技術(shù)特征：

1.一種支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的溫度范圍內(nèi)的平均線性熱膨脹系數(shù)超過81×10^－7/℃且為110×10^－7/℃以下。

2.一種支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的溫度范圍內(nèi)的平均線性熱膨脹系數(shù)超過85×10^－7/℃且為115×10^－7/℃以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，其在半導體封裝體的制造工序中用于加工基板的支承。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的支承玻璃基板，其特征在于，其是通過溢流下拉法成型而成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的支承玻璃基板，其特征在于，楊氏模量為65GPa以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的支承玻璃基板，其特征在于，以質(zhì)量％計含有SiO₂50％～80％、Al₂O₃ 1％～20％、B₂O₃ 0％～20％、MgO 0％～10％、CaO 0％～10％、SrO 0％～7％、BaO 0％～7％、ZnO 0％～7％、Na₂O 0％～25％、K₂O 0％～25％作為玻璃組成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，以質(zhì)量％計含有SiO₂ 55％～70％、Al₂O₃ 3％～18％、B₂O₃ 0％～8％、MgO 0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na₂O 2％～23％、K₂O 0％～20％作為玻璃組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的支承玻璃基板，其特征在于，板厚小于2.0mm，板厚偏差為30μm以下，且翹曲量為60μm以下。

9.一種層疊體，其特征在于，其為至少具備加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的層疊體，支承玻璃基板為權(quán)利要求1～8中任一項所述的支承玻璃基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的層疊體，其特征在于，加工基板至少具備用密封材料進行了密封的半導體芯片。

11.一種半導體封裝體的制造方法，其特征在于，具有如下工序：準備至少具備加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的層疊體的工序、

輸送層疊體的工序、和

對加工基板進行加工處理的工序；

并且，支承玻璃基板為權(quán)利要求1～8中任一項所述的支承玻璃基板。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體封裝體的制造方法，其特征在于，加工處理包括在加工基板的一個表面進行布線的工序。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的半導體封裝體的制造方法，其特征在于，加工處理包括在加工基板的一個表面形成焊料凸塊的工序。

14.一種半導體封裝體，其特征在于，其是利用權(quán)利要求11～13中任一項所述的半導體封裝體的制造方法制作的。

15.一種電子設備，其特征在于，其為具備半導體封裝體的電子設備，半導體封裝體為權(quán)利要求14所述的半導體封裝體。