1.一種在LED燈帶表面形成納米層的設備，其特征在于：包括升華爐、裂解爐、沉積罐、冷阱和真空泵；所述升華爐的輸入端與裂解爐的輸入端連通，所述裂解爐的輸出端與沉積罐的輸入端連接，所述沉積罐內形成涂裝空間，在涂裝空間的底部設有用于放置LED燈帶的托盤，所述沉積罐的輸入端位于沉積罐的上部，所述沉積罐的中部設有余料輸出口，所述余料輸出口與冷阱頂部的輸入口連通，所述冷阱內的底部設有收集盤，所述真空泵的輸入端與冷阱連通。
2.根據權利要求1所述的一種在LED燈帶表面形成納米層的設備，其特征在于：所述沉積罐為圓柱體，托盤的底部設有驅動托盤旋轉的旋轉電機。
3.根據權利要求1所述的一種在LED燈帶表面形成納米層的設備，其特征在于：所述升華爐包括第一爐體和對第一爐體加熱到150-200℃的第一加熱裝置。
4.根據權利要求1所述的一種在LED燈帶表面形成納米層的設備，其特征在于：所述升裂解爐包括第二爐體和對第二爐體加熱到650-700℃的第二加熱裝置。
5.一種如權利要求1所述的在LED燈帶表面形成納米層的設備的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）將派瑞林粉末放入升華爐內，升華爐內的工作溫度為150~200℃，真空度為1Torr；
（2）派瑞林經升華爐氣化后進入裂解爐中，裂解爐內的工作溫度為650-700℃，真空度為0.5Torr；
（3）氣化的派瑞林在裂解爐中裂解形成單體對二甲苯蒸氣并進入沉積罐內的涂裝空間內，對處于托盤上的LED燈帶進行涂裝，沉積罐的工作溫度為35~45℃，真空度為0.5Torr；
（4）沉積罐內多余的單體對二甲苯蒸氣通過余料輸出口進入冷阱中進行收集，冷阱的工作溫度為-（80~60）℃，真空度為0.001~0.01Torr。
6.根據權利要求5所述的在LED燈帶表面形成納米層的制造方法，其特征在于：所述LED燈帶卷繞成盤狀放置在托盤上。
7.根據權利要求5所述的在LED燈帶表面形成納米層的制造方法，其特征在于：調整單體對二甲苯蒸氣的沉積時間，使在LED燈帶表面1小時沉積1納米的厚度。
8.根據權利要求7所述的在LED燈帶表面形成納米層的制造方法，其特征在于：沉積罐的工作時間為20~26小時。