本發明涉及對被加工物的吸雜性進行評價的被加工物的評價方法。

背景技術：

近年來，為了器件的小型化等目的，將器件形成后的晶片(以下，稱為器件晶片)加工得較薄。但是，例如，當對器件晶片進行研磨而使其薄至100μm以下時，對于器件而言存在如下的擔心：抑制有害的金屬元素的活動的吸雜性降低，會產生器件的動作不良。為了解決該問題，在器件晶片中形成捕獲金屬元素的吸雜層(例如，參照專利文獻1)。在該加工方法中，通過按照規定的條件對器件晶片進行磨削，一邊維持器件晶片的抗彎強度一邊形成包含規定的應變層的吸雜層。

專利文獻1：日本特開2009-94326號公報

關于對按照專利文獻1所示的加工方法加工的器件晶片的吸雜性的評價，例如能夠利用金屬元素將器件晶片實際污染而進行。但是，該方法不能得到合格的器件芯片。也就是說，由于該評價方法利用金屬元素將器件晶片實際污染，所以不能對能夠成為產品的器件晶片進行評價。

技術實現要素：

本發明是鑒于該問題點而完成的，其目的在于提供被加工物的評價方法，能夠對能夠成為產品的被加工物的吸雜性進行評價。

為了解決上述的課題并達成目的，根據本發明，提供被加工物的評價方法，對在正面上形成有多個器件并且在內部形成有吸雜層的被加工物的吸雜性進行評價，該被加工物的評價方法的特征在于，包含如下的工序：激發光照射工序，對被加工物照射用于激發出載流子的激發光；微波照射工序，在實施了該激發光照射工序之后，分別對所述被加工物的所述激發光的照射范圍和所述激發光的照射范圍外照射微波；測定工序，在實施了該微波照射工序之后，分別對來自所述被加工物的所述微波的反射波的強度進行測定，導出從來自所述照射范圍的反射波的強度中減去來自所述照射范圍外的反射波的強度而得的差分信號；以及根據通過所述測定工序計算出的所述差分信號的強度對吸雜性進行判斷的工序。

優選所述微波的頻率是26ghz。

優選所述激發光的波長是349nm。

本發明起到了能夠對被加工物的吸雜性進行評價的效果。

附圖說明

圖1是示出第1實施方式的被加工物的評價方法的評價對象的器件晶片的立體圖。

圖2是執行第1實施方式的被加工物的評價方法的磨削研磨裝置的結構例的立體圖。

圖3是示出圖2所示的磨削研磨裝置的研磨單元的結構例的立體圖。

圖4是示出圖1所示的器件晶片的吸雜層的狀態不同的情況下的從器件晶片的背面反射的微波的強度的圖。

圖5是示出圖2所示的磨削研磨裝置的評價裝置的結構例的圖。

圖6是示出執行本發明的第2實施方式的被加工物的評價方法的磨削研磨裝置的評價裝置的結構例的圖。

圖7是示出通過圖6所示的評價裝置來測定參考差分信號值的器件晶片的測定位置的立體圖。

圖8的(a)是示出執行本發明的第3實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖，圖8的(b)是示出圖8的(a)所示的加工裝置的各工序的圖。

圖9是示出執行本發明的第4實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。

圖10是示出執行本發明的第5實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。

圖11是示出執行本發明的第6實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。

圖12是示出執行本發明的第7實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。

圖13是示出執行本發明的第8實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。

圖14是示出執行本發明的第9實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。

標號說明

w：器件晶片(被加工物)；ws：正面；d：器件；g：吸雜層；l：激發光；r：照射范圍；mt、mr：微波。

具體實施方式

一邊參照附圖一邊對用于實施本發明的方式(實施方式)進行詳細地說明。本發明并不僅限于以下的實施方式所記載的內容。并且，在以下所記載的構成要素中包含本領域技術人員所能夠容易想到的、實際上相同的構成要素。進而，能夠對以下所記載的結構進行適當組合。并且，能夠在不脫離本發明的主旨的范圍內進行結構的各種省略、置換或變更。

〔第1實施方式〕

根據附圖對本發明的第1實施方式的被加工物的評價方法進行說明。圖1是示出第1實施方式的被加工物的評價方法的評價對象的器件晶片的立體圖。圖2是執行第1實施方式的被加工物的評價方法的磨削研磨裝置的結構例的立體圖。圖3是示出圖2所示的磨削研磨裝置的研磨單元的結構例的立體圖。

第1實施方式的被加工物的評價方法(以下，簡稱為評價方法)是對作為被加工物的圖1所示的器件晶片w的吸雜性進行評價的方法。如圖1所示，器件晶片w是以硅為主要材料的圓板狀的半導體晶片或光器件晶片。在器件晶片w的正面ws上在由形成為格子狀的多條分割預定線s劃分出的區域內形成有器件d。即，在器件晶片w的正面ws上形成有多個器件d。在對器件晶片w的正面ws背側的背面wr實施磨削加工等而使器件晶片w薄化至規定的厚度之后，在器件晶片w的內部形成吸雜層g并對吸雜層g的吸雜性進行評價。吸雜層g的吸雜性是指抑制對器件d有害的銅等金屬元素的活動的效果的大小。在器件晶片w的正面ws上形成的器件d例如是存儲器(閃速存儲器或dram(dynamicrandomaccessmemory：動態隨機存取存儲器)等存儲器)，來自背面wr的金屬污染(例如，因銅元素造成的污染)會成為問題。另外，在第1實施方式中，被加工物是器件晶片w，但在本發明中，被加工物并不僅限于器件晶片w。

第1實施方式的評價方法是通過圖2所示的作為加工裝置的磨削研磨裝置1來執行的。磨削研磨裝置1為了進行薄型化而對器件晶片w的背面wr進行磨削加工，并且為了使磨削加工后的器件晶片w的背面wr高精度地平坦化而且在器件晶片w內部形成吸雜層g而進行研磨加工。如圖2所示，磨削研磨裝置1主要具有：裝置主體2；第1磨削單元3；第2磨削單元4；研磨單元5；設置在旋轉工作臺6上的例如4個保持單元7；盒8、9；對位單元10；搬入單元11；清洗單元13；搬出搬入單元14；評價裝置20；以及未圖示的控制單元。

