1.一種用于晶體生長的調節反應釜，包括釜體和設在釜體內的加熱器，其特征在于，所述釜體內至少設置一個晶體生長用坩堝和一個反應物溶液調整坩堝，該晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝通過充滿反應物溶液的連通管路連接，釜體上設有升降移動控制機構，該升降移動控制機構分別與晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝連接，帶動該晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝上升或下降。
2.根據權利要求1所述的用于晶體生長的調節反應釜，其特征在于，所述連通管路至少設置一條。
3.根據權利要求2所述的用于晶體生長的調節反應釜，其特征在于，所述連通管路由石英、陶瓷、高純銅管或不銹鋼管材料制成。
4.根據權利要求3所述的用于晶體生長的調節反應釜，其特征在于，所述晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝的側面和底面均設有加熱器。
5.根據權利要求4所述的用于晶體生長的調節反應釜，其特征在于，所述晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝的數量相同或者不同。
6.根據權利要求5所述的用于晶體生長的調節反應釜，其特征在于，所述加熱器為紅外加熱器、電阻加熱器或射頻加熱器。
7.一種根據權利要求1-6中任一項所述的用于晶體生長的調節反應釜的控制方法，包括以下步驟：
初始狀態下，在晶體生長用坩堝放置晶種模板和填充反應物溶液，在反應物溶液調整坩堝內填充反應物溶液，晶體生長用坩堝的液面和反應物溶液調整坩堝的液面位于同一高度；
啟動加熱器進行加熱升溫，同時往釜體內引入氮氣；
在加熱升溫過程中，調整晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝的相對高度，使晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝內的反應物溶液經連通管路相互流動，直到晶體生長完成；
晶體生長完成后，使晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝復位，重新保持液面相同的高度。
8.根據權利要求7所述的用于晶體生長的調節反應釜的控制方法，其特征在于，在控制晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝的相對高度時，保持晶體生長用坩堝靜止不動，使反應物溶液調整坩堝上升和下降；或者保持反應物溶液調整坩堝靜止不動，使晶體生長用坩堝上升和下降；或者晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝分別上升和下降。
9.根據權利要求7所述的用于晶體生長的調節反應釜的控制方法，其特征在于，所述晶體生長用坩堝和/或反應物溶液調整坩堝在上升和下降時，以連續運動、周期運動或間歇運動的方式進行運動。
10.根據權利要求7所述的用于晶體生長的調節反應釜的控制方法，其特征在于，在加熱升溫過程中，晶體生長用坩堝和反應物溶液調整坩堝的溫度相同或者不相同。