極管顯示器是一種自發(fā)光的顯示裝置。有機發(fā)光二極管顯示器因具有功耗低、顯示亮度高、可視角度寬以及響應速度快等優(yōu)點，越來越受到市場的歡迎。

一般有機發(fā)光二極管包括陰極、功能層和陽極。功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子阻擋層以及電子注入層。功能層的成膜方法有很多種，其中，蒸鍍法由于具有操作簡單、膜厚容易控制以及易于實現(xiàn)摻雜等優(yōu)點，廣泛應用于形成發(fā)光層等功能膜層，即在真空環(huán)境下，將蒸鍍材料加熱使其蒸發(fā)，并沉積到目標基板上形成對應的膜層。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的至少一實施例提供一種蒸鍍掩模板及蒸鍍方法。采用該蒸鍍掩模板，既可以改善顯示器件的顯示效果，又可以保證顯示周邊區(qū)域位置無異常，從而保證產(chǎn)品外觀檢良率。

本發(fā)明的至少一實施例提供一種蒸鍍掩模板，包括遮擋區(qū)和呈陣列排列的多個蒸鍍區(qū)。多個蒸鍍區(qū)中的每個蒸鍍區(qū)整體為開口結構；遮擋區(qū)圍繞每個蒸鍍區(qū)設置，以分隔相鄰的蒸鍍區(qū)，并且該遮擋區(qū)設置有多個開孔結構。

本發(fā)明的至少一實施例提供一種蒸鍍方法，包括：利用上述蒸鍍掩模板在基板上蒸鍍形成形狀與開口結構形狀相同的膜層。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。

圖1為一種蒸鍍掩模板示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例提供的一種蒸鍍掩模板示意圖；

圖3為本發(fā)明另一實施例提供的一種蒸鍍掩模板示意圖；

圖4為本發(fā)明一實施例提供的蒸鍍方法示意圖。

附圖標記：01-蒸鍍掩模板；011-蒸鍍區(qū)；012-遮擋區(qū)；100-蒸鍍掩模板；110-蒸鍍區(qū)；111-開口結構；120-遮擋區(qū)；121-開孔結構；122-第一遮擋條；123-第二遮擋條；200-待蒸鍍基板；300-蒸鍍源。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本發(fā)明的實施例，本領域普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

除非另外定義，本發(fā)明使用的技術術語或者科學術語應當為本發(fā)明所屬領域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)在該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。

圖1為一種蒸鍍掩模板示意圖，如圖1所示，有機發(fā)光二極管顯示器件在制備過程中會使用具有開口結構的蒸鍍掩模板01蒸鍍公共層，該開口結構的形狀與待蒸鍍的公共層形狀相同，例如，尺寸相當。待蒸鍍的公共層一般是膜層厚度較厚的層，包括空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子阻擋層以及電子注入層等。蒸鍍掩模板01包括多個呈陣列排布的蒸鍍區(qū)011，和圍繞每個蒸鍍區(qū)011的遮擋區(qū)012，遮擋區(qū)012用來分隔每個相鄰的蒸鍍區(qū)011。在對蒸鍍區(qū)011對應的有機發(fā)光二極管顯示基板蒸鍍公共層的過程中，產(chǎn)生的一些直徑尺寸較大的顆粒容易附著在遮擋區(qū)012上。如果這些較大顆粒的尺寸在100微米以上，例如顆粒直徑尺寸在200微米左右，則會遮擋一部分蒸鍍區(qū)011的邊緣，會使蒸鍍后的公共層的邊緣出現(xiàn)不均勻現(xiàn)象，從而影響顯示區(qū)周邊，例如掃描驅動電路區(qū)的蒸鍍效果，以及顯示區(qū)的蒸鍍效果。在面板檢測時，點亮顯示區(qū)后會出現(xiàn)不同程度的暗點或者黑點，因此影響顯示區(qū)的外觀檢良率。另一方面，由于蒸鍍掩模板01與待蒸鍍基板之間距離非常近，例如可以是3微米，附著蒸鍍區(qū)011邊緣遮擋區(qū)012上的較大顆粒可能進一步附著在了蒸鍍基板上，影響顯示區(qū)周邊，例如掃描驅動電路區(qū)的蒸鍍效果，出現(xiàn)發(fā)黃或者黑點的現(xiàn)象，因而影響顯示區(qū)周邊的外觀檢良率。此外，在封裝時，一部分尺寸較大的顆粒附著在基板上會導致蓋板玻璃貼合不均勻以及產(chǎn)生漏氣等現(xiàn)象。

