1.一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：包括蒸發源陣列、基板、傳動裝置，蒸發源陣列由若干個蒸發源排列而成，蒸發源中的材料受熱形成分子流垂直向上蒸發至基板，通過傳動裝置帶動基板或蒸發源陣列的移動，完成基板的蒸鍍，進而形成OLED器件。
2.根據權利要求1所述的一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：所述蒸發源陣列中每個蒸發源中只裝一種子像素蒸發材料，三個蒸發源為一個基礎單位，且三個蒸發源分別放置紅綠藍三種顏色的子像素蒸發材料，一個基礎單位中放置紅綠藍三種顏色發子像素材料的蒸發源位置是可調的。
3.根據權利要求1所述的一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：所述蒸發源陣列中的各蒸發源相互之間單獨進行控制。
4.根據權利要求1至3任一所述的一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：所述蒸發源的蒸發頭直徑為1μm ~200μm，蒸發頭間距為5μm ~400μm。
5.根據權利要求4所述的一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：所述蒸發源內放置的子像素蒸發材料垂直向上蒸發；所述掩膜板置于基板前方，掩膜版與基板的距離為0~500μm，蒸發頭到基板的距離為10μm~10cm。
6.根據權利要求1所述的一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：所述蒸發源陣列中每個蒸發源均只放置一種蒸發材料；所述蒸發材料包括陰極材料、陽極材料、電子注入層材料、電子傳輸層材料、空穴注入層材料、空穴傳輸層材料、發光層材料。
7.根據權利要求1、2、3、6任一所述的一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：所述蒸發源的蒸發頭直徑為1μm ~200μm，蒸發頭間距為5μm ~400μm。
8.根據權利要求7所述的一種高精度OLED器件的制備裝置，其特征在于：所述蒸發源內放置的蒸發材料垂直向上蒸發；所述掩膜板置于基板前方，掩膜版與基板的距離為0~500μm，蒸發頭到基板的距離為10μm~10cm。
9.一種基于權利要求1裝置的高精度OLED器件制備方法，其特征在于：包括如下步驟，
S1、處理基板：將基板清洗后，烘干或吹干；
S2、蒸鍍各功能層：將步驟S1處理后的基板置于真空腔內，通過加熱使得蒸發源中的材料受熱形成分子流垂直向上蒸發，并通過傳動裝置帶動基板或蒸發源陣列的移動，依次完成各功能層的蒸鍍，從而形成OLED器件。