1.一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，主要按照下列步驟制備：
A.以純金屬銀、鋁、鈦為基材材料，經表面磨、拋光，之后用丙酮和酒精超聲波清洗。以純金屬鎂充當薄膜材料的濺射源物質；
B.將經步驟A所得的基材固定在樣品臺上，將樣品臺放入磁控濺射儀進樣室，基材在進樣室經清洗后送入可旋轉金屬基底上；
C.對密閉反應室抽真空，對金屬基底加熱；
D.待磁控濺射儀反應室背底真空度抽至一定程度及金屬基底在室溫或加熱至一定溫度條件下，通入一定流量比的高純氧和氬混合氣體，在反應室真空度回升至反應氣壓時開始預濺射，預濺射處理一定時間后開始直流鎂靶濺射，氬離子轟擊靶材所得的鎂與腔室里的氧氣反應，最終在基材表面沉積獲得MgO薄膜。
2.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟A中，所述基材材料金屬銀、鋁、鈦以及金屬鎂靶材的純度為99.99％。表面磨、拋光工藝為：分別經2000#、3000#、5000#SiC砂紙打磨Ag/Al/Ti基材樣品以得到光滑平整表面，有利于磁控濺射物質的附著沉積。之后經丙酮和酒精分別超聲波清洗5min，后在真空干燥箱烘干，以去除樣品表面吸附雜質。
3.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟B中，所述清洗是在氬氣氣氛下通過射頻電源在50～100W功率條件下產生的氬離子輝光清洗300s。
4.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟C中，所述抽真空方法為分子泵抽真空，反應室背底真空度為5×10-4～8×10-4Pa，金屬基底的加熱方式為電阻式加熱，加熱速率為20℃/min。
5.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟D中，所述基底溫度為室溫濺射的樣品后期在真空管式爐中經400～600℃、10～20Pa高純氧條件下進行10～30min活化處理。
6.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟D中，所述基底溫度設定在200～500℃之間，濺射源氣體高純氧氣純度為99.999％，高純氬氣純度為99.999％。
7.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟D中，所述氣體流量比O2/Ar為1/90～10/90(流量單位：sccm)，反應氣壓控制在0.8～1.0Pa之間。
8.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟D中，所述預濺射在擋板關閉的條件下，采用50～200W功率下濺射5～10min，以去除靶材表面吸附物及雜質。
9.按照權利要求1的一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，其特征在于，步驟D中，所述直流磁控濺射功率為50～200W。
10.按照權利要求1-9任一項制備方法制備得到二次電子發射薄膜。