本發(fā)明至少一個實施例提供一種蒸鍍掩模板，包括遮擋區(qū)和呈陣列排列的多個蒸鍍區(qū)。多個蒸鍍區(qū)中的每個蒸鍍區(qū)整體為開口結構；遮擋區(qū)圍繞每個蒸鍍區(qū)設置，以分隔相鄰的蒸鍍區(qū)，并且該遮擋區(qū)設置有多個開孔結構。采用該蒸鍍掩模板，既可以改善顯示器件的顯示效果，又可以保證顯示周邊區(qū)域位置無異常，從而保證產(chǎn)品外觀檢良率。

本發(fā)明的至少一個實施例提供一種蒸鍍方法，包括利用上述蒸鍍掩模板在基板上蒸鍍形成形狀與開口結構形狀相同的膜層。在該蒸鍍方法中采用上述蒸鍍掩模板依次蒸鍍膜層，既可以改善顯示器件的顯示效果，又可以保證顯示周邊區(qū)域位置無異常，從而保證產(chǎn)品外觀檢良率。

以下通過幾個實施例予以說明。

實施例一

本實施例提供一種蒸鍍掩模板，如圖2所示，蒸鍍掩模板100，包括遮擋區(qū)120和呈陣列排列的多個蒸鍍區(qū)110。多個蒸鍍區(qū)110中的每個蒸鍍區(qū)110整體為開口結構111；遮擋區(qū)120圍繞每個蒸鍍區(qū)110設置，以分隔相鄰的蒸鍍區(qū)110，并且，遮擋區(qū)120設置有多個開孔結構121。開孔結構121可通過刻蝕形成，在此不做限制。如圖2示出的遮擋區(qū)120圍繞每個蒸鍍區(qū)110設置，即對于每個蒸鍍掩模板單元，包括一個具有開口結構111的蒸鍍區(qū)110和圍繞蒸鍍區(qū)110四周的遮擋區(qū)120，其中的遮擋區(qū)120可以分隔相鄰的蒸鍍掩模板單元中的蒸鍍區(qū)110。

本實施例中的遮擋區(qū)120可阻擋蒸鍍材料在設置遮擋區(qū)120的基板區(qū)域的蒸鍍。具有開口結構111的蒸鍍區(qū)110可以透過蒸鍍材料，對待蒸鍍的基板，例如有機發(fā)光二極管顯示基板與蒸鍍區(qū)110對應的區(qū)域進行蒸鍍。需要說明的是，本實施例中的蒸鍍區(qū)110主要用于蒸鍍有機發(fā)光二極管顯示基板中的公共層部分，以此提高發(fā)光效率。一般在蒸鍍公共層的過程中，由于熱沖擊作用，蒸鍍源產(chǎn)生的直徑較大的顆粒容易附著在遮擋區(qū)部分，隨著蒸鍍源依次蒸鍍有機發(fā)光二極管顯示基板中的公共層，附著在遮擋區(qū)部分的顆粒會繼續(xù)積聚變大，以至于影響蒸鍍效果。本實施例采用在遮擋區(qū)120設置開孔結構121，減少了大顆粒可附著在遮擋區(qū)120上的面積，可以有效減少顆粒在遮擋區(qū)120上的附著力，從而減少大顆粒的附著量，提高蒸鍍效果。需要說明的是，本實施例以蒸鍍掩模板100蒸鍍有機發(fā)光二極管顯示基板為例進行描述，但并不限于此，還可以是其他基板。

例如，在蒸鍍第一層公共層時，一部分較大顆粒會由于遮擋區(qū)120上存在開孔結構121，減小了遮擋區(qū)120上可以附著的面積，難以附著在遮擋區(qū)120上；另一部分附著在遮擋區(qū)120上的較大顆粒會在蒸鍍后續(xù)公共層過程中聚集其他小顆粒，形成更大的顆粒。新形成的大顆粒重力增加，但在遮擋區(qū)120上的附著面積不足以維持其繼續(xù)附著，從而會掉落，以達到減少大尺寸顆粒附著量的目的。因此，本實施例中在遮擋區(qū)120設置開孔結構121，能夠有效防止后續(xù)蒸鍍過程中顆粒集聚現(xiàn)象的產(chǎn)生，防止顆粒直徑持續(xù)增大，從而提高顯示區(qū)蒸鍍效果，改善顯示區(qū)的均勻性，保證顯示周邊區(qū)域無異常。

