技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于鍍膜設(shè)備開發(fā)領(lǐng)域，具體為一種高通量CVD制備硅碳氧薄膜的裝置。本發(fā)明以高通量CVD鍍膜技術(shù)為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)CVD沉積反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，利用不同反應(yīng)前驅(qū)物氣體(SiH4，C2H4，O2)以N2為載氣，控制其在反應(yīng)室中的流向分布，形成反應(yīng)前驅(qū)物濃度比例的梯度變化，從而在襯底基片上形成材料成分變化的SiCxOy薄膜組合材料。

技術(shù)研發(fā)人員：彭先德;向勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611192298
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.21
技術(shù)公布日：2017.05.31