技術總結
本發明提供了一種直拉單晶產業化直徑生長自控的工藝方法，包括以下步驟：1)、固定導流筒位置,確定爐體內導流筒下沿位置；2)、固定液面位置,確定坩堝內硅溶液液面距導流筒下沿位置；3)、固定CCD攝像機位置,將CCD攝像機的攝像頭正對坩堝內硅液單晶生長光圈，通過CCD攝像機采集拉晶時的外徑尺寸；4)、首爐直徑校正；5)、拉晶生產。本發明所述的一種直拉單晶產業化直徑生長自控的工藝方法中，通過該方法實現產業化規模化生產一種直徑規格的單晶時，自動控制每爐單晶生長直徑，保證每爐單晶直徑值幾乎一致，不需要每爐反復校正，提高自動化水平；降低勞動強度，降低人工成本；降低回收料比例。

技術研發人員：王建平;李建弘;郝勇;王巖
受保護的技術使用者：內蒙古中環光伏材料有限公司
文檔號碼：201611116993
技術研發日：2016.12.07
技術公布日：2017.05.10