專利名稱：一種多晶硅料的清洗工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅料的清洗工藝，特別是一種用于拉制單晶用的多晶硅料的清洗工藝。
背景技術(shù)：
單晶硅太陽(yáng)能電池比多晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)電效率高1_2%，所以單晶硅電池很受歡迎。拉制單晶硅棒和多晶硅錠一樣都使用多晶硅原料，而其所用原料都需清洗，去除硅料表面雜質(zhì)。單晶拉制用多晶硅料，目前采用手動(dòng)和機(jī)動(dòng)清洗方式，存在用酸成本偏高和清洗質(zhì)量偏低問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明其目的就在于提供一種多晶硅料的清洗工藝，解決了多晶硅料清洗成本偏高和清洗質(zhì)量偏低的問(wèn)題。具有成本低、質(zhì)量好的特點(diǎn)，且操作簡(jiǎn)單、方便。本發(fā)明工藝路線為多晶硅料裝入花籃，浸入純水，撈取濾干，置入第一道混合酸液，浸入純水，置入第二道混合酸，浸入純水，三級(jí)溢流清洗，超聲清洗，硅料甩干脫水，干燥，冷卻，挑選包裝入庫(kù)。實(shí)現(xiàn)上述目的而采取的技術(shù)方案，包括
(1)將多晶硅料用純水洗凈，然后置入硝酸和氫氟酸的混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為4. 5-9L: 1-5L，時(shí)間30s—50s ；
(2)撈出浸入純水中；
(3)再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為9-15L:l-5L，時(shí)間 8s—20s ；
(4)撈出浸入純水中；
(5)超聲清洗；
(6)離心甩干與烘干爐干燥去水；
(7)分選；
(8)包裝入庫(kù)即可。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于，兩種不同配比的酸洗液循環(huán)交替使用， 直至酸液變成淡綠色才排放。酸洗液的多次使用，降低了酸的消耗量，同時(shí)提高了單晶用多晶硅料的品質(zhì)，可降低生產(chǎn)成本。解決了多晶硅料清洗成本偏高和清洗質(zhì)量偏低的問(wèn)題。具有成本低、質(zhì)量好的特點(diǎn)，且操作簡(jiǎn)單、方便。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明包括
(1) 將多晶硅料用純水洗凈，然后置入硝酸和氫氟酸的混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為4. 5-9L: 1-5L，時(shí)間30s—50s ；
3(2)撈出浸入純水中；
(3)再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為9-15L:l-5L，時(shí)間 8s—20s ；
(4)撈出浸入純水中；
(5)超聲清洗；
(6)離心甩干與烘干爐干燥去水；
(7)分選；
(8)包裝入庫(kù)即可。所述的超聲清洗設(shè)有三級(jí)溢流工序。所述的硝酸濃度為65% — 68%，氫氟酸濃度為49%純度為EL級(jí)。 實(shí)施例方案為將多晶硅料置入硝酸和氫氟酸的混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液重量比為4. 5-9L 1-5L，時(shí)間30s — 50s撈出浸入純水中；再置入第二道混合液(比例為 9-15L:l-5L)中清洗，時(shí)間8s— 20s撈出浸入純水中，繼而用硅料清洗機(jī)中的超聲清洗、再經(jīng)過(guò)硅料清洗機(jī)中的三級(jí)溢流段，然后轉(zhuǎn)入離心甩干與烘干爐干燥去水、分選、包裝入庫(kù)即可。清洗合格的多晶硅料最顯著的特點(diǎn)是有銀色光亮的光澤。回收利用方法，第一道酸洗液因長(zhǎng)時(shí)間清洗，氫氟酸(HF)量會(huì)減少，相應(yīng)與SI02 反應(yīng)能力會(huì)減弱，這時(shí)應(yīng)陸續(xù)補(bǔ)充加入氫氟酸(HF)，達(dá)到清洗效果。補(bǔ)充了氫氟酸(HF)量的第一道酸洗液比例已和原來(lái)的第二道酸洗液相似，將其轉(zhuǎn)為以后酸洗硅料的第一道酸洗液使用；而第二道混合液也隨著時(shí)間變長(zhǎng)，慢慢減弱其腐蝕硅料的作用，所以酸洗后的硅料光亮?xí)p弱。此時(shí)，第二道酸可轉(zhuǎn)為第一道酸洗液使用。一開始將多晶硅料置入純水中浸濕，使水滲透至多晶硅料的空隙中，會(huì)形成一種水膜保護(hù)硅料；如一開始將多晶硅料放入酸液中，酸會(huì)滲透到其空隙中易形成酸斑而不易洗干凈。所以硅料一開始浸入純水中，除上述效果外可洗去硅料表面的粉塵。混合酸是硝酸和氫氟酸配置，溶液為體積比，硝酸濃度為65%—68%，氫氟酸濃度為 49%純度為EL級(jí)。用本清洗方法清洗的多晶硅單晶用料，表面光亮、無(wú)酸斑、無(wú)水漬，清洗效果好。清洗成本底操作簡(jiǎn)單，易于控制清洗質(zhì)量，提高了清洗收益率。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅料的清洗工藝，其特征在于，包括(1)將多晶硅料用純水洗凈，然后置入硝酸和氫氟酸的混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為4. 5-9L: 1-5L，時(shí)間30s—50s ；(2)撈出浸入純水中；(3)再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為9-15L:l-5L，時(shí)間 8s—20s ；(4)撈出浸入純水中；(5)超聲清洗；(6)離心甩干與烘干爐干燥去水；(7)分選；(8)包裝入庫(kù)即可。
2.根椐權(quán)利要求1所述的一種多晶硅料的清洗工藝，其特征在于，所述的超聲清洗設(shè)有三級(jí)溢流工序。
3.根椐權(quán)利要求1所述的一種多晶硅料的清洗工藝，其特征在于，所述的硝酸濃度為 65% — 68%，氫氟酸濃度為49%純度為EL級(jí)。
全文摘要
一種多晶硅料的清洗工藝，包括將多晶硅料用純水洗凈，然后置入硝酸和氫氟酸的混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為4.5-9L:1-5L，時(shí)間30s—50s；撈出浸入純水中；再置入第二道混合液中清洗，硝酸和氫氟酸的混合液比例為9-15L:1-5L，時(shí)間8s—20s；撈出浸入純水中；超聲清洗；離心甩干與烘干爐干燥去水；分選；包裝入庫(kù)即可。解決了多晶硅料清洗成本偏高和清洗質(zhì)量偏低的問(wèn)題。具有成本低、質(zhì)量好的特點(diǎn)，且操作簡(jiǎn)單、方便。
文檔編號(hào)C01B33/037GK102502652SQ20111034813
公開日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者黃賢橫 申請(qǐng)人:江西旭陽(yáng)雷迪高科技股份有限公司