技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種碳化硅寶石的生長(zhǎng)方法，通過(guò)使用蜂窩狀石墨襯底，該石墨襯底一面固定在坩堝上蓋上，另一面與SiC粉料相對(duì)放置，可以同時(shí)生長(zhǎng)多個(gè)SiC單晶顆粒；當(dāng)石墨坩堝放入感應(yīng)加熱爐中進(jìn)行SiC單晶生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度1800℃?2400℃，生長(zhǎng)壓力1×10?4Pa?1×104Pa，得到的SiC顆粒直接用做SiC寶石原料。由此，得到SiC單晶顆粒可以直接作為寶石原料，不需要線切割處理，提高生產(chǎn)效率；無(wú)需使用線切割耗材且沒(méi)有線切割造成的晶體損耗，提高晶體可用比例，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：喬松;楊昆;高宇;鄭清超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號(hào)碼：201611125976
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.05.31