第1磨削單元3用于按照如下方式對器件晶片w的背面wr進行粗磨削加工：使具有安裝在主軸的下端的磨削磨具的磨削磨輪31一邊旋轉一邊沿著與鉛直方向平行的z軸方向對保持在粗磨削位置b的保持單元7上的器件晶片w的背面wr進行按壓。同樣地，第2磨削單元4用于按照如下方式對器件晶片w的背面wr進行精磨削加工：使具有安裝在主軸的下端的磨削磨具的磨削磨輪41一邊旋轉一邊沿著z軸方向對保持在位于精磨削位置c的保持單元7上的粗磨削完成的器件晶片w的背面wr進行按壓。

在第1實施方式中，如圖3所示，研磨單元5的安裝在主軸的下端的研磨墊等干式的研磨工具51與保持單元7的保持面對置地配置。研磨單元5使研磨工具51一邊旋轉一邊沿著z軸方向對保持在位于研磨位置d的保持單元7的保持面上的精磨削完成的器件晶片w的背面wr進行按壓。研磨單元5用于按照如下方式對器件晶片w的背面wr進行研磨加工：使研磨工具51沿著z軸方向對器件晶片w的背面wr進行按壓。

研磨單元5使用干式的研磨工具51對器件晶片w的背面wr實施所謂干式研磨加工而在器件晶片w內部形成吸雜層g，該吸雜層g包含結晶構造產生了應變的應變層。此時維持了器件晶片w的抗彎強度。在第1實施方式中，器件晶片w的抗彎強度維持為1000mpa以上，但本發明并不僅限于此，只要設定為能夠得到希望的器件強度的值即可。并且，如圖3所示，研磨單元5具有使研磨工具51與主軸一起在與z軸方向垂直且與裝置主體2的寬度方向平行的x軸方向上移動的x軸移動單元52。

另外，關于第1實施方式的評價方法，為了賦予具有吸雜性的吸雜層g而使用所謂干式研磨加工，但本發明并不僅限于干式研磨加工，使用能夠賦予具有吸雜性(在結晶中生成應變)的吸雜層g的加工方法即可。作為能夠賦予吸雜層g的加工方法，本發明例如能夠使用磨削加工、等離子蝕刻、激光照射或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)等方法，其中，在該磨削加工中實施使用了高目數磨輪的加工。第1磨削單元3、第2磨削單元4和研磨單元5是對作為被加工物的器件晶片w進行加工的加工單元。進而，作為其他的例子，可以如日本特開2013-244537那樣，在一邊提供漿料一邊通過濕式研磨(例如，cmp)將背面wr的磨削應變去除之后，一邊提供不包含磨粒的藥液一邊利用研磨墊進行濕式研磨。并且，也可以在一邊提供漿料一邊進行研磨之后，停止藥液(例如，水)的提供或者減少提供量而進行研磨，從而形成吸雜層。當停止藥液(例如，純水)的提供或者減少提供量時，能夠通過對器件晶片w進行加熱來較快地形成吸雜層g(在以下的其他實施方式中也能夠同樣地使用。)。

旋轉工作臺6是設置在裝置主體2的上表面上的圓盤狀的工作臺，以能夠在水平面內旋轉的方式設置并按照規定的時機旋轉驅動。在該旋轉工作臺6上以例如90度的相位角等間隔地配設有例如4個保持單元7。這些4個保持單元7是在上表面具有真空卡盤的卡盤工作臺構造，對所載置的器件晶片w進行真空吸附而保持。這些保持單元7在進行磨削加工時和研磨加工時，以與鉛直方向平行的軸為旋轉軸而通過旋轉驅動機構在水平面內旋轉驅動。這樣，保持單元7具有以能夠旋轉的方式對作為被加工物的器件晶片w進行保持的保持面。這樣的保持單元7通過旋轉工作臺6的旋轉而依次移動到搬入搬出位置a、粗磨削位置b、精磨削位置c、研磨位置d以及搬入搬出位置a。

盒8、9是具有多個插槽而用于對器件晶片w進行收納的收納容器。一個盒8對磨削研磨加工前的器件晶片w進行收納，另一個盒9對磨削研磨加工后的器件晶片w進行收納。并且，對位單元10是用于暫放從盒8取出的器件晶片w并進行其中心對位的工作臺。

搬入單元11具有吸附墊，對由對位單元10進行了對位后的磨削研磨加工前的器件晶片w進行吸附保持而搬入到位于搬入搬出位置a的保持單元7上。搬入單元11對保持在位于搬入搬出位置a的保持單元7上的磨削研磨加工后的器件晶片w進行吸附保持而搬出到清洗單元13上。

搬出搬入單元14是具有例如u字型機械手14a的機器人拾取器，通過u字型機械手14a對器件晶片w進行吸附保持而搬送。具體來說，搬出搬入單元14將磨削研磨加工前的器件晶片w從盒8搬出到對位單元10上，并且將磨削研磨加工后的器件晶片w從清洗單元13搬入到盒9中。清洗單元13對磨削研磨加工后的器件晶片w進行清洗，將附著在磨削和研磨后的加工面上的磨削屑和研磨屑等污染物去除。并且，磨削研磨裝置1在搬出搬入位置a處具有未圖示的第2清洗單元，該第2清洗單元對磨削研磨加工后的形成有吸雜層g并且保持在保持單元7上的器件晶片w的背面wr進行清洗。

控制單元對構成磨削研磨裝置1的上述的構成要素分別進行控制。即，控制單元在磨削研磨裝置1中執行針對器件晶片w的加工動作。控制單元是能夠執行計算機程序的計算機。控制單元具有：運算處理裝置，其具有如cpu(centralprocessingunit：中央處理器)那樣的微處理器；存儲裝置，其具有如rom(readonlymemory：只讀存儲器)或ram(randomaccessmemory：隨機存取存儲器)那樣的存儲器；以及輸入輸出接口裝置。控制單元的cpu在ram上執行存儲在rom中的計算機程序，而生成用于控制磨削研磨裝置1的控制信號。控制單元的cpu將所生成的控制信號經由輸入輸出接口裝置輸出給磨削研磨裝置1的各構成要素。并且，控制單元與由對加工動作的狀態或圖像等進行顯示的液晶顯示裝置等構成的未圖示的顯示單元和操作者登記加工內容信息等時所使用的輸入單元連接。輸入單元由設置在顯示單元上的觸摸面板和鍵盤等中的至少一個構成。

