技術特征：

1.一種碳化硅寶石的生長方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）使用的石墨襯底為蜂窩狀，所述石墨襯底一邊為平面結構，另一邊為蜂窩狀開孔結構，將所述石墨襯底的平面結構一面固定在坩堝上蓋上；

（2）SiC粉料放于石墨坩堝底部，坩堝上蓋與SiC粉料相對放置，放入感應加熱爐進行SiC單晶生長；

（3）在SiC單晶生長過程中，生長溫度保持在1800℃-2400℃，生長壓力1×10^-4Pa-1×10⁴Pa，同時，爐內通入惰性氣體；

（4）SiC粉料升華生成Si、Si₂C 和 SiC₂等氣相組分,氣相組分逐步在蜂窩狀石墨襯底開孔處沉積，得到SiC單晶顆粒。

2.如權利要求1所述的一種碳化硅寶石的生長方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述石墨襯底的蜂窩狀開孔形狀包括但不限于圓錐形、半圓形、長方形。

3.如權利要求1所述的一種碳化硅寶石的生長方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述石墨襯底的蜂窩狀開孔結構的開孔深度為1mm-20mm，開孔直徑與開孔深度比例為0.5:1-2:1。

4.如權利要求1所述的一種碳化硅寶石的生長方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述石墨襯底的材質為孔隙率≤10%的石墨。

5.如權利要求1所述的一種碳化硅寶石的生長方法，其特征在于，所述步驟（1）中，將所述石墨襯底的平面結構一面通過機械方式或者粘結方式固定在坩堝上蓋上。

6.如權利要求1所述的一種碳化硅寶石的生長方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述惰性氣體為氬氣或氦氣。