用于晶體硅擴(kuò)散的勻流板及其晶體硅擴(kuò)散工藝爐本發(fā)明涉及晶體硅擴(kuò)散裝置，具體是指用于晶體硅擴(kuò)散的勻流板及其晶體硅擴(kuò)散工藝爐。

背景技術(shù)：
在晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝中，目前所普遍采用的是POCL3液態(tài)源擴(kuò)散制作PN結(jié)，其原理是，在一個(gè)爐體內(nèi)放置晶體硅，通入工藝氣體進(jìn)行擴(kuò)散。在擴(kuò)散過程中，工藝氣體通過一個(gè)罩杯從爐管尾進(jìn)入爐內(nèi)，尾氣和未反應(yīng)的氣體通過尾氣管從爐口抽出。利用該方法進(jìn)行擴(kuò)散，工藝簡(jiǎn)單，成本較低，因而成為目前晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)制作PN結(jié)的主要方法。由于從爐尾進(jìn)入的工藝氣體溫度較低（室溫），工藝氣體在進(jìn)入爐內(nèi)（溫度800度左右）后會(huì)先下沉，經(jīng)加熱后再上升分散進(jìn)入硅片中心區(qū)域。這樣使得爐尾及靠近爐尾區(qū)域的方阻均勻性受到一定的影響。為了使整個(gè)爐管的硅片有較好的方阻均勻性，通常采用的方法是在進(jìn)氣口添加一個(gè)勻流管。但是勻流管存在諸多維護(hù)和安全上，成本上的問題。為了進(jìn)一步改善擴(kuò)散方阻的均勻性。現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案：目前業(yè)內(nèi)所采用的勻流管結(jié)構(gòu)延伸進(jìn)爐內(nèi)，勻流管延伸進(jìn)爐內(nèi)的一端封閉，其側(cè)壁處開有開口指向爐頂?shù)某鰵饪凇Ｆ渫ㄟ^使用勻流管將溫度低的工藝氣體往上通入到爐體頂部中，這樣使得低溫的工藝氣體在下沉的過程中加熱進(jìn)行擴(kuò)散。現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)：缺點(diǎn)1：由于爐尾進(jìn)氣管通道內(nèi)的溫度要遠(yuǎn)低于爐內(nèi)。因此工藝氣體在爐內(nèi)反應(yīng)生產(chǎn)的P2O5及容易在出氣口和勻流管壁上沉積，實(shí)踐證明，在用過一段時(shí)間之后，勻流管靠近進(jìn)氣端的外壁上都會(huì)沉積很厚的一層P2O5沉淀。在P2O5沉淀的長(zhǎng)期腐蝕作用下，勻流管壁就會(huì)被腐蝕穿，最后導(dǎo)致勻流管斷裂。現(xiàn)有設(shè)計(jì)勻流管的使用壽命一般只有1-2個(gè)月。這就變相地加大了勻流管的使用成本以及設(shè)備的維護(hù)時(shí)間。缺點(diǎn)2：工藝氣體進(jìn)入爐體內(nèi)之后，僅僅通過勻流管的上揚(yáng)作用，再依靠氣體自身在管內(nèi)均勻分布的方法不能很好的達(dá)到勻流的左右。上述爐尾區(qū)域是指工藝氣體進(jìn)入的區(qū)域。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供用于晶體硅擴(kuò)散的勻流板及其晶體硅擴(kuò)散工藝爐，本方案不在進(jìn)氣口增加勻流管，工藝氣體通過勻流板再進(jìn)入爐內(nèi)，這樣不但能解決爐尾區(qū)域氣體流向問題導(dǎo)致的方阻均勻性問題，對(duì)擴(kuò)散方塊電阻的均勻性起到了很好的改善作用，P2O5不會(huì)造成勻流板損壞，還不存在多次維護(hù)和安全上的問題。