評價裝置20是對磨削研磨加工后的設置在搬入出位置a且在內部形成有吸雜層g的器件晶片w的吸雜性進行評價的裝置。即，評價裝置20設置在磨削研磨裝置1的沒有配設磨削單元3、4和研磨單元5的搬出搬入位置a的保持單元7的上方，對磨削研磨加工后的器件晶片w的吸雜性的好壞進行判定。

圖4是示出圖1所示的器件晶片的吸雜層的狀態不同的情況下的從器件晶片的背面反射的微波的強度的圖。如圖4所示，本發明的發明人們發現：根據器件晶片w的內部的應變層即吸雜層g的厚度等狀態，當照射激發光l時產生在器件晶片w的內部的作為激發載流子的電子和空穴的量不同，當照射微波mt時反射的微波mr的強度不同。具體來說，如圖4所示，本發明的發明人們發現：隨著器件晶片w的內部的應變變大，載流子變得不容易被激發(作為激發載流子的電子和空穴的量變少)，當照射微波mt時反射的微波mr的強度變弱。

因此，本發明的發明人們發明了如下的評價裝置20：該評價裝置20對器件晶片w的背面wr的一部分照射激發光l，根據對從激發光l的照射范圍r反射的微波mr的強度減去從激發光l的照射范圍r外反射的微波mr的強度而得的信號(以下，簡稱為差分信號。)對吸雜性進行評價。另外，圖4示出了當對分別進行了不同的加工的“測定例1”、“測定例2”和“測定例3”的器件晶片w的各自的背面wr照射規定的強度的微波mt時的從照射了激發光l的照射范圍r反射的微波mr的強度與從照射范圍r外反射的微波mr的強度的差分信號。測定例2的晶片是器件晶片w的背面wr進行了干式研磨而使得吸雜性不充分的虛擬裸晶片，是通過研磨去除了磨削損傷的晶片(表面粗糙度ra為1nm左右的晶片)。因此，測定例2的晶片雖然吸雜性不充分，但抗彎強度較大。另一方面，測定例3的晶片是對器件晶片w的背面wr實施了精磨削加工而應變層較厚的器件晶片。因此，由于測定例3的晶片是磨削后的晶片，所以吸雜性較大但抗彎強度較小，例如，當晶片的厚度薄至100μm以下時，存在拾取時器件發生破損的擔心。記載為測定例1的測定對象的晶片是通過磨削研磨裝置1對背面wr進行磨削并較高地維持了抗彎強度而實施了用于形成吸雜層g的干式研磨加工(例如，使用了迪斯科公司提供的getteringdp磨輪而進行的干式研磨加工)的器件晶片w。并且，記載為測定例1的對象的晶片是例如通過日本特開2012-238731號公報所示的使用了由銅進行的強制污染的以往的檢查方法(利用銅將背面污染并對正面的銅原子的量進行檢測的方法)確認了充分的吸雜性的晶片。在圖4中，前述的測定例1、測定例2和測定例3分別使用了厚度為25μm、50μm、100μm的器件晶片w。另外，圖4的縱軸通過對數刻度來表示作為差分信號的微波強度。

根據圖4，測定例1的最小的微波強度tmin(針對厚度為25μm的晶片的反射強度的差分信號)比測定例3的最大的微波強度tb的5倍的值還大，測定例1的最大的微波強度tmax(針對厚度為100μm的晶片的反射強度的差分信號)比測定例2的最小的微波強度ta的5分之1的值還小，比測定例2中的厚度為100μm的晶片的微波強度tc的10分之1的值還小。本發明的發明人們發現：與反射微波的強度有關的差分信號依賴于器件晶片w的背面wr狀態，能夠將該差分信號的大小作為指標對器件晶片w的吸雜的好壞進行判定。即，本發明的發明人們根據測定例2的差分信號較高、測定例3的差分信號較低，發現了吸雜性越低則差分信號越高、吸雜性越高則差分信號越小。

圖5是示出圖2所示的磨削研磨裝置的評價裝置的結構例的圖。如圖5所示，評價裝置20具有激發光照射單元21、微波照射單元22、反射波接收部23、以及控制部24。

激發光照射單元21對器件晶片w的背面wr表層附近照射激發出載流子(電子和空穴)激發的激發光l。在第1實施方式中，激發光照射單元21對器件晶片w照射波長為349nm的激發光l即紫外線，但本發明的激發光l的波長并不僅限于349nm。另外，在第1實施方式中，使激發光l的波長為349nm的原因是波長為349nm等的波長較短的光(紫外光)適合于對器件晶片w的背面wr表層附近的結晶的狀態(應變的狀態)進行檢測。另一方面，長波長的光不僅會在器件晶片w的背面wr表層產生作為激發載流子的電子和空穴，還會使該電子和空穴從器件晶片w的內部產生。因此，與照射349nm等短波長的光的情況相比，要想對器件晶片w的背面wr的表層附近的載流子激發狀態進行高精度地檢測，不優選長波長的光。

如圖5所示，激發光照射單元21具有：激發光源21a，其射出激發光l；以及鏡21b，其使激發光源21a所射出的激發光l朝向器件晶片w反射。激發光源21a由放射出紫外光作為激發光l的激光振蕩器構成。作為激發光l的紫外線使用了作為ylf激光的第三高次諧波而得到的紫外線。激發光源21a射出波長為349nm的紫外線。激發光照射單元21以比器件晶片w的背面wr的面積充分小的光斑方式對器件晶片w的背面wr照射激發光l。激發光照射單元21沿著與器件晶片w的背面wr垂直的方向對背面wr照射激發光l。另外，器件晶片w的背面wr的照射激發光l的范圍是激發光l的照射范圍r。在第1實施方式中，由于激發光l的波長為349nm，所以激發光l對器件晶片w的滲透長度大約為10nm，激發光照射單元21能夠在器件晶片w的背面wr的照射范圍r的表層高效地進行作為激發載流子的電子和空穴的生成。

