1.一種低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)硅粉的刻蝕：將預處理的硅粉采用刻蝕液進行刻蝕，經過1-600min的刻蝕得到含有納米級孔道的多孔硅，孔徑在1-1000nm；
所述的刻蝕液為由HF、金屬鹽、乙醇和水組成的混合溶液，所述的金屬鹽為Cu、Fe、Ag離子的可溶性鹽中的至少一種；
2)硅粉的處理：將含有納米級孔道的多孔硅置于酸性水溶液中浸泡，之后經清洗去除雜質，得到納米多孔硅粉。
2.根據權利要求1所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟1)中，所述的預處理的硅粉的制備包括：將硅粉用質量百分數5％-40％的氫氟酸浸泡5min～90min，之后清洗烘干得到預處理的硅粉。
3.根據權利要求2所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟1)中，所述的硅粉的粒徑小于等于500μm。
4.根據權利要求1所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟1)中，所述的刻蝕液中HF的濃度為0.1-25mol/L，金屬鹽的濃度為0.001-15mol/L，乙醇的質量分數為0.01％-100％。
5.根據權利要求1所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述的刻蝕的溫度為25℃～100℃。
6.根據權利要求1所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述的刻蝕的過程采用機械攪拌或者磁力攪拌。
7.根據權利要求1所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述的酸性水溶液為HCl、HF、H2SO4、HNO3中的一種或兩種以上。
8.根據權利要求1所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述的浸泡的時間為1-24小時。
9.根據權利要求1所述的低成本納米多孔硅粉的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述的清洗去除雜質包括：先超聲清洗，之后采用去離子水清洗。