1.一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料，其特征在于：該封裝材料由鱗片石墨和鋁硅合金組成，其中，鱗片石墨的重量百分比為35～70wt％，鋁硅合金的重量百分比為30～65wt％；鱗片石墨片層方向與壓制方向垂直分布，石墨片呈非連續(xù)平行排列，鋁硅合金分布于石墨片層間隙，石墨片與鋁硅合金呈疊層結(jié)構(gòu)；該封裝材料的密度為2.42～2.55g/cm3，平行于石墨片層X(jué)-Y方向熱導(dǎo)率為240～280W/(m.K)，27℃～100℃的熱膨脹系數(shù)為10.2～13.9×10-6/K，彎曲強(qiáng)度為120～160MPa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料，其特征在于，所述鋁硅合金，按重量百分比：硅含量9～14wt％，銅含量1～5wt％，鎂含量為0.5～2.5wt.％，錫含量為0.1～1.5wt.％，余量為鋁；所述鱗片石墨的純度大于等于99.9wt.％，粒度為100目～32目。
3.一種權(quán)利要求1所述的石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)氣霧化制備鋁硅合金粉末：鋁硅合金在高純氬氣氣體氛圍下，利用氣霧化設(shè)備制備霧化粉末；
(2)鱗片石墨表面預(yù)處理：經(jīng)過(guò)一次浸鋅、二次浸鋅及化學(xué)鍍鎳，在鱗片石墨表面鍍一層鎳層，使用去離子水清洗和無(wú)水乙醇清洗，抽濾后采用液氮經(jīng)過(guò)低溫升華，去除部分水分，再使用真空烘干箱在95～120℃烘干2～6h去除水分；
(3)粉末混合：預(yù)處理后鱗片石墨與鋁硅合金霧化粉末按照重量百分比配料，預(yù)混合后，放入混料罐中混合均勻制成混合粉末；
(4)混合粉末真空熱壓：將混合好的粉末裝入鋼制包套內(nèi)，使用雙向壓機(jī)經(jīng)過(guò)預(yù)壓、真空除氣、真空熱壓過(guò)程將復(fù)合粉末致密化，制備成封裝材料；
(5)機(jī)加工：對(duì)真空熱壓后的封裝材料進(jìn)行機(jī)加工形成零部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述的鋁硅合金的霧化溫度為580～660℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)制備的鋁硅合金霧化粉末粒度為200目～800目，純度大于等于99.8wt.％，鐵含量小于等于0.008wt.％，霧化粉末中初生硅顆粒≤90um。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述一次浸鋅的溶液及工藝為：氫氧化鈉450～580g/L，氧化鋅75～120g/L，酒石酸鉀鈉8～20g/L，三氯化鐵0.5～4g/L，硝酸鈉0.2～2g/L，浸鋅溫度35～80℃，浸鋅時(shí)間15～60s；所述二次浸鋅的溶液及工藝為：氫氧化鈉50～130g/L，氧化鋅15～65g/L，酒石酸鉀鈉10～35g/L，三氯化鐵1～4.5g/L，硝酸鈉0.5～2.5g/L，浸鋅溫度35～80℃，浸鋅時(shí)間15～60s；所述化學(xué)鍍鎳的溶液及工藝為：七水合硫酸鎳15～65g/L，一水合次磷酸鈉14～56g/L，檸檬酸鈉14～60g/L，碳酸氫鈉2～12g/L，三乙醇胺15～65mL/L，氨水調(diào)節(jié)pH值8～10，鍍鎳溫度35～70℃，鍍鎳時(shí)間為10～35min。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述鱗片石墨表面鎳層的厚度為0.5～12um。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述混料罐轉(zhuǎn)速20～80r/min，球料質(zhì)量比2～6，混料時(shí)間16-32h。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述預(yù)壓壓力20～40MPa，保壓時(shí)間0.5～2h；所述真空除氣為常溫下抽真空至2～5×10-2Pa；所述真空熱壓為升溫同時(shí)抽真空，升溫速率≤50℃/h，在80～130℃、150～200℃、400～450℃、500～600℃之間分別保溫1～4h，保溫結(jié)束后，真空度≤1×10-2Pa，在580～660℃保溫4～6h，真空度≤8×10-3Pa時(shí)，開始?jí)褐疲瑝褐茐毫?0～140MPa，單次壓下量為3～5mm，每次保壓時(shí)間10～40min，到達(dá)最大壓下量時(shí)，保壓時(shí)間2～5h。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨和鋁硅合金復(fù)合電子封裝材料的制備方法，其特征在于，步驟(5)所述機(jī)加工為車、銑、磨和電火花切割中的一種或幾種。