本發(fā)明屬于陶瓷基復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
隨著高速飛行器的快速發(fā)展，天線罩或天線窗用高溫透波材料面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)，迫切要求其綜合性能的不斷提升，具體包括：長(zhǎng)時(shí)間高溫承載能力，優(yōu)異的常溫及高溫介電性能(介電常數(shù)ε＜4，損耗角正切tans＜0.01)，優(yōu)異的抗熱沖擊性能，良好耐燒蝕性能，較低的熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù)，以及良好的耐環(huán)境性能等。
當(dāng)前，石英纖維增強(qiáng)二氧化硅(sio2f/sio2)復(fù)合材料是研發(fā)最成熟、應(yīng)用最廣泛的高溫透波材料之一，具有優(yōu)異的介電性能和抗熱沖擊性能，但在1000℃以上的高溫條件下，石英纖維會(huì)發(fā)生明顯的析晶現(xiàn)象，纖維強(qiáng)度大幅下降，導(dǎo)致復(fù)合材料無(wú)法滿足更高溫度條件下的使用要求。為了解決材料的高溫承載問(wèn)題，有必要采用新一代耐高溫透波纖維作為增強(qiáng)體。國(guó)防科大李端等以連續(xù)bn纖維為增強(qiáng)體，采用溶膠凝膠工藝制備了氮化硼纖維增強(qiáng)石英(bnf/sio2)復(fù)合材料(d.li，c.r.zhang，b.li，etc.，preparationandpropertiesofunidirectionalboronnitridefibrereinforcedboronnitridematrixcompositesviaprecursorinfiltrationandpyrolysisroute，materialsscienceandengineeringa，2011，528：8169-8173)。研究發(fā)現(xiàn)bn纖維雖然具有較好的熱穩(wěn)定性，但制備出的復(fù)合材料具有較高孔隙率，并且呈現(xiàn)出脆性斷裂，嚴(yán)重影響了材料的使用可靠性。國(guó)防科大鄒春榮等采用先驅(qū)體浸漬裂解工藝制備出氮化硅纖維增強(qiáng)氮化硼(si3n4f/bn)復(fù)合材料(c.r.zou，b.li，s.q.wang，etc.，fabricationandhigh-temperaturemechanicalpropertiesof2.5dsi3n4f/bnfiber-reinforcedceramicmatrixcomposite，materialsanddesign，2016(92)：335-344)。該材料的相對(duì)密度達(dá)91％，1300℃高溫條件下的彎曲強(qiáng)度可以達(dá)到73.4mpa左右，并且表現(xiàn)出一定的韌性斷裂，基本能夠滿足高溫長(zhǎng)航時(shí)飛行器的使用需求，但問(wèn)題在于氮化硼陶瓷先驅(qū)體的價(jià)格昂貴，對(duì)人體也有較大的毒害作用，導(dǎo)致成型制備條件相對(duì)苛刻。因此，有必要開(kāi)發(fā)一種綜合性能優(yōu)異，且制備簡(jiǎn)單、成本較低的高溫透波材料。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種致密度高、耐溫性好、抗氧化性能優(yōu)異、耐燒蝕、耐沖刷、承載能力強(qiáng)、且具有優(yōu)良的介電性能的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料，并相應(yīng)提供一種制備工藝簡(jiǎn)單、成本相對(duì)低廉、適于工業(yè)化生產(chǎn)的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料的制備方法，另外還提供該氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料作為高溫透波材料的應(yīng)用。
本發(fā)明的技術(shù)思路之一在于：
氮化硅纖維使用溫度可以達(dá)到1400℃以上，具有良好的耐高溫性能以及優(yōu)良的介電性能，通過(guò)陶瓷基體致密化后，理論上可應(yīng)用于高溫透波材料領(lǐng)域。然而，申請(qǐng)人在將新一代連續(xù)si3n4纖維與石英陶瓷基體復(fù)合并應(yīng)用于高溫透波材料領(lǐng)域的研究中發(fā)現(xiàn)：由于氮化硅纖維本身帶有有機(jī)膠，采用常規(guī)的浸漬-裂解工藝制備復(fù)合材料的程中，這種有機(jī)膠在高溫下會(huì)在纖維表面生成殘留碳，從而影響所制備的復(fù)合材料的透波性能。另外，氮化硅纖維需要長(zhǎng)期耐受濕熱等環(huán)境的考驗(yàn)，對(duì)纖維表面結(jié)構(gòu)以及整體性能可能造成不良影響；同時(shí)，在高溫使用環(huán)境中，氮化硅纖維與石英基體有發(fā)生強(qiáng)界面結(jié)合的趨勢(shì)，導(dǎo)致復(fù)合材料呈脆性斷裂。為消除纖維表面的殘留碳、減小氮化硅纖維損傷并改善復(fù)合材料界面結(jié)合，本發(fā)明在將si3n4連續(xù)纖維與陶瓷基體復(fù)合前，巧妙地將si3n4連續(xù)纖維表面的有機(jī)膠進(jìn)行熱解處理，生成熱解碳涂層將si3n4連續(xù)纖維包裹保護(hù)起來(lái)，能夠起到一定的隔絕環(huán)境的作用，避免制備工藝對(duì)si3n4連續(xù)纖維造成不必要的損傷；在得到致密化復(fù)合材料之后，再對(duì)生成的復(fù)合材料進(jìn)行除碳處理，則能夠在纖維和基體之間形成一定孔隙，起到弱化界面結(jié)合的目的，并能夠消除si3n4連續(xù)纖維表面的碳涂層對(duì)復(fù)合材料透波性能的影響，從而制備出綜合性能優(yōu)異的耐高溫透波氮化硅纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料。