微波照射單元22分別對器件晶片w的背面wr的激發光l的照射范圍r內和器件晶片w的背面wr的激發光l的照射范圍r外照射微波mt。微波照射單元22具有：微波振蕩器22a，其振蕩出微波mt；未圖示的放大器，其對微波振蕩器22a振蕩出的微波mt進行放大；以及波導管部件22b。

微波振蕩器22a輸出(射出)微波mt。在第1實施方式中，微波振蕩器22a輸出頻率為26ghz的微波mt，但本發明的微波mt的頻率并不僅限于26ghz。

放大器配設在微波振蕩器22a與波導管部件22b之間，對從微波振蕩器22a輸出的微波mt進行放大。波導管部件22b具有：分割部22c，其用于將來自放大器的微波mt分割為兩部分；以及第1波導管22d和第2波導管22e，它們設置在分割部22c與器件晶片w之間。第1波導管22d與器件晶片w的背面wr的照射范圍r沿著垂直于背面wr的方向對置。第1波導管22d以使微波mt向照射范圍r照射的方式對微波mt進行傳送。第2波導管22e與器件晶片w的背面wr的照射范圍r外沿著垂直于背面wr的方向對置。第2波導管22e以使微波mt向照射范圍r外照射的方式對微波mt進行傳送。

反射波接收部23是測定單元，其分別對來自器件晶片w的微波mr的反射波的強度進行測定，并導出從來自照射范圍r的反射波的強度中減去來自照射范圍r外的反射波的強度而得的差分信號。反射波接收部23具有第1接收器23a、第2接收器23b以及差分信號計算部23c。第1接收器23a接收通過第1波導管22d向器件晶片w的背面wr照射并且從背面wr反射的微波mr的反射波。第1接收器23a對所接收的微波mr的反射波的強度進行測定并將測定得到的強度輸出給差分信號計算部23c。第2接收器23b接收通過第2波導管22e向器件晶片w的背面wr照射并且從背面wr反射的微波mr的反射波。第2接收器23b對所接收的微波mr的反射波的強度進行測定并將測定得到的強度輸出給差分信號計算部23c。

差分信號計算部23c導出作為從第1接收器23a所接收的來自激發光l的照射范圍r的微波mr的反射波的強度中減去第2接收器23b所接收的來自激發光l的照射范圍r外的微波mr的反射波的強度而得的值(也稱為相減后的值)的差分信號，并將差分信號輸出給控制部24。通過執行軟件和固件中的至少一方的cpu(centralprocessingunit)或至少由一個以上的電路構成的處理電路來實現差分信號計算部23c的功能。

控制部24對構成評價裝置20的上述的構成要素分別進行控制。即，控制部24在評價裝置20中執行評價吸雜性的第1實施方式的評價方法。

控制部24是根據從差分信號計算部23c輸入的差分信號的強度對器件晶片w的吸雜層g的吸雜性進行判斷的單元。具體來說，當從差分信號計算部23c輸入的差分信號的強度是根據圖4所示的測定例1的微波強度tmax而預先設定的上限強度以下時，控制部24判斷為吸雜層g的吸雜性合適。并且，如果差分信號的強度是根據圖4所示的測定例1的微波強度tmin而預先設定的下限強度以上，則控制部24判斷為抗彎強度合適。當從差分信號計算部23c輸入的差分信號的強度未達到根據圖4所示的微波強度tmin而預先設定的下限強度或超過了根據圖4所示的微波強度tmax而預先設定的上限強度時，控制部24判斷為吸雜層g的吸雜性較差或抗彎強度較低。這樣，控制部24在對實際的器件晶片w的吸雜性進行評價時，將從差分信號計算部23c輸入的差分信號的強度與前述的下限強度和上限強度進行比較。另外，雖然第1實施方式的評價裝置20的控制部24根據下限強度和上限強度對包含吸雜性在內的加工特性進行判斷，但如果僅對吸雜性進行判斷，則也可以不使用下限強度的值而僅根據上限強度進行判斷。在該情況下，也可以是，當從差分信號計算部23c輸入的差分信號的強度是根據圖4所示的微波強度tmax而預先設定的上限強度以下時，控制部24判斷為吸雜層g的吸雜性合適，當超過上限強度時則判斷為吸雜層g的吸雜性不合適。這樣，控制部24將從差分信號計算部23c輸入的差分信號的強度與上限強度進行比較。作為其他的例子，也可以如具體實施方式的第17段所記載的那樣，將比測定例3的最大的微波強度tb的5倍的值(下限強度)大、比測定例2的最小的微波強度ta的5分之1的值(上限強度)小作為吸雜性的判定基準。

下限強度和上限強度按照對賦予給器件晶片w的吸雜層g要求的吸雜性來適當設定。關于下限強度，也可以考慮吸雜層g所要求的吸雜性而設定為微波強度tmin。關于上限強度，也可以考慮吸雜層g所要求的吸雜性而設定為微波強度tmax。另外，在第1實施方式中，例如也可以將下限強度和上限強度設定為圖4所示的測定例1的微波強度即差分信號的值±10％的值。并且，前述的上限強度和下限強度的值也可以按照器件晶片w的厚度來設定。

另外，控制部24是能夠執行計算機程序的計算機。控制部24具有：運算處理裝置，其具有cpu(centralprocessingunit)那樣的微處理器；存儲裝置，其具有如rom(readonlymemory)或ram(randomaccessmemory)那樣的存儲器；以及輸入輸出接口裝置。

控制部24的cpu在ram上執行rom中所存儲的計算機程序，從而生成用于控制評價裝置20的控制信號。控制部24的cpu將生成得到的控制信號經由輸入輸出接口裝置而輸出給評價裝置20的各構成要素。

