技術總結
本發明公開了一種SiC基復相陶瓷及其制備方法。該SiC基復相陶瓷包括Si和SiC，其中，SiC為連續基體相，Si為游離相，游離相分布于SiC基復相陶瓷表面的連續基體相中。該制備方法包括以下步驟：（1）將混合固相、有機單體、交聯劑和水混合后球磨，得到預混合漿料，所述混合固相由炭黑和α?SiC陶瓷粉組成；再將所述預混合漿料進行真空除氣后與偶氮化合物混合，得到混合漿料；（2）凝膠注模成型；（3）氣相滲硅燒結。該SiC基復相陶瓷具有致密度高、熱導率高、熱膨脹系數低、可拋光性能優異等優點；該制備方法周期短、燒結溫度低，無燒結收縮、成品性能可控、可適應復雜形狀的SiC基陶瓷元件的凈尺寸成型。

技術研發人員：劉榮軍;黃祿明;王衍飛;曹英斌;賀鵬博;萬帆;張長瑞
受保護的技術使用者：中國人民解放軍國防科學技術大學
文檔號碼：201611182577
技術研發日：2016.12.20
技術公布日：2017.05.31