本發(fā)明的技術(shù)思路之二在于：
本發(fā)明采用連續(xù)si3n4纖維作為增強(qiáng)體，利用氮化硅纖維本身的耐高溫性能，可以提高材料的制備溫度，且有利于陶瓷材料的致密化，大大提高復(fù)合材料的整體耐溫性能。在陶瓷基體的選擇上，采用溶膠-凝膠工藝制備出si3n4f/sio2復(fù)合材料，再通過(guò)先驅(qū)體浸漬裂解工藝對(duì)si3n4f/sio2進(jìn)行致密化處理，制備出高致密度的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料。一方面，以石英為主要陶瓷基體，可以保證材料具有優(yōu)異的介電性能，而且可以大大降低成本，減輕人體毒害作用；另一方面，引入bn耐高溫陶瓷基體，能夠填充材料孔隙，提高材料致密程度，從而減少材料缺陷、堵塞氧氣通道，同時(shí)可以大大提高材料的耐燒蝕和抗氧化性能。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：
一種氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料，包括si3n4纖維預(yù)制件、sio2陶瓷基體和bn陶瓷基體，所述sio2陶瓷基體和bn陶瓷基體均勻填充于si3n4纖維預(yù)制件的空隙中。
上述的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料，優(yōu)選的，所述sio2和bn陶瓷基體在氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料中體積分?jǐn)?shù)之和為10％～75％。
上述的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料，優(yōu)選的，所述si3n4纖維預(yù)制件為si3n4纖維束經(jīng)單向鋪排得到的單向si3n4纖維預(yù)制件、經(jīng)二維編織得到的二維si3n4纖維預(yù)制件、經(jīng)2.5d編制或二維編織加穿刺得到的二維半si3n4纖維預(yù)制件或經(jīng)三維編織得到的三維si3n4纖維預(yù)制件；所述si3n4纖維預(yù)制件中纖維的體積分?jǐn)?shù)為20％～60％。
作為一個(gè)總的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：
(1)排膠處理：將si3n4纖維預(yù)制件在真空或惰性氣氛下進(jìn)行排膠熱處理，使si3n4纖維預(yù)制件中的有機(jī)膠熱解，生成熱解碳涂層；
(2)制備si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體：將經(jīng)步驟(1)處理的si3n4纖維預(yù)制件置于硅溶膠中，進(jìn)行真空浸漬，使所述硅溶膠填充在si3n4纖維預(yù)制件的孔隙中；再移出凝膠干燥；最后在惰性氣氛保護(hù)下進(jìn)行燒結(jié)，使二氧化硅固體致密化；重復(fù)真空浸漬-凝膠干燥-燒結(jié)過(guò)程，得到si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體；
(3)制備si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體：將步驟(2)所得的si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體置于bn先驅(qū)體中進(jìn)行真空浸漬，之后在惰性氣氛下進(jìn)行加壓交聯(lián)固化，再在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行裂解。重復(fù)上述浸漬-交聯(lián)-裂解過(guò)程，得到si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體；
(4)除碳處理：將步驟(3)所得的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體在有氧環(huán)境下進(jìn)行除碳熱處理，使熱解碳涂層與氧反應(yīng)，生成氣體逸出，得到氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料。
上述的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟(1)中，所述排膠熱處理的工藝過(guò)程為：以1℃/min～50℃/min的升溫速率升至300℃～700℃，保溫0.5h～24h后，隨爐冷卻至室溫。