例如，如圖2所示，蒸鍍區(qū)110中的虛線框表示每個蒸鍍區(qū)110整體為開口結構111，開口結構111的形狀與待蒸鍍的公共層的形狀相同，例如，尺寸相當。需要說明的是，開口結構111對應的待蒸鍍的基板除了顯示區(qū)，還包括顯示周邊區(qū)域，例如掃描驅動電路區(qū)。由于蒸鍍掩模板100與待蒸鍍基板之間距離非常近，例如，可以是3微米，掃描驅動電路區(qū)的周邊容易被較大的顆粒附著。因此，本實施例中在遮擋區(qū)120設置開孔結構121，可以有效避免較大顆粒附著在掃描驅動電路區(qū)的周邊，從而解決顯示周邊區(qū)域產(chǎn)生發(fā)黃或黑點等外觀檢不良的問題。

例如，每個蒸鍍區(qū)110的開口結構111可以透過蒸鍍材料，對待蒸鍍的有機發(fā)光二極管顯示基板與開口結構111對應的區(qū)域進行蒸鍍。例如，蒸鍍的公共層可以共同覆蓋多個像素電極，即，可以共同形成在多個像素上。例如，公共層可以設置在電極與發(fā)光層之間，作為載流子傳輸層應用于各像素。需要說明的是，每個蒸鍍區(qū)110蒸鍍的公共層對應一個有機發(fā)光二極管顯示基板的公共層，因此，該蒸鍍掩模板100包括呈陣列排列的多個蒸鍍區(qū)110，即該蒸鍍掩模板100可以同時蒸鍍多個待蒸鍍基板。

例如，蒸鍍的公共層中的至少一層取決于發(fā)光層的材料和發(fā)光性質。例如，公共層可以包括空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層和陰極層中的至少之一。

例如，空穴注入層包括具有金屬復合物的導電聚合物。空穴注入層可以包括銅酞菁的酞菁化合物、聚苯胺/十二烷基苯磺酸、聚苯胺/樟腦磺酸或聚苯胺等，但空穴注入層不限于此。

例如，空穴傳輸層可以包括聚乙烯咔唑等的咔唑衍生物、或者具有芳香縮合環(huán)化合物的胺衍生物等，但空穴傳輸層不限于此。例如，空穴傳輸層可以減小空穴注入層和發(fā)光層間的能級差，以提高注入電極層的空穴遷移率。

例如，電子傳輸層形成在發(fā)光層上，可以包括喹啉衍生物等材料以提高電子遷移率，以實現(xiàn)電荷平衡，但是電子傳輸層不限于此。

例如，電子注入層形成在電子傳輸層上，電子注入層包括諸如氟化鋰、氯化鈉、氧化鋇等的材料，但是電子注入層不限于此。

例如，陰極層可由高導電性和低功函數(shù)的材料形成，陰極層的材料可以由鋰、鎂、鈣、鋁、銀、鋇或其合金制成，但是陰極材料不限于此。例如，陰極層可以是透射電極層或反射電極層。當陰極層是透射電極層時，陰極層的材料包括上述的透明導電材料。當陰極層是反射電極層時，陰極層包括金屬反射層。

例如，蒸鍍區(qū)110不限于蒸鍍上述公共層，還可以用于蒸鍍有機發(fā)光二極管顯示基板的增加光輸出膜層等，本發(fā)明的實施例不限于此。

例如，遮擋區(qū)120的材料可以包括樹脂材料或金屬材料，例如，金屬材料可選自不銹鋼、鎳、鈷、鎳合金、鎳鈷合金中的一種或多種，本發(fā)明的實施例不限于此。

例如，遮擋區(qū)120的材料的耐受溫度大于等于200℃，從而在高溫蒸鍍過程中，能夠避免蒸鍍溫度過高而減少遮擋區(qū)120的使用壽命。

如圖2所示，多個開孔結構121設置在遮擋區(qū)120靠近每個蒸鍍區(qū)110的區(qū)域。需要說明的是，圖2是遮擋區(qū)120上的開孔結構121的示范性示意圖，實際的開孔結構121尺寸非常小。例如，如圖2中遮擋區(qū)120上的開孔結構121排列在每個蒸鍍區(qū)110周圍的一圈只是示范性示意圖，本實施例不限于此，還可以是兩圈等。例如，多個開孔結構121中的每個開孔結構121的尺寸可以相同也可以不同。

