本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種PECVD鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；在PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最后的鈍化保護(hù)層，提高集成電路的可靠性。現(xiàn)有的PECVD鍍膜裝置鍍膜均勻性差，鍍膜效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種PECVD鍍膜裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種PECVD鍍膜裝置, 包括雙層石英管，所述雙層石英管端部設(shè)有法蘭，所述雙層石英管內(nèi)腔設(shè)有鍍膜腔，所述鍍膜腔外壁上固定有感應(yīng)線圈，所述法蘭上設(shè)有第一工藝進(jìn)氣口和第二工藝進(jìn)氣口，且所述第一工藝進(jìn)氣口、所述第二工藝進(jìn)氣口連接設(shè)置在鍍膜腔內(nèi)部的氣體穩(wěn)流裝置，所述雙層石英管一側(cè)和底部均開(kāi)有通孔，且側(cè)壁的通孔內(nèi)穿設(shè)抽真空管，且所述抽真空管連通鍍膜腔，所述抽真空管連接抽真空設(shè)備，底部的通孔內(nèi)穿設(shè)有尾氣排放管，且所述尾氣排放管連通鍍膜腔，所述尾氣排放管連接尾氣處理裝置。

優(yōu)選的，所述氣體穩(wěn)流裝置包括穩(wěn)流體、進(jìn)氣口、蜂窩片、氣體調(diào)整器、出氣口和過(guò)濾片，所述穩(wěn)流體的一端設(shè)有進(jìn)氣口，所述穩(wěn)流體的另一端設(shè)有出氣口，所述穩(wěn)流體的內(nèi)部設(shè)有蜂窩片、氣體調(diào)整器，所述蜂窩片位于進(jìn)氣口的一端，所述蜂窩片連接氣體調(diào)整器，所述氣體調(diào)整器的出口通過(guò)過(guò)濾片連接出氣口，所述氣體調(diào)整器內(nèi)包括多個(gè)氣流調(diào)節(jié)格柵，且所述氣流調(diào)節(jié)格柵呈錐形。

優(yōu)選的，所述感應(yīng)線圈包括耦合式感應(yīng)線圈原邊和耦合式感應(yīng)線圈副邊，所述耦合式感應(yīng)線圈原邊套在耦合式感應(yīng)線圈副邊外側(cè)，所述耦合式感應(yīng)線圈原邊采用柱形中空結(jié)構(gòu)，所述耦合式感應(yīng)線圈副邊采用錐形中空結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，還包括第一電磁閥、第二電磁閥、第三電磁閥和第四電磁閥，所述第一電磁閥和第二電磁閥分別安裝在第一工藝進(jìn)氣口和第二工藝進(jìn)氣口處，所述第三電磁閥安裝在抽真空管上，所述第四電磁閥安裝在尾氣排放管上。

優(yōu)選的，其使用方法包括以下步驟：

A、將硅片放入鍍膜腔中，關(guān)閉第一電磁閥、第二電磁閥、第四電磁閥，打開(kāi)第三電磁閥，對(duì)鍍膜腔進(jìn)行抽真空，真空度為1.5×10^-2pa-1.8×10^-2pa后，關(guān)閉第三電磁閥，打開(kāi)第一電磁閥，通入高純度氬氣，通入氬氣流量為20L-40L/min，通入時(shí)間為5min-10min，之后關(guān)閉第一電磁閥；

B、開(kāi)啟中頻電源，使感應(yīng)線圈工作，控制輸出功率 8KW-10KW，之后緩慢打開(kāi)第三電磁閥，降低鍍膜腔內(nèi)真空，直至達(dá)到1.1×10^-2pa；

C、關(guān)閉第三電磁閥，打開(kāi)第二電磁閥，通入甲烷，通入的甲烷流量為5L-8L/min，通入時(shí)間為5min-10min，之后關(guān)閉第二電磁閥；