上述的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟(2)中，所述硅溶膠質(zhì)量濃度為5％～50％；所述真空浸漬的真空度≤10-2mpa，浸漬時(shí)間為0.5h～48h；所述凝膠干燥溫度為50℃～300℃，時(shí)間為1h～24h；所述燒結(jié)溫度為700℃～1400℃，燒結(jié)時(shí)間為0.5h～12h。
上述的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟(3)中，所述bn先驅(qū)體為硼吖嗪；所述真空浸漬的真空度≤10-2mpa，浸漬時(shí)間為0.1h～48h；所述加壓交聯(lián)固化的壓力為1mpa～20mpa，溫度為50℃～200℃，時(shí)間為1h～96h；所述裂解溫度為700℃～1400℃，裂解時(shí)間為0.5h～12h。
上述的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料的制備方法，優(yōu)選的，所述步驟(4)中，所述除碳熱處理的工藝過(guò)程為：以1℃/min～50℃/min的升溫速率升至400℃～800℃，保溫0.5h～24h后，隨爐冷卻至室溫。
作為一個(gè)總的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種上述的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料或上述的制備方法所制得的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料作為高溫透波材料的應(yīng)用。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：
1、本發(fā)明的氮化硅纖維增強(qiáng)二氧化硅和氮化硼陶瓷基復(fù)合材料(簡(jiǎn)稱(chēng)：si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料)，是以連續(xù)氮化硅纖維為增強(qiáng)體、以石英和bn為基體。利用氮化硅纖維本身的耐高溫性能，可以提高材料的制備溫度，有利于陶瓷材料的致密化，大大提高復(fù)合材料的整體耐溫性能。在陶瓷基體的選擇上，石英基體不僅介電常數(shù)較低，抗氧化性能優(yōu)異，而且高溫粘度較大，抗沖刷能力較強(qiáng)；另外，制備石英陶瓷的硅溶膠溶液，無(wú)毒無(wú)害、價(jià)格低廉、制備簡(jiǎn)單，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。而bn陶瓷的進(jìn)一步填充，可以提高復(fù)合材料的致密度和力學(xué)性能，同時(shí)堵塞空氣流通途徑，提高復(fù)合材料抗氧化性能；且bn陶瓷具有高溫穩(wěn)定特性，可以顯著提高陶瓷基體的耐燒蝕和抗沖刷性能。
2、本發(fā)明的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料的制備方法，考慮到制備過(guò)程中氮化硅纖維需要經(jīng)受長(zhǎng)期濕熱等環(huán)境的考驗(yàn)，本發(fā)明巧妙地對(duì)氮化硅纖維氈進(jìn)行真空或者惰性氣體保護(hù)下的排膠熱處理，能夠在纖維表面形成裂解碳涂層，起到隔絕環(huán)境的作用，避免氮化硅纖維在制備過(guò)程中受到不同程度損傷，保證氮化硅纖維的承載能力。復(fù)合材料成型后再進(jìn)行除碳熱處理，則能夠有效去除纖維表面殘留碳，并弱化界面結(jié)合，保證復(fù)合材料具有優(yōu)異的介電性能和力學(xué)性能。
3、具體地，本發(fā)明采用溶膠-凝膠-燒結(jié)工藝制備石英基體，一方面，石英基體不僅介電常數(shù)較低，抗氧化性能優(yōu)異，而且高溫粘度較大，抗沖刷能力較強(qiáng)；另一方面，該制備工藝成熟，工藝簡(jiǎn)單，原料也相對(duì)低廉，有利于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。另外，本發(fā)明以硼吖嗪為先驅(qū)體，采用先驅(qū)體浸漬裂解工藝制備bn基體。一方面，利用硼吖嗪的低粘度特性，可以填充si3n4f/sio2復(fù)合材料的孔隙，進(jìn)一步提高復(fù)合材料的致密度，從而減少材料缺陷，提高材料力學(xué)性能，同時(shí)堵塞空氣流通途徑，提高復(fù)合材料抗氧化性能；另一方面，利用bn陶瓷的高溫穩(wěn)定特性，可以顯著提高陶瓷基體的耐燒蝕和抗沖刷性能。因而本發(fā)明制備的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料綜合性能優(yōu)異，在高溫透波領(lǐng)域具有較大的應(yīng)用前景。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合具體優(yōu)選的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述，但并不因此而限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
實(shí)施例1：
