技術特征：

技術總結
本發明公開了一種耐高溫低熱膨脹系數的鋁基/PMOS基復合層狀材料的制備方法，包括以下步驟：首先制得PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料，然后通過在Al?Cu?Mg?Si合金中加入Fe、Ni或Ag、Si3N4，制得鋁基復合材料，最后將制得的PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料、鋁基復合材料、PMOS/莫來石/Si3N4雜化材料復合制得層狀材料，層與層之間采用粘合層材料粘結而成，制得的層狀材料在200?400℃熱處理，制得鋁基/PMOS基復合層狀材料。該發明制得的復合層狀材料力學性能好，強度大，耐高溫性能優異，熱膨脹系數低。

技術研發人員：郭和謙
受保護的技術使用者：郭和謙
技術研發日：2017.03.14
技術公布日：2017.08.04