D、待鍍膜腔內(nèi)真空度降至0.7×10^-2pa時(shí)，打開(kāi)第四電磁閥，排出未反應(yīng)的尾氣。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明結(jié)構(gòu)原理簡(jiǎn)單，采用的氣體穩(wěn)流裝置，能夠快速調(diào)節(jié)鍍膜腔內(nèi)的氣流，確保鍍膜的均勻性，而且氣體穩(wěn)流裝置中氣體調(diào)整器采用錐形氣流調(diào)節(jié)格柵，能夠?qū)饬髌鸬綄?dǎo)向作用；采用的感應(yīng)線圈體積小，耦合性能高，能夠提高鍍膜質(zhì)量和效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的氣體穩(wěn)流裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的感應(yīng)線圈結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、雙層石英管；2、法蘭；3、鍍膜腔；4、感應(yīng)線圈；5、第一工藝進(jìn)氣口；6、第二工藝進(jìn)氣口；7、氣體穩(wěn)流裝置；8、通孔；9、抽真空管；10、抽真空設(shè)備；11、尾氣排放管；12、尾氣處理裝置；13、穩(wěn)流體；14、進(jìn)氣口；15、蜂窩片；16、氣體調(diào)整器；17、出氣口；18、過(guò)濾片；19、氣流調(diào)節(jié)格柵；20、耦合式感應(yīng)線圈原邊；21、耦合式感應(yīng)線圈副邊；22、第一電磁閥；23、第二電磁閥；24、第三電磁閥；25、第四電磁閥。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1-3，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案：一種PECVD鍍膜裝置, 包括雙層石英管1，雙層石英管1端部設(shè)有法蘭2，雙層石英管1內(nèi)腔設(shè)有鍍膜腔3，鍍膜腔3外壁上固定有感應(yīng)線圈4，法蘭2上設(shè)有第一工藝進(jìn)氣口5和第二工藝進(jìn)氣口6，且第一工藝進(jìn)氣口5、第二工藝進(jìn)氣口6連接設(shè)置在鍍膜腔3內(nèi)部的氣體穩(wěn)流裝置7，雙層石英管1一側(cè)和底部均開(kāi)有通孔8，且側(cè)壁的通孔內(nèi)穿設(shè)抽真空管9，且抽真空管9連通鍍膜腔3，抽真空管9連接抽真空設(shè)備10，底部的通孔內(nèi)穿設(shè)有尾氣排放管11，且尾氣排放管11連通鍍膜腔3，尾氣排放管11連接尾氣處理裝置12。

本實(shí)施例中，氣體穩(wěn)流裝置包括穩(wěn)流體13、進(jìn)氣口14、蜂窩片15、氣體調(diào)整器16、出氣口17和過(guò)濾片18，穩(wěn)流體13的一端設(shè)有進(jìn)氣口14，穩(wěn)流體13的另一端設(shè)有出氣口17，穩(wěn)流體13的內(nèi)部設(shè)有蜂窩片15、氣體調(diào)整器16，蜂窩片15位于進(jìn)氣口14的一端，蜂窩片15連接氣體調(diào)整器16，氣體調(diào)整器16的出口通過(guò)過(guò)濾片18連接出氣口17，氣體調(diào)整器16內(nèi)包括多個(gè)氣流調(diào)節(jié)格柵19，且氣流調(diào)節(jié)格柵19呈錐形，本發(fā)明采用的氣體穩(wěn)流裝置，能夠快速調(diào)節(jié)鍍膜腔內(nèi)的氣流，確保鍍膜的均勻性，而且氣體穩(wěn)流裝置中氣體調(diào)整器采用錐形氣流調(diào)節(jié)格柵，能夠?qū)饬髌鸬綄?dǎo)向作用。

本實(shí)施例中，感應(yīng)線圈4包括耦合式感應(yīng)線圈原邊20和耦合式感應(yīng)線圈副邊21，耦合式感應(yīng)線圈原邊20套在耦合式感應(yīng)線圈副邊21外側(cè)，耦合式感應(yīng)線圈原邊20采用柱形中空結(jié)構(gòu)，耦合式感應(yīng)線圈副邊21采用錐形中空結(jié)構(gòu)，本發(fā)明采用的感應(yīng)線圈體積小，耦合性能高，能夠提高鍍膜質(zhì)量和效率。

本實(shí)施例中，還包括第一電磁閥22、第二電磁閥23、第三電磁閥24和第四電磁閥25，第一電磁閥22和第二電磁閥23分別安裝在第一工藝進(jìn)氣口5和第二工藝進(jìn)氣口6處，第三電磁閥24安裝在抽真空管9上，第四電磁閥25安裝在尾氣排放管11上。

本發(fā)明的使用方法包括以下步驟：

A、將硅片放入鍍膜腔中，關(guān)閉第一電磁閥、第二電磁閥、第四電磁閥，打開(kāi)第三電磁閥，對(duì)鍍膜腔進(jìn)行抽真空，真空度為1.5×10^-2pa-1.8×10^-2pa后，關(guān)閉第三電磁閥，打開(kāi)第一電磁閥，通入高純度氬氣，通入氬氣流量為20L-40L/min，通入時(shí)間為5min-10min，之后關(guān)閉第一電磁閥；

B、開(kāi)啟中頻電源，使感應(yīng)線圈工作，控制輸出功率 8KW-10KW，之后緩慢打開(kāi)第三電磁閥，降低鍍膜腔內(nèi)真空，直至達(dá)到1.1×10^-2pa；

C、關(guān)閉第三電磁閥，打開(kāi)第二電磁閥，通入甲烷，通入的甲烷流量為5L-8L/min，通入時(shí)間為5min-10min，之后關(guān)閉第二電磁閥；

D、待鍍膜腔內(nèi)真空度降至0.7×10^-2pa時(shí)，打開(kāi)第四電磁閥，排出未反應(yīng)的尾氣。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。