一種本發(fā)明的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料，包括采用si3n4纖維束經(jīng)編織和穿刺制備的纖維體積分?jǐn)?shù)為35％的二維半si3n4纖維預(yù)制件，以及均勻填充于該二維半si3n4纖維預(yù)制件孔隙中的sio2陶瓷基體和bn陶瓷基體。其中，sio2陶瓷基體在該si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中的體積分?jǐn)?shù)為43％，bn陶瓷基體在該si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中的體積分?jǐn)?shù)為17％。
一種上述本實(shí)施例的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：
(1)纖維預(yù)制件的制備：將si3n4纖維束經(jīng)編織和穿刺工藝，制備出纖維體積分?jǐn)?shù)為35％的二維半氮化硅纖維預(yù)制件。
(2)排膠處理：將步驟(1)所得的二維半氮化硅纖維預(yù)制件置于真空爐內(nèi)，抽真空至10-2mpa后，以10℃/min的升溫速度加熱至500℃并保溫1h，使二維半氮化硅纖維預(yù)制件中的有機(jī)膠(si3n4纖維束本身自帶)熱解，生成熱解碳涂層包裹si3n4纖維，然后隨爐冷卻至室溫。
(3)制備si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體：利用模具將氮化硅纖維預(yù)制件固定后，再將其轉(zhuǎn)入真空罐中，抽真空至10-2mpa后，吸入硅溶膠(25wt.％)至浸沒(méi)氮化硅纖維預(yù)制件，浸漬12h，使硅溶膠填充在氮化硅纖維預(yù)制件的空隙中；再將浸漬硅溶膠的氮化硅纖維預(yù)制件移出，在150℃下凝膠干燥5h；最后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)溫度為800℃，時(shí)間為1h，使二氧化硅固體致密化；重復(fù)上述的真空浸漬-凝膠干燥-燒結(jié)過(guò)程5次，得到si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體。
(4)制備si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體：將步驟(3)所得的si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體在100℃下干燥4h，去除轉(zhuǎn)移環(huán)節(jié)可能吸收的水分；再將其轉(zhuǎn)入真空罐中，抽真空至10-2mpa后，吸入硼吖嗪至浸沒(méi)si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體，浸漬0.5h；再在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下交聯(lián)固化72h，交聯(lián)溫度為90℃，壓力為5mpa；最后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行高溫裂解，裂解溫度為1000℃，時(shí)間為1h。重復(fù)上述過(guò)程1次，得到si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體。
(5)除碳處理：將步驟(4)所得的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體置于馬弗爐內(nèi)，以1℃/min的升溫速度加熱至600℃并保溫1h，使殘余的熱解碳涂層與氧反應(yīng)，生成氣體逸出，然后隨爐冷卻至室溫，得到si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料。
經(jīng)檢測(cè)，該復(fù)合材料密度為1.91g/em3，bn體積含量為17vol.％，室溫彎曲強(qiáng)度為88.7mpa左右，介電常數(shù)ε＝3.9。相對(duì)于si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體(bn先驅(qū)體浸漬裂解次數(shù)為0的試樣)，si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料的密度提高了17％，說(shuō)明bn陶瓷的引入，可以顯著提高復(fù)合材料的密度，從而有助于減少材料缺陷，堵塞空氣流通通道，提高材料的抗氧化性能。
實(shí)施例2：
一種本發(fā)明的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料，包括采用si3n4纖維束經(jīng)編織制備的纖維體積分?jǐn)?shù)為33％的三維si3n4纖維預(yù)制件，以及均勻填充于該三維si3n4纖維預(yù)制件孔隙中的sio2陶瓷基體和bn陶瓷基體。其中，sio2陶瓷基體在該si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中的體積分?jǐn)?shù)為46％，bn陶瓷基體在該si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中的體積分?jǐn)?shù)為14％。
一種上述本實(shí)施例的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：
(1)纖維預(yù)制件的制備：將si3n4纖維束經(jīng)編織制備出纖維體積分?jǐn)?shù)為33％的三維氮化硅纖維預(yù)制件。