本發(fā)明的目的主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：用于晶體硅擴(kuò)散的勻流板，包括勻流板本體，勻流板本體按照區(qū)域劃分為爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域，爐頂板區(qū)域內(nèi)開有若干勻流通孔，爐底板區(qū)域?yàn)槊芊獍弩w。實(shí)現(xiàn)原理為：利用勻流板替代勻流管，在勻流板本體上設(shè)置分流的勻流通孔，且勻流通孔只位于爐頂板區(qū)域，即將勻流板本體安裝進(jìn)工藝爐爐體內(nèi)后，勻流通孔位于工藝爐爐體上部區(qū)域，這樣可以造成工藝氣體經(jīng)過勻流通孔后得到上揚(yáng)，這樣工藝氣體可以像設(shè)置勻流管時(shí)一樣先流通到多晶硅上方，工藝氣體在多晶硅上方開設(shè)下沉，被加熱后進(jìn)行擴(kuò)散，由于勻流板本體在安裝時(shí)才有密封安裝在工藝爐爐體的內(nèi)壁上，因此P2O5不會(huì)對(duì)勻流板本體造成的腐蝕。其不存在多次維護(hù)的問題，維護(hù)成本大大降低。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域的面積相等。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域均為半圓形或矩形。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域以勻流板本體的軸線對(duì)稱設(shè)置。優(yōu)選的，勻流通孔的大小一致均勻的分布在爐頂板區(qū)域內(nèi)。優(yōu)選的，勻流通孔的大小從爐頂板區(qū)域指向爐底板區(qū)域方向由大變小、且同一高度的勻流通孔大小一致的均勻分布在爐頂板區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明的技術(shù)方案，還包括在上述勻流板本體的基礎(chǔ)上建立的晶體硅擴(kuò)散工藝爐，包括工藝爐爐體和上述勻流板本體，勻流板本體橫擋在工藝爐爐體內(nèi)，且勻流板本體的邊緣與工藝爐爐體內(nèi)壁密封連接，且爐頂板區(qū)域位于工藝爐爐體上部區(qū)域，爐底板區(qū)域位于工藝爐爐體下部區(qū)域，工藝爐爐體一端設(shè)置有進(jìn)氣管，工藝爐爐體內(nèi)設(shè)置有硅片放置區(qū)域，勻流板本體位于進(jìn)氣管與有硅片放置區(qū)域之間。進(jìn)氣管的軸線與勻流板本體表面垂直。工藝爐爐體內(nèi)還設(shè)置有尾氣管，尾氣管的進(jìn)氣端位于硅片放置區(qū)域遠(yuǎn)離勻流板本體的一側(cè)，且尾氣管沿著工藝爐爐體底部?jī)?nèi)壁敷設(shè)。優(yōu)選的，尾氣管的進(jìn)氣端位于工藝爐爐體內(nèi)距離勻流通孔最遠(yuǎn)的點(diǎn)上。上述工藝爐爐體的工作過程為：工藝氣體從進(jìn)氣管內(nèi)進(jìn)入到工藝爐爐體內(nèi)，工藝氣體在勻流板本體與進(jìn)氣管之間的區(qū)域內(nèi)聚集后，通過勻流通孔上揚(yáng)到工藝爐爐體內(nèi)上部區(qū)域，在多晶硅上方聚集，由于工藝氣體為室溫氣體，因此進(jìn)入到工藝爐爐體后的工藝氣體會(huì)產(chǎn)生下沉現(xiàn)象，因此工藝氣體從多晶硅上方往多晶硅下方流動(dòng)，最后到達(dá)工藝爐爐體內(nèi)底部區(qū)域，由尾氣管的進(jìn)氣端位于硅片放置區(qū)域遠(yuǎn)離勻流板本體的一側(cè)、且尾氣管沿著工藝爐爐體底部?jī)?nèi)壁敷設(shè)，因此可加劇工藝氣體由多晶硅上方往多晶硅下方流動(dòng)的趨勢(shì)。