技術總結
本發明公開一種二次電子發射薄膜的簡易制備方法，屬于二次電子發射陰極材料的制備技術領域。以純金屬銀/鋁/鈦作為基體，純金屬鎂充當濺射源物質，以純氬為工作氣體，純氧為反應氣體，在對基體采用電阻加熱的條件下，通過直流反應磁控濺射法，在銀/鋁/鈦基體上制備得到MgO薄膜，次級發射系數δ高達4.88。采用所述方法制備MgO薄膜陰極具有制備工藝簡單、膜厚可控、成分均勻、結晶性好、次級發射系數高、發射性能穩定且耐電子轟擊等優點。有望應用于光電倍增管、銫原子鐘、磁控管等領域。

技術研發人員：王金淑;王飛飛;周帆;李洪義;張權;殷俏
受保護的技術使用者：北京工業大學
文檔號碼：201611166493
技術研發日：2016.12.16
技術公布日：2017.05.10