(2)排膠處理：將步驟(1)所得的三維氮化硅纖維預(yù)制件置于真空爐內(nèi)，抽真空至10-2mpa后，以8℃/min的升溫速度加熱至600℃并保溫1h，使三維氮化硅纖維預(yù)制件中的有機(jī)膠(si3n4纖維束本身自帶)熱解，生成熱解碳涂層包裹si3n4纖維，然后隨爐冷卻至室溫。
(3)制備si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體：利用模具將三維氮化硅纖維預(yù)制件固定后，再轉(zhuǎn)入真空罐中，抽真空至10-2mpa后，吸入硅溶膠(25wt.％)至浸沒(méi)三維氮化硅纖維預(yù)制件，浸漬24h，使硅溶膠填充在三維氮化硅纖維預(yù)制件的空隙中；再將浸漬硅溶膠的三維氮化硅纖維預(yù)制件移出，在120℃下凝膠干燥6h；最后在氬氣保護(hù)下進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)溫度為1000℃，時(shí)間為1h，使二氧化硅固體致密化；重復(fù)上述的真空浸漬-凝膠干燥-燒結(jié)過(guò)程5次，得到si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體。
(4)制備si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體：將步驟(3)所得的si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體在120℃下干燥3h，去除轉(zhuǎn)移環(huán)節(jié)可能吸收的水分；再將其轉(zhuǎn)入真空罐中，抽真空至10-2mpa后，吸入硼吖嗪至浸沒(méi)si3n4f/sio2復(fù)合材料，浸漬1h；再在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下交聯(lián)固化96h，交聯(lián)溫度為100℃，壓力為6mpa；最后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行高溫裂解，裂解溫度為1000℃，時(shí)間為1h。重復(fù)上述過(guò)程1次，得到si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體。
(5)除碳處理：將步驟(4)所得的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料中間體置于馬弗爐內(nèi)，以5℃/min的升溫速度加熱至500℃并保溫2h，使殘余的熱解碳涂層與氧反應(yīng)，生成氣體逸出，然后隨爐冷卻至室溫，得到si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料。
經(jīng)檢測(cè)，得到的三維si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料，其密度為1.88g/em3，bn體積含量為14vol.％，室溫彎曲強(qiáng)度為82.3mpa左右。
對(duì)比例1：
一種本對(duì)比例的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料的制備方法，與實(shí)施例1基本相同，其不同點(diǎn)僅在于，本對(duì)比例中將除碳處理步驟置于排膠處理步驟之后，制備si3n4f/sio2復(fù)合材料中間體之前，氮化硅纖維在整個(gè)復(fù)合材料制備過(guò)程中將不受裂解碳涂層的保護(hù)。經(jīng)檢測(cè)，通過(guò)該工藝得到的復(fù)合材料，其室溫彎曲強(qiáng)度下降明顯，僅為56.3mpa左右，明顯低于實(shí)施例1所得復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度(88.7mpa)，說(shuō)明裂解碳涂層的存在有助于提高復(fù)合材料的力學(xué)性能。
對(duì)比例2：
一種本對(duì)比例的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料的制備方法，與實(shí)施例1基本相同，其不同點(diǎn)僅在于，本對(duì)比例不包括步驟(5)。經(jīng)檢測(cè)，本對(duì)比例得到的si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料，其介電常數(shù)為4.6，高于實(shí)施例1所得復(fù)合材料的介電常數(shù)(ε＝3.9)，說(shuō)明除碳處理能夠降低該復(fù)合材料的介電常數(shù)，從而提高材料的透波性能。
表1實(shí)施例1、2和對(duì)比例1、2所制備si3n4f/sio2-bn復(fù)合材料的性能對(duì)比
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例。凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)該指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下的改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。