技術總結
本發明屬于SiC寶石處理技術領域，具體涉及一種SiC寶石的熱處理方法。包括以下步驟：（1）將加工后的SiC寶石顆粒放入多孔小石墨坩堝中；（2）將所述多孔小石墨坩堝放入大石墨坩堝中，使所述多孔小石墨坩堝的中心與大石墨坩堝的中心位于同一軸線上；（3）在所述大石墨坩堝內、多孔小石墨坩堝外四周填充所述SiC粉料；（4）將所述多孔小石墨坩堝與大石墨坩堝組成的石墨坩堝組放入感應加熱爐中，在所述大石墨坩堝外部四周放置保溫氈，逐步升溫至1000℃?1500℃；（5）向所述感應加熱爐內通入惰性氣體，且所述感應加熱爐內壓力保持在0.5atm?1atm，完成SiC寶石的熱處理。該方法有效防止了熱處理過程中SiC寶石表面的升華，提高SiC寶石品質的均一性。

技術研發人員：喬松;楊昆;高宇;鄭清超
受保護的技術使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號碼：201611126162
技術研發日：2016.12.09
技術公布日：2017.05.10