技術特征：

技術總結
本發明公開了一種雙腔式等離子體沉積鍍膜方法，包括如下步驟：(1)抽真空；(2)放置襯底并調整到所需的工藝位置；(3)向第一反應腔室和第二反應腔室內通入工藝氣體，同時，向清洗氣體進氣通道內通入氮氣；(4)調整兩個反應腔室內的壓力；(5)預熱襯底，并對工藝氣體進行射頻處理，使工藝氣體在射頻的作用下形成等離子體，等離子體在襯底表面成膜，完成鍍膜。本方法通過在向第一反應腔室和第二反應腔室通入工藝氣體的同時，向清洗氣體進氣通道內通入氮氣，破除了清洗氣體進氣通道的真空狀態，平衡兩端的壓力，可以有效的消除兩腔室間氣流分配不均帶來的沉積速率上的差異，從而提高晶圓間工藝的均一性。

技術研發人員：王卓;戚艷麗;姜崴
受保護的技術使用者：沈陽拓荊科技有限公司
技術研發日：2017.05.22
技術公布日：2017.07.28