例如，多個開孔結構121設置在圍繞每個蒸鍍區(qū)110的寬度為60微米的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)。例如，遮擋區(qū)120遮擋的區(qū)域存在一部分不用于發(fā)光的發(fā)光層，使蒸鍍掩模板100中蒸鍍區(qū)110的開口結構111的尺寸被限制在一定的級別以上，可以使發(fā)光層用于發(fā)光的部分的尺寸級別小于蒸鍍掩模板100中開口結構111的尺寸級別。例如，在待蒸鍍的基板上被遮擋區(qū)120遮擋的區(qū)域存在兩圈不用于發(fā)光的發(fā)光層，這兩圈不用于發(fā)光的發(fā)光層設置在圍繞每個蒸鍍區(qū)110的寬度為60微米的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)，本實施例不限于此。本實施例在每個靠近蒸鍍區(qū)110的區(qū)域設置多個開孔結構121，可以減少較大尺寸顆粒在此區(qū)域的附著，從而減少較大尺寸顆粒覆蓋在蒸鍍區(qū)110邊緣，影響蒸鍍效果。進一步，還可以防止大顆粒在此區(qū)域聚集，避免蒸鍍不均勻，出現(xiàn)不同程度的暗點等，從而提高顯示區(qū)蒸鍍效果。此外，通過減少較大尺寸顆粒在此區(qū)域的附著，可以降低顆粒附著在掃描驅動電路區(qū)的周邊以及玻璃膠層印刷區(qū)的幾率，避免出現(xiàn)不同程度的黑點，并且防止大顆粒導致的貼合不均勻以及漏氣現(xiàn)象的產(chǎn)生等。

例如，多個開孔結構121貫通遮擋區(qū)120，本實施例不限于此。

例如，考慮到避免蒸鍍材料對遮擋區(qū)120遮擋的非顯示區(qū)域基板的影響，多個貫通的開孔結構121的每個沿平行于蒸鍍掩模板100截取的橫截面的最大尺寸為30微米-60微米，本實施例不限于此。需要說明的是，根據(jù)實際需要，多個開孔結構121的每個沿平行于蒸鍍掩模板100截取的橫截面的最大尺寸還可以小于30微米。

例如，如圖2所示，多個開孔結構121的形狀為矩形，開孔結構121的每個沿平行于蒸鍍掩模板100截取的橫截面的最大尺寸，即矩形的對角線尺寸為30微米-60微米。但本發(fā)明的實施例不限于此，還可以是菱形等。

例如，多個開孔結構121的每個沿平行于蒸鍍掩模板100截取的橫截面的形狀包括圓形或多邊形。例如，當開孔結構121的形狀為圓形時，開孔結構121的每個沿平行于蒸鍍掩模板100截取的橫截面的最大尺寸，即為圓形的直徑。需要說明的是，開孔結構121的形狀在此并不做限定。

例如，多個開孔結構121的每個沿平行于蒸鍍掩模板100截取的橫截面的最大尺寸為50微米。

例如，多個開孔結構121的間隔為30微米-40微米，本實施例在此并不做限定。

實施例二

本實施例提供一種蒸鍍掩模板，如圖3所示，蒸鍍掩模板100中的遮擋區(qū)120包括多條第一遮擋條122和多條第二遮擋條123，多條第一遮擋條122沿第一方向延伸，多條第二遮擋條123沿第二方向延伸，第一遮擋條122以及第二遮擋條123交叉設置。這里的第一方向指如圖3中的x方向，第二方向指與x方向垂直的方向，即y方向。需要說明的是，第一方向與第二方向可以互換，并且第一方向與第二方向之間的夾角不限于圖3中所示的90度。例如，第一遮擋條122和第二遮擋條123交叉限制多個蒸鍍區(qū)110的區(qū)域，使每個蒸鍍區(qū)110整體為開口結構111。第一遮擋條122和第二遮擋條123上設置有多個開孔結構121，需要說明的是，圖3示出了開孔結構121的示范性示意圖，實際的開孔結構121尺寸非常小。如圖3中多條第一遮擋條122和多條第二遮擋條123上的開孔結構121排列在每個蒸鍍區(qū)110周圍的一圈只是示范性示意圖，本實施例不限于此，還可以是兩圈等。例如，多個開孔結構121中的每個開孔結構121的尺寸可以相同也可以不同。例如，多個開孔結構121設置在圍繞每個蒸鍍區(qū)110的寬度為60微米的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)。