接著，對磨削研磨裝置的加工動作的一例與第1實施方式的評價方法一起進行說明。第1實施方式的評價方法是對吸雜性賦予加工之后的器件晶片w的吸雜性進行評價的評價方法。

首先，操作者將收納了磨削研磨加工前的器件晶片w的盒8和沒有收納器件晶片w的盒9安裝在裝置主體2上，將加工信息登記在控制部24中。磨削研磨裝置1在得到加工動作的開始指示的情況下開始進行加工動作。在加工動作中，磨削研磨裝置1的搬出搬入單元14將器件晶片w從盒8取出并搬出到對位單元10上。磨削研磨裝置1的對位單元10進行器件晶片w的中心對位，搬入單元11將對位后的器件晶片w搬入到位于搬入搬出位置a的保持單元7上。磨削研磨裝置1的保持單元7對器件晶片w進行保持，旋轉工作臺6將器件晶片w依次搬送到粗磨削位置b、精磨削位置c、研磨位置d和搬入搬出位置a。另外，磨削研磨裝置1的旋轉工作臺6以90度的旋轉度將磨削研磨加工前的器件晶片w搬入到搬入搬出位置a的保持單元7上。

磨削研磨裝置1在粗磨削位置b使用第1磨削單元3對器件晶片w的背面wr進行粗磨削加工，在精磨削位置c使用第2磨削單元4對器件晶片w的背面wr進行精磨削加工。磨削研磨裝置1在研磨位置d使用研磨單元5對器件晶片w的背面wr進行研磨加工，在器件晶片w的內部形成吸雜層g，并將進行了磨削研磨加工的器件晶片w定位在搬入搬出位置a。磨削研磨裝置1中，對在未圖示的第2清洗單元中對定位于搬入搬出位置a的磨削研磨加工后的器件晶片w的背面wr進行清洗而將加工屑等從背面wr清洗去除了的清洗后的器件晶片w執行使用了評價裝置20的評價方法。

評價方法具有激發光照射工序、微波照射工序、測定工序以及對吸雜性進行判斷的工序。在評價方法中，執行激發光照射工序，評價裝置20的激發光照射單元21對器件晶片w的背面wr的照射范圍r內照射激發光l。評價裝置20在照射了激發光l的狀態下執行微波照射工序，微波照射單元22分別對激發光l的照射范圍r和激發光l的照射范圍r外照射微波mt。評價裝置20執行測定工序。

關于評價裝置20，在測定工序中，反射波接收部23的第1接收器23a和第2接收器23b分別對來自器件晶片w的背面wr的激發光l的照射范圍r和激發光l的照射范圍r外的微波mr的反射波的強度進行測定。評價裝置20中，反射波接收部23的差分信號計算部23c導出從來自激發光l的照射范圍r的微波mr的反射波的強度中減去來自激發光l的照射范圍r外的微波mr的反射波的強度而得的差分信號，并輸出給控制部24。

評價裝置20根據在測定工序中計算出的差分信號的強度來執行對器件晶片w的吸雜性進行判斷的工序。在對吸雜性進行判斷的工序中，當差分信號的強度為上限強度以下時，評價裝置20能夠判斷為吸雜層g的吸雜性優良(合適)，如果差分信號的強度為下限強度以上，則能夠判斷為抗彎強度也充分(合適)。當差分信號的強度超過上限強度時，能夠判斷為吸雜層g的吸雜性較差(不充分)，在差分信號的強度未達到下限強度的情況下，能夠判斷為抗彎強度不充分。

磨削研磨裝置1通過搬入單元11將搬出搬入位置a的磨削研磨加工后且執行了吸雜性的評價的器件晶片w搬出到清洗單元13上。磨削研磨裝置1的清洗單元13對器件晶片w進行清洗，搬出搬入單元14將清洗后的器件晶片w搬入到盒9中。

如以上那樣，通過第1實施方式的切削研磨裝置的加工動作即評價方法，根據照射了激發光l的照射范圍r的微波mr的反射波的強度與激發光l的照射范圍r外的微波mr的反射波的強度的差分信號對吸雜性進行判斷。因此，第1實施方式的評價方法不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。因此，第1實施方式的評價方法能夠對能夠成為產品的器件晶片w的吸雜性進行評價。

并且，由于第1實施方式的評價方法根據差分信號對吸雜性進行判斷，所以能夠實時地去除噪聲，能夠進行準確的吸雜性的好壞的判定。進而，由于第1實施方式的評價方法使用照射了激發光l的照射范圍r的微波mr的反射波的強度和激發光l的照射范圍r外的微波mr的反射波的強度對吸雜性進行判斷，所以不用經過復雜的計算過程便能夠對吸雜性的好壞進行判定。

并且，由于第1實施方式的評價方法照射出波長為349nm的激發光l，所以能夠激發出器件晶片w的背面wr附近的載流子，能夠對吸雜層g的吸雜性進行準確地判定。

第1實施方式的評價裝置20中，在對吸雜性進行判斷的工序中，當差分信號的強度為上限強度以下時，判斷為吸雜層g的吸雜性優良(合適)，如果差分信號的強度為下限強度以上，則判斷為抗彎強度也充分(合適)。

但是，本發明的評價裝置20的控制部24并不僅限于第1實施方式所記載的內容，也可以通過將從評價對象的器件晶片w得到的差分信號與從具有作為基準的吸雜性的器件晶片w(也稱為參考晶片)得到的差分信號進行比較而對評價對象的器件晶片w的吸雜性進行評價。也就是說，本發明的評價裝置20也可以將包含對參考晶片照射/接收微波而得到的差分信號的值(以下,稱為參考差分信號值)的范圍作為“得到合適的吸雜性和抗彎強度的范圍(合適范圍)”而存儲、設定在控制部24中。在該情況下，當處于參考差分信號值所設定的上限、下限的范圍(即合適范圍)內時，評價裝置20的控制部24判斷為吸雜性和抗彎強度充分(合適)，如果不在參考差分信號值所設定的上限、下限的范圍(即合適范圍)內，則判斷為吸雜性和抗彎強度中的一個是不充分的。另外，參考晶片可以是例如通過日本特開2012-238731號公報所示的使用了由銅造成的強制污染的以往的檢查方法(利用銅將背面污染并對正面側的銅原子的量進行檢測的方法)來確認了充分的吸雜性的晶片，也可以是經過與確認了充分的吸雜性的晶片同樣的處理的晶片。