這樣可致使擴(kuò)散均勻，得到的多晶硅的方阻均勻。本發(fā)明的有益效果為：1.在改善爐體內(nèi)氣流均勻性的同時(shí)，降低更換成本和維護(hù)時(shí)間，達(dá)到降本增效的效果。2.降低因勻流管被腐蝕斷裂而造成的方塊電阻異常等風(fēng)險(xiǎn)。3.進(jìn)一步起到勻流氣體的作用，改善擴(kuò)散后方塊電阻的均勻性。附圖說(shuō)明圖1為實(shí)施例1勻流板本體的示意圖。圖2為實(shí)施例2勻流板本體的示意圖。圖3為工藝爐爐體的示意圖。圖4為選取5片多晶硅做實(shí)驗(yàn)的多晶硅位置示意圖。圖5為同一片多晶硅內(nèi)風(fēng)阻測(cè)試點(diǎn)的位置示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例1：如圖1和圖3所示。用于晶體硅擴(kuò)散的勻流板，其特征在于：包括勻流板本體1，勻流板本體1按照區(qū)域劃分為爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域，爐頂板區(qū)域內(nèi)開有若干勻流通孔2，爐底板區(qū)域?yàn)槊芊獍弩w。實(shí)現(xiàn)原理為：利用勻流板替代勻流管，在勻流板本體1上設(shè)置分流的勻流通孔2，且勻流通孔2只位于爐頂板區(qū)域，即將勻流板本體1安裝進(jìn)工藝爐爐體3內(nèi)后，勻流通孔2位于工藝爐爐體3上部區(qū)域，這樣可以造成工藝氣體經(jīng)過勻流通孔2后得到上揚(yáng)，這樣工藝氣體可以像設(shè)置勻流管時(shí)一樣先流通到多晶硅上方，工藝氣體在多晶硅上方開設(shè)下沉，被加熱后進(jìn)行擴(kuò)散，由于勻流板本體1在安裝時(shí)才有密封安裝在工藝爐爐體3的內(nèi)壁上，因此P2O5不會(huì)對(duì)勻流板本體1造成的腐蝕。其不存在多次維護(hù)的問題，維護(hù)成本大大降低。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域的面積相等。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域均為半圓形。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域以勻流板本體1的軸線對(duì)稱設(shè)置。優(yōu)選的，勻流通孔2的大小一致均勻的分布在爐頂板區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明的技術(shù)方案，還包括在上述勻流板本體1的基礎(chǔ)上建立的晶體硅擴(kuò)散工藝爐，包括工藝爐爐體3和上述勻流板本體1，勻流板本體1橫擋在工藝爐爐體3內(nèi)，且勻流板本體1的邊緣與工藝爐爐體3內(nèi)壁密封連接，且爐頂板區(qū)域位于工藝爐爐體3上部區(qū)域，爐底板區(qū)域位于工藝爐爐體3下部區(qū)域，工藝爐爐體3一端設(shè)置有進(jìn)氣管6，工藝爐爐體3內(nèi)設(shè)置有硅片放置區(qū)域，勻流板本體1位于進(jìn)氣管6與有硅片放置區(qū)域之間。進(jìn)氣管6的軸線與勻流板本體1表面垂直。工藝爐爐體3內(nèi)還設(shè)置有尾氣管7，尾氣管7的進(jìn)氣端位于硅片放置區(qū)域遠(yuǎn)離勻流板本體1的一側(cè)，且尾氣管7沿著工藝爐爐體3底部?jī)?nèi)壁敷設(shè)。優(yōu)選的，尾氣管7的進(jìn)氣端位于工藝爐爐體3內(nèi)距離勻流通孔2最遠(yuǎn)的點(diǎn)上。