如圖3所示，例如，多條第一遮擋條122以及多條第二遮擋條123垂直交叉設置以限定多個具有矩形形狀的蒸鍍區(qū)110，即每個蒸鍍區(qū)110整體為矩形開口結構111。例如，上述的矩形可以包括正方形，當然，本發(fā)明實施例包括但不限于此。

例如，多個開孔結構121設置在第一遮擋條122和第二遮擋條123靠近每個蒸鍍區(qū)110周圍的遮擋區(qū)。例如，本實施例中在第一遮擋條122和第二遮擋條123設置多個開孔結構121，開孔結構121可通過刻蝕形成，本實施例在此并不做限定。由于減少了顆粒可附著在第一遮擋條122和第二遮擋條123上的面積，可以減小顆粒的附著力，一方面使一部分較大的顆粒難以附著在第一遮擋條122和第二遮擋條123上；另一方面，附著在第一遮擋條122和第二遮擋條123上的一部分較大顆粒，在后續(xù)蒸鍍過程中，顆粒集聚后產(chǎn)生的更大顆粒容易掉落在待蒸鍍基板之外，從而提高顯示區(qū)蒸鍍效果，改善顯示區(qū)域的均勻性，保證顯示周邊區(qū)域無異常。

如圖3所示，例如，每條第一遮擋條122以及每條第二遮擋條123是單獨形成并焊接在一起。一般蒸鍍掩模板的遮擋區(qū)是整體制成的金屬框架，蒸鍍源產(chǎn)生的大顆粒容易附著在遮擋區(qū)，當一部分遮擋區(qū)附著的大顆粒嚴重影響蒸鍍效果時，需要將遮擋區(qū)整體換掉，浪費資源。本實施例中的多條第一遮擋條122和多條第二遮擋條123可以分別單獨形成，例如，多條第一遮擋條122和多條第二遮擋條123通過垂直交叉焊接以限定具有矩形形狀的多個蒸鍍區(qū)110。當其中任一條遮擋條上附著的大顆粒影響蒸鍍效果時，可以單獨將該遮擋條拆下來，并重新焊接新的遮擋條，而其他沒有影響蒸鍍效果的遮擋條就可以重復利用。因而蒸鍍掩模板100中大部分遮擋條可以重復利用，節(jié)省材料。

例如，圖3示出的蒸鍍掩模板100的每個蒸鍍區(qū)110四周的遮擋條可以單獨焊接形成，即兩條第一遮擋條122與兩條第二遮擋條123交叉并圍繞一個蒸鍍區(qū)110以形成一個蒸鍍掩模板單元。其中的任一條第一遮擋條122與第二遮擋條123可以分隔相鄰蒸鍍單元中的蒸鍍區(qū)110。當每個蒸鍍區(qū)110四周的任何一條遮擋條附著的大顆粒影響蒸鍍效果時，可以單獨將該遮擋條拆下來，并重新焊接新的遮擋條，而其他沒有影響蒸鍍效果的遮擋條就可以重復利用。因而蒸鍍掩模板100中大部分遮擋條可以重復利用，節(jié)省材料。

例如，圖3示出的蒸鍍掩模板100的邊緣的兩條第一遮擋條122和兩條第二遮擋條123可以作為整體形成，以作為蒸鍍掩模板100最外側的框架。其他的多條第一遮擋條122和多條第二遮擋條123的兩端可以分別焊接在框架上，以形成遮擋區(qū)120。

例如，每個蒸鍍區(qū)110的形狀還可以包括多邊形或圓形。根據(jù)實際需要的蒸鍍基板圖案的形狀，遮擋區(qū)120的遮擋條可將蒸鍍區(qū)110限定并劃分為與所需要的蒸鍍基板圖案的形狀相同的形狀，例如，多邊形、三角形或圓形等。在這種情況下，本實施例提供的蒸鍍掩模板100只需重新焊接遮擋條，便可應用于不同形狀的蒸鍍基板圖案的蒸鍍工藝中，可減少蒸鍍掩模板100的開發(fā)成本。