并且，本發明的評價裝置20的控制部24可以根據以吸雜性與抗彎強度的哪一個為優先來任意地設定合適范圍的上限、下限，作為一例，可以將合適范圍設為參考差分信號值的±20％的范圍的值，也可以設為根據參考差分信號值的標準偏差(σ)求出的值(例如參考差分信號值的±3σ)的范圍的值。并且，例如當與抗彎強度相比更重視吸雜性時，本發明的評價裝置20的控制部24也可以將合適范圍的上限設為比參考差分信號值增加10％的值并將下限設為減少20％的值。另一方面，在更重視抗彎強度的情況下，本發明的評價裝置20的控制部24也可以將下限設為從參考差分信號值減少10％的值并將上限設為增加20％的值。也可以僅考慮吸雜性而僅設定上限。

〔第2實施方式〕

根據附圖對本發明的第2實施方式的評價方法進行說明。圖6是示出執行本發明的第2實施方式的被加工物的評價方法的磨削研磨裝置的評價裝置的結構例的圖。圖7是示出通過圖6所示的評價裝置來測定參考差分信號值的器件晶片的測定位置的立體圖。在圖6和圖7中，對與第1實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖6所示，研磨裝置1-2作為第2實施方式的加工裝置，該研磨裝置1-2的評價裝置20-2除了具有激發光照射單元21、微波照射單元22、反射波接收部23和控制部24之外，還具有驅動部26和輸入部27。驅動部26使保持在搬出搬入位置a的保持單元7上的器件晶片w與微波照射單元22相對地移動。

在第2實施方式中，驅動部26使微波照射單元22相對于保持在搬出搬入位置a的保持單元7上的器件晶片w相對地移動，以使得評價裝置20-2取得保持在搬出搬入位置a的保持單元7上的圖7所示的器件晶片w的背面wr的穿過中心p的中心線cl上的微波的反射強度而取得差分信號。即，驅動部26使微波照射單元22沿著保持在搬出搬入位置a的保持單元7上的圖7所示的器件晶片w的背面wr的中心線cl移動。驅動部26由電動機、通過電動機的旋轉驅動力使微波照射單元22移動的絲杠、以及對微波照射單元22的移動方向進行引導的線性引導件構成。驅動部26的結構并不僅限于由電動機、絲杠和線性引導件構成的結構。

輸入部27與控制部24連接。輸入部27將保持在搬出搬入位置a的保持單元7上的器件晶片w的中心線cl的位置即微波照射單元22的移動范圍輸入控制部24。輸入部27將保持在搬出搬入位置a的保持單元7上的器件晶片w的中心線cl上的取得差分信號的位置輸入控制部24。在第2實施方式中，輸入部27將保持在搬出搬入位置a的保持單元7上的器件晶片w的中心線cl上的多個位置作為取得差分信號的位置而輸入控制部24。輸入部27由觸摸面板和鍵盤等中的至少一個構成。

在第2實施方式中，在測定工序中，評價裝置20-2的控制部24一邊使微波照射單元22沿著中心線cl移動，一邊在從輸入部27輸入的多個位置處從激發光l的照射范圍r和非照射范圍取得微波的反射強度而對差分信號進行計算。在對吸雜性進行判斷的工序中，評價裝置20-2對控制部24所取得的各位置的差分信號的強度是否在合適范圍內進行判定，并對各位置的吸雜性合適還是不合適進行存儲。

第2實施方式的加工裝置1-2即評價方法與第1實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。

并且，第2實施方式的加工裝置1-2即評價方法中，控制部24一邊使微波照射單元22相對于器件晶片w相對地移動一邊對從輸入部27輸入的多個位置的差分信號進行計算而對多個位置的吸雜性合適還是不合適進行判斷。因此，第2實施方式的加工裝置1-2即評價方法能夠進行器件晶片w的多個位置的吸雜性的好壞的判定，能夠按照每個器件d進行吸雜性的好壞的判定。并且，由于器件晶片w的吸雜性通常具有在器件晶片w的徑向上不同(不規則分布)的傾向，所以第2實施方式的加工裝置1-2即評價方法能夠一邊使微波照射單元22相對于器件晶片w沿著中心線cl移動一邊從差分信號計算部23c取得微波反射強度的差分信號而對器件晶片w整體的吸雜性的好壞進行推斷。另外，在本實施方式中也可以根據從圖4中得到的差分信號的上限/下限強度對是否包含在合適范圍內而對吸雜性進行判定，但并不僅限于此。例如，也可以對保證了吸雜性的參考晶片w的整個面或多個點照射激發光和微波，得到微波的反射強度而對差分信號進行計算，并根據該值來確定合適的范圍(作為吸雜性合適的基準的范圍)。

〔第3實施方式〕

根據附圖對本發明的第3實施方式的評價方法進行說明。圖8的(a)是示出執行本發明的第3實施方式的被加工物的評價方法的加工系統的一例的俯視圖。圖8的(b)是示出圖8的(a)所示的加工裝置的各工序的圖。在圖8的(a)和圖8(b)中，對與第1實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖8的(a)所示，第3實施方式的加工裝置1-3具有切削裝置101、疊片機102、磨削研磨裝置103、評價裝置20以及接口(圖8中以if標記)104，其中，該磨削研磨裝置103作為對器件晶片w實施包含對器件晶片w賦予吸雜性的加工在內的加工的裝置。如圖8的(b)所示，切削裝置101是在厚度方向上看從作為被加工物的器件晶片w的正面ws起對分割預定線s半切割至完工厚度以上的裝置。疊片機102將保護帶t粘貼在對分割預定線s進行了半切割的器件晶片w的正面ws上。磨削研磨裝置103具有第1實施方式的第1磨削單元3、第2磨削單元4和研磨單元5，對器件晶片w的背面wr進行磨削研磨加工而分割成器件d，并且在分割得到的各器件晶片w內形成吸雜層g。評價裝置20是對吸雜層g的好壞進行判定的裝置。器件晶片w經由接口104而依次搬送至切削裝置101、疊片機102、磨削研磨裝置103和評價裝置20。

