本發明屬于陶瓷金屬化領域，涉及一種氮化鋁陶瓷金屬化技術，尤其涉及一種氮化鋁陶瓷覆銅板及其制備方法。
背景技術：
隨著微電子技術的發展，各類型的電子器件功率越來越大，集成度越來越高，功能越來越復雜，同時led高功率照明的需求也日益增高，這一切都對電路板的散熱性能提出了更高的要求。
傳統的fr-4環氧樹脂覆銅板的熱導率僅為0.8w/m·k，有一些使用金屬鋁作為基材，在上面生成絕緣膜后用來制作覆銅板，這種方法使用的絕緣介質層熱阻很大，也不適合作為大功率電路的基板使用。目前廣為使用的氧化鋁陶瓷板的熱導率也只達到20w/m·k左右，已無法滿足高功率電路的要求。
氮化鋁陶瓷由于其高熱導率(理論值320w/m·k)，低介電常數，化學穩定性等等優勢，受到了越來越多的關注。但是，能夠浸潤氮化鋁的物質非常少，僅有鈦和融化的硅能浸潤，而鈦金屬不容易刻蝕。目前市面上的氮化鋁陶瓷覆銅板普遍存在著膜層結合強度低、膜層質量差、過渡層熱膨脹系數不匹配等等問題，這使得氮化鋁陶瓷基板的發展受到了制約，因此，如何解決氮化鋁陶瓷的金屬化問題便成為了一個重大難題。
中國專利cn105777210a公開了一種氮化鋁陶瓷覆銅板及其制備方法，其包括以下步驟：a、對氮化鋁陶瓷基底進行清洗；b、使用激光束以掃射速度為0.5～100mm/s、掃描間隔為0.001～0.01mm掃射氮化鋁陶瓷基底表面，制備激光活化層；c、在上述激光活化層上利用磁控濺射在低氣壓高電壓條件下沉積高能濺射銅層，所述的低氣壓高電壓指濺射氣壓為0.2～0.3pa，濺射電壓為350～600v；d、在高能濺射銅層上采用濺射鍍銅法、化學鍍銅法或蒸發鍍銅法制備低能銅膜。
上述氮化鋁陶瓷金屬化技術是將氮化鋁陶瓷活化，將銅層與氮化鋁陶瓷結合在一起。該方法制備的覆銅板具有一定的缺陷，如銅層和氮化鋁陶瓷的結合強度較低，金屬層容易脫落等，無法滿足生產要求。
技術實現要素：
為了克服上述缺陷，本發明提供了一種氮化鋁陶瓷覆銅板及其制作方法。
本發明為了解決其技術問題所采用的技術方案是：一種氮化鋁陶瓷覆銅板，包括氮化鋁陶瓷基底層，在氮化鋁陶瓷基底層的表面設有中頻磁控濺射沉積nicr合金過渡層，且在在nicr合金過渡層上采用磁控濺射鍍法沉積銅膜。
作為本發明的進一步改進，所述的濺射銅膜厚度為5μm。
一種氮化鋁陶瓷覆銅板的制備方法，包括以下步驟:
a、對氮化鋁陶瓷基底進行清洗；
b、用300w射頻等離子體進行離子清洗；
c、在離子清洗后氮化鋁基底上利用中頻磁控濺射沉積0.5μm的nicr合金過渡層，濺射氣壓為0.1～0.4pa，濺射電壓為400～650v；
d、在nicr合金過渡層上采用磁控濺射鍍法沉積銅膜，得到氮化鋁陶瓷覆銅板。
作為本發明的進一步改進，濺射銅膜時采用脈沖磁控濺射電流，占空比50%，頻率80khz，電流為1～3a。
本發明的有益效果是：本發明通過多層金屬代替單層的金砷合金或者純金來作為硅片背面的金屬鍍層，能與硅片形成良好的歐姆接觸；同時通過sn-au合金蒸發來產生共晶合金，具有無毒、成本低的優點。
附圖說明
圖1為本發明結構示意圖；
圖中標示：1-氮化鋁陶瓷基底層；2-nicr合金過渡層；3-銅膜。
具體實施方式
為了加深對本發明的理解，下面將結合實施例和附圖對本發明作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本發明，并不構成對本發明保護范圍的限定。
圖1示出了本發明一種氮化鋁陶瓷覆銅板的一種實施方式，包括氮化鋁陶瓷基底層1，在氮化鋁陶瓷基底層1的表面設有中頻磁控濺射沉積nicr合金過渡層2，且在nicr合金過渡層2上采用磁控濺射鍍法沉積銅膜3。
所述的濺射銅膜厚度為5μm。
如上的一種氮化鋁陶瓷覆銅板的制備方法，包括以下步驟:
a、對氮化鋁陶瓷基底進行清洗；
b、用300w射頻等離子體進行離子清洗；
c、在離子清洗后氮化鋁基底上利用中頻磁控濺射沉積0.5μm的nicr合金過渡層，濺射氣壓為0.1～0.4pa，濺射電壓為400～650v；
d、在nicr合金過渡層上采用磁控濺射鍍法沉積銅膜，得到氮化鋁陶瓷覆銅板。
實施例1
1）將規格為10mm×10mmm×0.3mm的純度99％氮化鋁陶瓷基片用丙酮、酒精體積比1:1混合溶液浸泡15min；去離子水沖洗后用質量濃度5％hf溶液浸泡1min；去離子水超聲清洗20min；高純度氮氣槍吹干后放入烘箱，120℃加熱20min；
2）用300w射頻等離子體進行離子清洗十分鐘；
3）利用中頻磁控濺射沉積ni80cr20合金過渡層，濺射氣壓為0.3pa，濺射電壓為500v，厚度為0.5um；
4）采用脈沖磁控濺射進行濺射鍍膜，靶材為純度99.99％的銅靶，本底真空度5×10-3pa，濺射氣體為ar氣(純度99.99％)，濺射氣壓0.2pa，占空比50%，頻率80khz，電流為2a，厚度為5μm。冷卻后取出，得到氮化鋁陶瓷覆銅板。
以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而已，并不用于限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。