1.一種用于拋光系統的保持環，所述保持環包括：
環形主體，所述環形主體具有：
底表面，所述底表面具有形成在其中的槽，
外徑壁；和
內徑壁，所述內徑壁具有經選擇以適應半導體基板的直徑，其中所述內徑壁被拋光至小于30微英寸(μin)的平均粗糙度(Ra)。
2.根據權利要求1所述的保持環，其特征在于，所述環形主體進一步包括：
下部部分，所述下部部分具有下部拋光內徑和形成在其中的所述槽；和
上部部分，所述上部部分具有上部拋光內徑，所述上部部分同心地耦接至所述下部部分。
3.根據權利要求2所述的保持環，其特征在于，所述下部拋光內徑的平均粗糙度在2μin與10μin之間。
4.根據權利要求3所述的保持環，其特征在于，所述下部拋光內徑的平均粗糙度為4μin。
5.根據權利要求2所述的保持環，其特征在于，所述上部部分是由金屬組成的，并且所述下部部分是由塑料組成的。
6.根據權利要求2所述的保持環，其特征在于，所述上部拋光內徑的平均粗糙度在2μin與10μin之間。
7.根據權利要求6所述的保持環，其特征在于，所述上部拋光內徑的平均粗糙度為4μin。
8.根據權利要求1所述的保持環，其特征在于，所述內徑壁被配置成接收具有200mm、300mm或450mm的直徑的半導體基板。
9.根據權利要求1所述的保持環，其特征在于，所述外徑壁被拋光至小于30μin的平均粗糙度。
10.根據權利要求1所述的保持環，其特征在于，其中第二部分是由具有大于第一部分剛度的剛度的材料制成。
11.一種CMP系統，所述CMP系統包括：
可旋轉的壓板，所述可旋轉的壓板配置成支撐拋光墊；
拋光頭，所述拋光頭配置成在拋光期間迫使基板抵靠著所述拋光墊；和
保持環，所述保持環包括：
環形主體，所述環形主體具有：
底表面，所述底表面具有形成在其中的槽，
外徑壁；和
內徑壁，其中所述內徑壁被拋光至小于30微英寸(μin)的平均粗糙度(Ra)。
12.根據權利要求11所述的CMP系統，其特征在于，所述環形主體進一步包括：
下部部分，所述下部部分具有下部拋光內徑和形成在其中的所述槽；和
上部部分，所述上部部分具有上部拋光內徑，所述上部部分同心地耦接至所述下部部分。
13.根據權利要求12所述的CMP系統，其特征在于，所述下部拋光內徑的平均粗糙度在2μin與10μin之間。
14.根據權利要求13所述的CMP系統，其特征在于，所述下部拋光內徑的平均粗糙度為4μin。
15.根據權利要求12所述的CMP系統，其特征在于，所述上部部分是由金屬組成的，并且所述下部部分是由塑料組成的。
16.根據權利要求12所述的CMP系統，其特征在于，所述上部拋光內徑的平均粗糙度在2μin與10μin之間。
17.根據權利要求16所述的CMP系統，其特征在于，所述上部拋光內徑的平均粗糙度為4μin。
18.根據權利要求11所述的CMP系統，其特征在于，所述內徑壁被配置成接收具有200mm、300mm或450mm的直徑的半導體基板。
19.根據權利要求11所述的CMP系統，其特征在于，所述外徑壁被拋光至小于30μin的平均粗糙度。
20.根據權利要求11所述的CMP系統，其特征在于，其中第二部分是由具有大于第一部分剛度的剛度的材料制成。