1.一種SiC寶石的熱處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）將加工后的SiC寶石顆粒放入多孔小石墨坩堝中，用于將所述SiC寶石與SiC粉料隔離；
（2）將所述多孔小石墨坩堝放入大石墨坩堝中，使所述多孔小石墨坩堝的中心與大石墨坩堝的中心位于同一軸線(xiàn)上；
（3）在所述大石墨坩堝內(nèi)、多孔小石墨坩堝外四周填充所述SiC粉料，用于熱處理過(guò)程中，所述SiC粉料發(fā)生升華，產(chǎn)生的氣相組分透過(guò)所述多孔小石墨坩堝進(jìn)入其內(nèi)部，提高SiC寶石周?chē)臍庀嘟M分濃度，抑制SiC寶石表面升華；
（4）將所述多孔小石墨坩堝與大石墨坩堝組成的石墨坩堝組放入感應(yīng)加熱爐中，在所述大石墨坩堝外部四周放置保溫氈，逐步升溫至1000℃-1500℃；
（5）向所述感應(yīng)加熱爐內(nèi)通入惰性氣體，且所述感應(yīng)加熱爐內(nèi)壓力保持在0.5atm-1atm，完成SiC寶石的熱處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，所述多孔小石墨坩堝為圓柱形，圓柱頂端具有封閉所述多孔小石墨坩堝的上蓋，所述多孔小石墨坩堝的孔隙率大于20%，用于所述SiC粉料發(fā)生升華，產(chǎn)生的氣相組分透過(guò)所述多孔小石墨坩堝進(jìn)入其內(nèi)部，提高SiC寶石周?chē)臍庀嘟M分濃度，抑制SiC寶石表面升華。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其特征在于，所述氣相組分為Si、Si2C 或 SiC2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，所述大石墨坩堝為圓柱形，體積比所述多孔小石墨坩堝大，將所述多孔小石墨坩堝置于所述大石墨坩堝內(nèi)中心處，組成所述石墨坩堝組，所述大石墨坩堝的孔隙率小于10%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其特征在于，所述SiC粉料的粒徑小于1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣和氦氣。