例如，多條第一遮擋條122和多條第二遮擋條123的材料可包括樹脂材料或金屬材料，金屬材料可選自不銹鋼、鎳、鈷、鎳合金、鎳鈷合金中的一種或多種，本發(fā)明的實施例不限于此。

實施例三

本實施例提供一種蒸鍍方法，如圖4所示，包括：利用上述任一種蒸鍍掩模板在基板200上蒸鍍形成形狀與開口結構111形狀相同的膜層，例如，膜層包括待蒸鍍的公共層。蒸鍍掩模板上的遮擋區(qū)120是如圖3所示的沿A-A'方向的截面示意圖，遮擋區(qū)120上的開孔結構121沒有示出。

例如，蒸鍍源300位于蒸鍍掩模板的一側，基板200位于蒸鍍掩模板相對于蒸鍍源300的另一側。例如，如圖4所示，蒸鍍源300位于蒸鍍掩模板的下方，基板200位于蒸鍍掩模板的上方。當蒸鍍源300對基板200蒸鍍材料時，遮擋區(qū)120可阻擋蒸鍍材料在設置遮擋區(qū)120的基板200區(qū)域的蒸鍍，蒸鍍源300通過多個蒸鍍區(qū)110的開口結構111向基板200蒸鍍公共層，例如，金屬膜層或有機膜層等。

例如，蒸鍍掩膜板中位于遮擋區(qū)120上的多個開孔結構設置在圍繞每個蒸鍍區(qū)110的60微米的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)，本實施例不限于此。遮擋區(qū)120上設置多個開孔結構121一方面可以使大尺寸顆粒難以附著在遮擋區(qū)120上；另一方面，使一部分附著在遮擋區(qū)120上的較大顆粒，在蒸鍍后續(xù)公共層過程中聚集其他小顆粒形成的更大的顆粒因重力作用掉落。因此，可以減少大尺寸顆粒附著量，改善蒸鍍效果。

需要說明的是，本發(fā)明以蒸鍍掩模板蒸鍍有機發(fā)光二極管顯示基板的公共層為例進行描述，但并不限于此，還可以是其他基板或其他層。需要說明的是，每個蒸鍍區(qū)110蒸鍍的公共層對應一個有機發(fā)光二極管顯示基板的公共層，因此，該蒸鍍掩模板包括多個呈陣列排列的蒸鍍區(qū)110，即該蒸鍍掩模板可以同時蒸鍍多個待蒸鍍基板。

例如，公共層中的至少一層取決于發(fā)光層的材料和發(fā)光性質。例如，公共層可以包括空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層和陰極層中的至少之一。

例如，空穴注入層包括具有金屬復合物的導電聚合物。空穴注入層可以包括銅酞菁的酞菁化合物、聚苯胺/十二烷基苯磺酸、聚苯胺/樟腦磺酸或聚苯胺等，但空穴注入層不限于此。

例如，空穴傳輸層包括聚乙烯咔唑等的咔唑衍生物、或者具有芳香縮合環(huán)化合物的胺衍生物等，但空穴傳輸層不限于此。

例如，電子傳輸層形成在發(fā)光層上，包括喹啉衍生物等，以提高電子遷移率，以實現(xiàn)電荷平衡。但是電子傳輸層不限于此。

例如，電子注入層形成在電子傳輸層上。電子注入層包括諸如氟化鋰、氯化鈉、氧化鋇等的材料，但是電子注入層不限于此。

例如，陰極層可由高導電性和低功函數(shù)的材料形成，陰極層的材料可以由鎂、鈣、鋁、銀、鋇或其合金制成，但是陰極材料不限于此。

例如，蒸鍍區(qū)110不限于蒸鍍上述公共層，還可以用于蒸鍍有機發(fā)光二極管顯示基板的增加光輸出膜層等，本發(fā)明不限于此。

在該蒸鍍方法中采用上述蒸鍍掩模板蒸鍍公共層，可以改善有機發(fā)光二極管顯示器件的顯示效果，保證顯示周邊區(qū)域位置無異常，從而保證產(chǎn)品外觀檢良率。

有以下幾點需要說明：

(1)除非另作定義，本發(fā)明實施例以及附圖中，同一標號代表同一含義。

(2)本發(fā)明實施例附圖中，只涉及到與本發(fā)明實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。

(3)為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大。可以理解，當諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。