第3實施方式的加工裝置1-3即評價方法與第1實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。

另外，第3實施方式的加工裝置1-3中，為了賦予具有吸雜性的吸雜層g而使用了磨削研磨裝置103，但本發明并不僅限于干式研磨加工，也可以使用執行能夠形成具有吸雜性(在結晶中生成應變)的吸雜層g的加工方法的裝置。作為執行能夠形成吸雜層g的加工方法的裝置，例如，本發明能夠使用磨削裝置、對研磨之后的器件晶片w執行等離子蝕刻的裝置、執行激光照射的裝置或執行離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)的裝置，其中，在磨削裝置中實施使用了高目數磨輪的加工。

〔第4實施方式〕

根據附圖對本發明的第4實施方式的評價方法進行說明。圖9是示出執行本發明的第4實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。在圖9中，對與第3實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖9所示，第4實施方式的加工裝置1-4除了將評價裝置20設置在作為吸雜性賦予裝置的磨削研磨裝置103之內以外，其結構與第3實施方式的加工裝置1-3相同。

第4實施方式的加工裝置1-4即評價方法與第3實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。另外，第4實施方式的加工裝置1-4與第3實施方式同樣，作為執行能夠賦予吸雜層g的加工方法的裝置，例如，也可以使用磨削裝置、對研磨之后的器件晶片w執行等離子蝕刻的裝置、執行激光光照射的裝置或執行離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)的裝置，其中，在磨削裝置中實施使用了高目數磨輪的加工。進而，在作為賦予吸雜性的加工能夠使用濕式的研磨加工等這一點上與第1實施方式同樣。

第3實施方式和第4實施方式的加工裝置1-3、1-4也可以代替切削裝置101而具有在器件晶片w的內部形成改質層的激光加工裝置。

〔第5實施方式〕

根據附圖對本發明的第5實施方式的評價方法進行說明。圖10是示出執行本發明的第5實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。在圖10中，對與第1實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖10所示，第5實施方式的加工裝置1-5的盒8和盒9排列在同一條直線上，搬出搬入單元14沿著盒8、9所排列的方向通過移動支承機構14b以自由移動的方式設置。加工裝置1-5具有搬送單元19，該搬送單元19通過移動支承機構19a以在與搬出搬入單元14的移動方向垂直的方向上自由移動的方式設置，并且由具有與搬出搬入單元14同樣的結構的u字型機械手14a的機器人拾取器構成。加工裝置1-5中，在將搬送單元19支承為自由移動的移動支承機構19a的靠盒8、9一側的一端部安裝有對位單元10和清洗單元13，在移動支承機構19a的中央部安裝有具有第1磨削單元3和第2磨削單元4的磨削裝置17和具有研磨單元5的研磨裝置18，在移動支承機構19a的遠離盒8、9的另一端部安裝有評價裝置20。

加工裝置1-5的搬出搬入單元14將器件晶片w從盒8搬送到設置于移動支承機構19a的一端部的暫放部25上，搬送單元19將器件晶片w從暫放部25搬送到對位單元10上。加工裝置1-5的搬送單元19將通過對位單元10進行了對位的器件晶片w依次搬送到磨削裝置17、研磨裝置18、評價裝置20和清洗單元13上。加工裝置1-5的磨削裝置17對器件晶片w進行粗磨削加工和精磨削加工，研磨裝置18對器件晶片w進行研磨加工，評價裝置20對器件晶片w的吸雜性進行評價。加工裝置1-5的清洗單元13對器件晶片w進行清洗，搬送單元19將清洗后的器件晶片w搬送到暫放部25上，搬出搬入單元14將清洗后的器件晶片w從暫放部25搬入到盒9中。

第5實施方式的加工裝置1-5即評價方法與第1實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。另外，第5實施方式的加工裝置1-5與第1實施方式同樣，為了賦予具有吸雜性的吸雜層g而使用所謂干式研磨加工，但并不僅限于干式研磨加工，例如，也可以使用磨削加工、對研磨之后的器件晶片w進行等離子蝕刻、激光照射或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)，其中，在該磨削加工中實施使用了高目數磨輪的加工。能夠使用濕式的研磨加工等這一點與第1實施方式等相同。并且，第5實施方式的加工裝置1-5也可以不設置暫放部25而通過搬出搬入單元14和搬送單元19來直接交接器件晶片w。

〔第6實施方式〕

根據附圖對本發明的第6實施方式的評價方法進行說明。圖11是示出執行本發明的第6實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。在圖11中，對與第5實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖11所示，第6實施方式的加工裝置1-6除了在將搬出搬入單元14支承為自由移動的移動支承機構14b的一端部安裝評價裝置20以及在清洗后執行對器件晶片w的吸雜層g的評價以外，其結構與第5實施方式相同。

第6實施方式的加工裝置1-6即評價方法與第1實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。另外，第6實施方式的加工裝置1-6與第1實施方式同樣，為了賦予具有吸雜性的吸雜層g而使用所謂干式研磨加工，但并不僅限于干式研磨加工，例如，也可以使用磨削加工、等離子蝕刻、激光照射或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)，其中，在該磨削加工中實施使用了高目數磨輪的加工。并且，在能夠使用濕式研磨加工等這一點上與第1實施方式等相同。

并且，本發明在第6實施方式中，也可以不在移動支承機構19a的一端部設置暫放部25而通過搬出搬入單元14和搬送單元19來直接交接器件晶片w。

〔第7實施方式〕

根據附圖對本發明的第7實施方式的評價方法進行說明。圖12是示出執行本發明的第7實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。在圖12中，對與第5實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖12所示，第7實施方式的加工裝置1-7除了不在移動支承機構19a的一端部配置暫放部25而設置對位單元10、在將搬送單元19支承為自由移動的移動支承機構19a的一端部安裝評價裝置20以及在清洗后執行器件晶片w的吸雜層g的評價以外，其結構與第5實施方式相同。

第7實施方式的加工裝置1-7即評價方法與第1實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。另外，第7實施方式的加工裝置1-7與第1實施方式同樣，為了賦予具有吸雜性的吸雜層g而使用所謂干式研磨加工，但例如也可以使用磨削加工、對研磨之后的器件晶片w進行等離子蝕刻、激光照射或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)，其中，在該磨削加工中實施使用了高目數磨輪的加工。在能夠使用濕式研磨加工等這一點上與第1實施方式等相同。

