技術(shù)特征：

1.一種稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，在襯底材料表面生長(zhǎng)具有與稀土鎳基鈣鈦礦氧化物材料晶格參數(shù)相近，在所使用生長(zhǎng)條件下處于熱力學(xué)穩(wěn)定狀態(tài)的氧化物材料緩沖層；在緩沖層表面進(jìn)一步利用真空沉積法沉積稀土鎳基鈣鈦礦氧化物薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述稀土鎳基鈣鈦礦氧化物材料的晶體結(jié)構(gòu)為ABO₃的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)ReNiO₃：Re位為單一稀土元素或多種稀土元素的組合，包括釤、釹、銪、鐠、釤釹、釤鐠、銪釹、銪鋪，鎳元素占據(jù)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的B位，其中釤釹Re＝Sm_xNd_1-x，0<x<1；釤鐠Re＝Sm_xPr_1-x，0<x<1；銪釹Re＝Eu_xNd_1-x，0<x<1；銪鋪Re＝Eu_xPr_1-x，0<x<1。

3.如權(quán)利要求1所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述氧化物材料緩沖層與所需生長(zhǎng)稀土鎳基鈣鈦礦氧化物材料相近的晶格參數(shù)，晶格參數(shù)差別不超過5％；緩沖層為多晶材料，與襯底無外延關(guān)系，其厚度在5-500納米范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1或3所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述緩沖層材料的組分包括：鍶銣氧SrRuO₃、鈦酸鍶SrTiO₃、鑭摻雜鈦酸鍶La_0.4Sr_0.6TiO₃、釹摻雜鈦酸鍶SrNd_0.2Ti_0.8O₃、鈦酸鋇BaTiO₃、鈦酸鈣CaTiO₃。

5.如權(quán)利要求1所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述襯底材料包括單晶硅、多晶硅、玻璃、石英、單晶鍺、多晶鍺。

6.如權(quán)利要求1所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述真空沉積方法主要包括：脈沖激光沉積法、磁控濺射法、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法。

7.如權(quán)利要求1或6所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，脈沖激光沉積法生長(zhǎng)緩沖層：沉積背景氣體為氧氣，沉積壓力在0.01-100帕斯卡，沉積溫度200-1000攝氏度；脈沖激光沉積法生長(zhǎng)稀土鎳基氧化物：沉積背景氣體為氧氣，沉積壓力在0.1-100帕斯卡，沉積溫度200-1000攝氏度。

8.如權(quán)利要求1或6所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，磁控濺射法生長(zhǎng)緩沖層：沉積背景氣體為氧氣氬氣混合氣體，沉積壓力在0.1-100帕斯卡，沉積溫度200-1000攝氏度；磁控濺射法生長(zhǎng)稀土鎳基氧化物：沉積背景氣體為氧氣氬氣混合氣體，沉積壓力在0.1-100帕斯卡，沉積溫度200-1000攝氏度。

9.如權(quán)利要求1或6所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)稀土鎳基氧化物：使用含有Ni、稀土元素的有機(jī)氣源與氧氣的混合氣體，生長(zhǎng)壓力1-1000帕斯卡，生長(zhǎng)溫度200-1000攝氏度。

10.如權(quán)利要求9所述的稀土鎳基氧化物多晶薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述含有Ni、稀土元素的有機(jī)氣源，Ni選擇Ni(tmhd)₂，稀土元素的有機(jī)氣源選擇Re(tmhd)₂。