上述工藝爐爐體3的工作過程為：工藝氣體從進(jìn)氣管6內(nèi)進(jìn)入到工藝爐爐體3內(nèi)，工藝氣體在勻流板本體1與進(jìn)氣管6之間的區(qū)域內(nèi)聚集后，通過勻流通孔2上揚(yáng)到工藝爐爐體3內(nèi)上部區(qū)域，在多晶硅上方聚集，由于工藝氣體為室溫氣體，因此進(jìn)入到工藝爐爐體3后的工藝氣體會(huì)產(chǎn)生下沉現(xiàn)象，因此工藝氣體從多晶硅上方往多晶硅4下方流動(dòng)，最后到達(dá)工藝爐爐體3內(nèi)底部區(qū)域，由尾氣管7的進(jìn)氣端位于硅片放置區(qū)域遠(yuǎn)離勻流板本體1的一側(cè)、且尾氣管7沿著工藝爐爐體3底部?jī)?nèi)壁敷設(shè)，因此可加劇工藝氣體由多晶硅上方往多晶硅下方流動(dòng)的趨勢(shì)。這樣可致使擴(kuò)散均勻，得到的多晶硅的方阻均勻。工藝爐爐體3的另一端設(shè)置有爐門5，爐門5可以開啟或關(guān)閉。方便進(jìn)行裝料和卸料。實(shí)施例2如圖2所示。本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于：勻流通孔2的大小從爐頂板區(qū)域指向爐底板區(qū)域方向由大變小、且同一高度的勻流通孔2大小一致的均勻分布在爐頂板區(qū)域內(nèi)。上述實(shí)施例中，勻流通孔2的大小不是均一的，越靠近工藝爐爐體3頂部的地方孔洞越大。優(yōu)選以百分之十的比例變化，即從工藝爐爐體3頂部到工藝爐爐體3底部方向相鄰的勻流通孔2之間的大小比為百分之十。實(shí)施例3本實(shí)施例在實(shí)施例1和實(shí)施例2的基礎(chǔ)上：勻流通孔2的孔軸線與工藝爐爐體3的軸線呈30度-80度的夾角。勻流通孔2上揚(yáng)指向工藝爐爐體3頂部。這樣可進(jìn)一步的造成氣流上揚(yáng)。優(yōu)選80度和60度或80度至60度之間的數(shù)據(jù)做實(shí)驗(yàn)。圖中的箭頭表示為工藝氣體的流向。數(shù)據(jù)說(shuō)明：如圖4和圖5所示，圖4中，在工藝爐爐體內(nèi)部存在500片多晶硅4，500片多晶硅4中等間距的選取5片用于測(cè)定方阻數(shù)據(jù)，如圖3所示，5片用于測(cè)定方阻數(shù)據(jù)的多晶硅4分別是：片1A、片2B、片3C、片4D、片5E；如圖5，圖5為同一個(gè)多晶硅4中選取5個(gè)測(cè)試點(diǎn)用于測(cè)試片內(nèi)的方阻數(shù)據(jù)，這5個(gè)測(cè)試點(diǎn)分別是：點(diǎn)1A1、點(diǎn)2B1、點(diǎn)3C1、點(diǎn)4D1、點(diǎn)5E1；實(shí)施例3的數(shù)據(jù)是在實(shí)施例2的基礎(chǔ)上完成的。點(diǎn)1A1、點(diǎn)2B1、點(diǎn)4D1、點(diǎn)5E1為邊緣點(diǎn)；點(diǎn)3C1為中間點(diǎn)。根據(jù)上述3個(gè)實(shí)施例分別做出試驗(yàn)后，得到方阻參數(shù)為：片1方阻表：片2方阻表：片3方阻表：片4方阻表：片5方阻表：根據(jù)上述方阻表計(jì)算得出的不均勻性表：傳統(tǒng)技術(shù)得到的片間不均勻性和片內(nèi)不均勻性均在10%以上，本發(fā)明相比傳統(tǒng)技術(shù)而言，具備顯著的進(jìn)步性。如上表，實(shí)施例3的數(shù)據(jù)效果最佳，優(yōu)選實(shí)施例3作為技術(shù)實(shí)現(xiàn)手段。如上則可較好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。