〔第8實施方式〕

根據附圖對本發明的第8實施方式的評價方法進行說明。圖13是示出執行本發明的第8實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。在圖13中，對與第5實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖13所示，在第8實施方式的加工裝置1-8中，在將搬送單元19支承為自由移動的移動支承機構19a的另一端部安裝有將第2搬出搬入單元16支承為自由移動的移動支承機構16a，在移動支承機構16a上設置有盒9。第2搬出搬入單元16由具有與搬出搬入單元14同樣的結構的u字型機械手14a的機器人拾取器構成。并且，在加工裝置1-8的移動支承機構19a的另一端部設置有暫放部25，該暫放部25供搬送單元19和第2搬送單元16兩者能夠搬送器件晶片w且能夠取出器件晶片w。在加工裝置1-8中，在將搬出搬入單元14支承為自由移動的移動支承機構14b上設置有盒8。搬出搬入單元14和第2搬出搬入單元16的移動方向互相平行。在第8實施方式的加工裝置1-8中，在將搬送單元19支承為自由移動的移動支承機構19a的另一端部上安裝有清洗單元13。第8實施方式的加工裝置1-8的除上述以外的結構是與第5實施方式相同的結構。

第8實施方式的加工裝置1-8即評價方法與第1實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。另外，第8實施方式的加工裝置1-8與第1實施方式同樣，為了賦予具有吸雜性的吸雜層g而使用所謂干式研磨加工，但并不僅限于干式研磨加工，例如，在能夠使用磨削加工、對研磨之后的器件晶片w進行等離子蝕刻、激光照射或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)等濕式研磨加工等這一點上與第1實施方式等相同，其中，在該磨削加工中實施使用了高目數磨輪的加工。

〔第9實施方式〕

根據附圖對本發明的第9實施方式的評價方法進行說明。圖14是示出執行本發明的第9實施方式的被加工物的評價方法的加工裝置的一例的俯視圖。在圖14中，對與第5實施方式相同的部分賦予相同的標號而省略說明。

如圖14所示，第9實施方式的加工裝置1-9除了使研磨裝置18和評價裝置20與將搬送單元19支承為自由移動的移動支承機構19a分離以及具有將器件晶片w從磨削裝置17搬送到研磨裝置18上的未圖示的搬送單元以外，其結構是與第5實施方式相同的結構。

第9實施方式的加工裝置1-9即評價方法與第1實施方式同樣，不利用金屬元素污染器件晶片w便能夠進行吸雜性的好壞的判定。另外，第9實施方式的加工裝置1-9與第1實施方式同樣，為了賦予具有吸雜性的吸雜層g而使用所謂干式研磨加工，但并不僅限于干式研磨加工，例如，在能夠使用磨削加工、對研磨之后的器件晶片w進行等離子蝕刻、激光照射或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)等濕式研磨加工的點上與第1實施方式等相同，其中，在該磨削加工中使用高號數磨粒并實施使用了高目數磨輪的加工。

關于前述的第1實施方式到第8實施方式的器件晶片的加工裝置1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6、1-7以及1-8的搬出搬入單元14和搬送單元19，示出了是具有u字型機械手14a的機器人拾取器，并通過u字型機械手14a對器件晶片w的一部分進行吸附保持而搬送的例子，但也可以具有對器件晶片w的整個面進行吸附保持的整面吸附式的吸附墊。并且，在前述的實施方式中，記載了經由暫放部25來交接器件晶片w的結構，但也可以通過搬出搬入單元14和搬送單元19來直接交接。尤其是在搬送對象的器件晶片w較薄的情況下有效。在前述的第1實施方式到第9實施方式中，評價裝置20構成了被加工物即器件晶片的加工裝置1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6、1-7、1-8和1-9，但在本發明中，也可以構成被加工物的制造裝置。即，從第1實施方式到第9實施方式的評價方法也可以是器件的制造方法。并且，本發明也可以不使用差分信號而根據從照射了激發光l的照射范圍r反射的微波mr的強度對吸雜性進行評價。并且，本發明也可以根據停止激發光l的照射而使從照射了激發光l的照射范圍r反射的微波mr的強度變為1/e以下的時間、即所謂再結合壽命對吸雜性進行評價。

根據第1實施方式到第9實施方式，能夠得到以下的評價裝置和加工裝置。

(附記1)

一種評價裝置，對在正面上形成有多個器件并且在內部形成有吸雜層的被加工物的吸雜性進行評價，該評價裝置的特征在于，具有：

激發光照射單元，其對被加工物照射用于激發出載流子的激發光l；

微波照射單元，其分別對所述被加工物的所述激發光l的照射范圍r和所述激發光l的照射范圍r外照射微波mt；

測定單元，其分別對來自所述被加工物的所述微波mr的反射波的強度進行測定，導出從來自所述照射范圍r的反射波的強度中減去來自所述照射范圍r外的反射波的強度而得的差分信號；以及

根據通過所述測定單元計算出的所述差分信號的強度對吸雜性進行判斷的單元。

(附記2)

一種加工裝置1，其特征在于，具有：

附記1所記載的評價裝置；以及

對所述被加工物進行加工的加工單元。

(附記3)

一種被加工物的制造方法，該被加工物在正面上形成有多個器件并且在內部形成有吸雜層，該被加工物的制造方法的特征在于，具有如下的工序：

第1工序，對被加工物照射用于激發出載流子的激發光l；

第2工序，分別對所述被加工物的所述激發光l的照射范圍r和所述激發光l的照射范圍r外照射微波mt；

第3工序，分別對來自所述被加工物的所述微波mr的反射波的強度進行測定，導出從來自所述照射范圍r的反射波的強度中減去來自所述照射范圍r外的反射波的強度而得的差分信號；以及

第4工序，根據通過所述測定單元計算出的所述差分信號的強度對所述吸雜層的吸雜性進行判斷。

另外，本發明并不僅限于上述實施方式、變形例。即，能夠在不脫離本發明的主旨的范圍內實施各種變形。