技術(shù)特征：

1.一種高通量CVD制備硅碳氧薄膜的裝置，包括氣源、管路、質(zhì)量流量計MFC、控制閥門、CVD沉積反應(yīng)室、廢氣焚燒爐和排空設(shè)備，其特征在于：

氣源包括反應(yīng)氣體和載氣，反應(yīng)氣體分別是硅烷SiH₄、乙烯C₂H₄和氧氣O₂，載氣為氮氣N₂，其化學(xué)反應(yīng)過程如下，反應(yīng)溫度為600-800℃的高溫：

三種反應(yīng)氣體在CVD沉積反應(yīng)室內(nèi)的流向分布而形成濃度比的梯度變化，從而在襯底基片上形成硅碳氧成分比梯度變化的SiC_xO_y薄膜組合材料；

管路為氣體的運輸管道，用于連通MFC、控制閥門、CVD沉積反應(yīng)室、廢氣焚燒爐和排空設(shè)備；

MFC共計7個，用于控制氣源的流量；MFC1控制O₂流量，MFC2控制C₂H₄的流量，MFC3控制SiH₄的流量，MFC4控制N₂匯入O₂的流量，MFC5控制N₂匯入C₂H₄的流量，MFC6控制N₂匯入SiH₄的流量，MFC7控制N₂作為吹掃氣體的流量；

控制閥門選用三通閥，共計4個，用于控制氣體的流向；三通閥1用于控制O₂和N₂的混合氣體流入CVD沉積反應(yīng)室或直接進入焚燒爐，三通閥2用于控制C₂H₄和N₂的混合氣體流入CVD沉積反應(yīng)室或直接進入焚燒爐，三通閥3用于控制SiH₄和N₂的混合氣體流入CVD沉積反應(yīng)室或直接進入焚燒爐，吹掃三通閥4用于控制N₂流入CVD沉積反應(yīng)室或直接進入焚燒爐。

廢氣焚燒爐用于焚燒反應(yīng)氣體或反應(yīng)廢氣，將其分解成水、CO₂、SiO₂等對環(huán)境無害的成分；

排空設(shè)備用于將焚燒后的氣體排入大氣中，同時使得整個管道系統(tǒng)相對于大氣壓產(chǎn)生微弱的負壓，以利于整個裝置氣流的輸運。

反應(yīng)氣體進入CVD沉積反應(yīng)室，經(jīng)過高溫沉積反應(yīng)形成硅碳氧成分梯度變化的薄膜材料；

所述CVD沉積反應(yīng)室用于高通量SiC_xO_y薄膜組合材料的化學(xué)反應(yīng)沉積，包括進氣口、高頻感應(yīng)線圈、石英玻璃管、玻璃蓋板、石墨基體、襯底基片和廢氣出口；

進氣口共計3個，分別為N₂+O₂進氣口，N₂+C₂H₄進氣口，N₂+SiH₄進氣口，三個進氣口之間的距離兩兩相等為1/4反應(yīng)腔室的寬度，N₂+C₂H₄進氣口居中設(shè)置，N₂+O₂、N₂+SiH₄的進氣口分別和對應(yīng)同側(cè)的反應(yīng)室側(cè)壁距離相等，也為1/4反應(yīng)腔室的寬度；

高頻感應(yīng)線圈提供高頻感應(yīng)電流，纏繞于石英玻璃管；

玻璃蓋板的寬為石英玻璃管內(nèi)徑的寬度，與石英玻璃管內(nèi)部大小相適應(yīng)，內(nèi)置固定于石英玻璃管中；用于控制反應(yīng)氣體的傳輸空間，氣體傳輸空間為襯底基片與玻璃蓋板間的空間；

石墨基體位于玻璃蓋板一側(cè)距其1～10mm處，并作為高頻感應(yīng)受體，在高頻感應(yīng)線圈高頻電流的作用下產(chǎn)生渦電流而迅速加熱，將熱能傳遞到襯底基片上對其進行加熱；

襯底基片位于石墨基體的上表面，且緊貼石墨基體。

廢氣出口為漏斗狀結(jié)構(gòu)，在靠近CVD沉積反應(yīng)室一端的口徑和沉積反應(yīng)室寬度一致，并逐漸減小至管道的口徑。

2.如權(quán)利要求1所述高通量CVD制備硅碳氧薄膜的裝置，其特征在于：所述管路采用不銹鋼材質(zhì)，在CVD沉積反應(yīng)室前的管路采用1/8英寸管徑，而CVD沉積反應(yīng)室后的管路采用1/2英寸管徑。

3.如權(quán)利要求1所述高通量CVD制備硅碳氧薄膜的裝置，其特征在于：所述石墨基體中，在靠近襯底基片的位置還嵌入了熱電偶，以便確定監(jiān)測襯底基片的溫度。

4.如權(quán)利要求1所述高通量CVD制備硅碳氧薄膜的裝置，其特征在于：在實際使用時，首先需要借助流體模擬軟件，對三種氣體的輸運分布進行模擬計算，從而形成反應(yīng)氣體對比濃度和沉積的SiC_xO_y薄膜組合材料中硅—碳—氧濃度對比關(guān)系，以便建立比較完整的工藝—成分—光學(xué)性質(zhì)的數(shù)據(jù)庫。